%以上。
[0090] 在一些可选的实现方式中，补偿层可以由导电材料制成，例如，补偿层可以包括以 下材料中的一种或多种：氧化铟、氧化锡、氧化锌和氧化铬。本申请还提供了一种有机发光 二极管显示器，包括如上所述的有机发光二极管器件。
[0091] 如图6所示，为本申请的有机发光二极管器件的制作方法的一种实施例的示意性 流程图600。
[0092] 具体而言，在步骤610中，提供一基板。
[0093] 在步骤620中，在基板上形成第一电极，其中第一电极包括透明导电层和反射金 属层，且反射金属层位于基板和透明导电层之间。
[0094] 在步骤630中，在基板上形成第二电极。
[0095] 在步骤640中，在第一电极和第二电极之间形成有机发光层。
[0096] 在步骤650中，在反射金属层和有机发光层之间形成补偿层。其中，补偿层具有各 向异性的折射率。
[0097] 需要说明的是，上述的步骤编号仅是示意性的，其并不体现各步骤执行的先后顺 序关系。只要有机发光二极管器件的制作方法包括了如上所述的步骤610~650,无论各步 骤具有何种先后顺序关系，均视为落入了本申请的保护范围之内。
[0098] 此外，还需要说明的是，上述步骤中，"在…上"的表述并不用于限定各组件（即 基板、第一电极、第二电极、有机发光层和补偿层等）之间的绝对位置关系，而仅仅用于示 意性地说明各组件之间的相对位置关系，在使用"在…上"这样的语句描述时，可以理解为 "在…的上方（或上表面）"或者"在…的下方（或下表面）"。
[0099] 在一些可选的实现方式中，在步骤650中，可以进一步地在反射金属层和透明导 电层之间形成补偿层。
[0100] 在一些可选的实现方式中，补偿层的法线方向上的的折射率η。小于垂直于法线的 方向上的折射率ne。
[0101] 在这些可选的实现方式中，与补偿层法线方向夹角为93的方向上折射率n θ3满 足如上所述的公式（7)。
[0102] 此外，在一些可选的实现方式中，补偿层的厚度小于或等于d'，可以通过如上所述 的公式（5)~（7)来计算d'的具体数值，并根据具体的应用场景来确定补偿层的实际厚度。
[0103] 在一些可选的实现方式中，步骤650的在反射金属层和有机发光层之间形成补偿 层可进一步由如下方式来实现：在反射金属层和有机发光层之间沉积一双折射晶体薄膜。
[0104] 在一些可选的实现方式中，在反射金属层和有机发光层之间沉积一双折射晶体薄 膜包括：使用物理气相沉积的方法进行薄膜沉积，沉积源的气流方向与沉积基底之间形成 夹角α。在一些可选的实现方式中，夹角α可以大于70度。在一些应用场景中，可以通过 调整沉积源的气流方向与沉积基底之间形成的夹角α来调整双折射晶体薄膜的折射率。
[0105] 在一些可选的实现方式中，沉积源例如可以包括以下材料中的一种或多种：氧化 铟、氧化锡、氧化锌和氧化络。
[0106] 以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人 员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术 方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行 任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的（但不限于）具有类似 功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
【主权项】
1. 一种有机发光二极管器件，其特征在于，包括： 基板； 与所述基板叠置的第一电极，所述第一电极包括透明导电层和反射金属层，所述反射 金属层位于所述基板和所述透明导电层之间； 与所述基板叠置的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极和所述基板之间； 设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层；以及 设置在所述反射金属层和所述有机发光层之间的补偿层； 其中，所述补偿层具有各向异性的折射率。2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述补偿层位于所述反 射金属层和所述透明导电层之间。3. 根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于： 所述补偿层的光轴方向平行于所述补偿层的法线方向； 所述补偿层的法线方向折射率n。小于垂直于法线的方向折射率n以及 与补偿层法线方向夹角为9 3的方向上折射率ne3满足： wj3' =(Xcos:麵)2 +(?sin麵)2: Q4. 根据权利要求3所述的有机发光二极管器件，其特征在于： 所述补偿层包括双折射晶体；以及 所述补偿层对寻常光的折射率小于对非寻常光的折射率。5. 根据权利要求3或4所述的有机发光二极管器件，其特征在于： 所述补偿层的厚度为小于或等于d'，sin9 =n93sin9 3； 其中，9为所述有机发光二极管器件的视场角=Ii1为所述有机发光二极管器件中各向 同性介质的平均折射率，d为所述有机发光二极管器件的厚度，03为所述非寻常光进入所 述补偿层后的折射角。6. 根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于： 所述补偿层在可见光区域的透过率为98%以上。7. 根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于： 所述补偿层由导电材料制成。8. 根据权利要求6或7所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述补偿层包括以下 材料中的一种或多种： 氧化铟、氧化锡、氧化锌和氧化络。9. 一种有机发光二极管显示器，其特征在于： 包括权利要求1-8任意一项的有机发光二极管器件。10. -种有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一基板； 在所述基板上形成第一电极，所述第一电极包括透明导电层和反射金属层，所述反射 金属层位于所述基板和所述透明导电层之间； 在所述基板上形成第二电极； 在所述第一电极和所述第二电极之间形成有机发光层；以及 在所述反射金属层和所述有机发光层之间形成补偿层； 其中，所述补偿层具有各向异性的折射率。11. 根据权利要求10所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述补偿层形成于所 述反射金属层和所述透明导电层之间。12. 根据权利要求10所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于： 所述补偿层的光轴方向平行于所述补偿层的法线方向； 所述补偿层的法线方向折射率n。小于垂直于法线的方向折射率n以及 与补偿层法线方向夹角为9 3的方向上折射率ne3满足： = (""c〇sAsin沃)2 G13. 根据权利要求12所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述在所 述反射金属层和所述有机发光层之间形成补偿层包括：在所述反射金属层和所述有机发光 层之间沉积一双折射晶体薄膜。14. 根据权利要求13所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述在所 述反射金属层和所述有机发光层之间沉积一双折射晶体薄膜包括： 使用物理气相沉积的方法进行薄膜沉积，沉积源的气流方向与沉积基底之间形成夹角a;, 其中，所述夹角a大于70度。15. 根据权利要求12或13所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述 补偿层的厚度为小于或等于d'，sin9 =n03sin9 3； 其中，9为所述有机发光二极管器件的视场角=Ii1为所述有机发光二极管器件中各向 同性介质的平均折射率，d为所述有机发光二极管器件的厚度，03为所述非寻常光进入所 述补偿层后的折射角。16. 根据权利要求14所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述沉积 源包括以下材料中的一种或多种： 氧化铟、氧化锡、氧化锌和氧化络。
【专利摘要】本申请公开了一种有机发光二极管器件、包含其的显示器及其制作方法。其中，有机发光二极管器件的一实施例包括基板；与基板叠置的第一电极，第一电极包括透明导电层和反射金属层，反射金属层位于基板和透明导电层之间；与基板叠置的第二电极，第一电极位于第二电极和基板之间；设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层；以及设置在反射金属层和有机发光层之间的补偿层；其中，补偿层具有各向异性的折射率。按照本申请的方案，能够减小视角色偏。
【IPC分类】H01L51/56, H01L27/32, H01L51/52
【公开号】CN105226203
【申请号】CN201510788613
【发明人】夏婉婉, 熊志勇, 钱栋
【申请人】上海天马有机发光显示技术有限公司, 天马微电子股份有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年11月17日