导体装置200也可在X方向上进而具有在η支柱区域3中杂质浓度相互不同的部分。同样地，半导体装置200也可在X方向上进而具有在ρ支柱区域4中杂质浓度相互不同的部分。
[0114]或者，η支柱区域3的杂质浓度也可以包含部分3a以及部分3b的方式，在X方向上连续地变化。同样地，P支柱区域4的杂质浓度也可以包含部分4a、部分4b、以及部分4c的方式，在X方向上连续地变化。
[0115]以上，对各实施方式进行了具体说明。
[0116]然而，部分4a中的第二导电型的杂质浓度以及Z方向上的尺寸、与部分3a中的第一导电型的杂质浓度以及Z方向上的尺寸可在部分4a中的第二导电型的杂质量比部分3a中的第一导电型的杂质量变大的范围内适当变更。
[0117]同样地，部分4b中的第二导电型的杂质浓度以及Z方向上的尺寸、与部分2a中的第一导电型的杂质浓度以及Z方向上的尺寸可在部分4b中的第二导电型的杂质量比部分2a中的第一导电型的杂质量变小的范围内适当变更。
[0118]对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例而提示，并不意欲限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，可进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变化包含在发明的范围或主旨内，并且包含在权利要求书所记载的发明与其均等的范围内。
【主权项】
1.一种半导体装置，其特征在于包括: 第一导电型的第一半导体区域； 多个第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域上，具有比所述第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度，并在第一方向上延伸，且在与所述第一方向正交的第二方向上相互相隔而设置； 多个第二导电型的第三半导体区域，在所述第一方向延伸，所述第二导电型的第三半导体区域包含:第一部分，设置在相邻的所述第二半导体区域之间，具有比相邻的所述第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量大的第二导电型的杂质量；及第二部分，设置在所述第一半导体区域中，具有比在所述第二方向上相邻的所述第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量小的第二导电型的杂质量； 第二导电型的第四半导体区域，设置在所述第三半导体区域上； 第五半导体区域，设置在所述第四半导体区域中；以及 栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在所述第四半导体区域上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的所述第二方向上的尺寸比所述第二部分的所述第二方向上的尺寸长。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的第二导电型的杂质浓度与所述第二部分的第二导电型的杂质浓度相等。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的第二导电型的杂质浓度比所述第二部分的第二导电型的杂质浓度高。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的所述第二方向上的尺寸与所述第二部分的所述第二方向上的尺寸相等。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的第二导电型的杂质浓度比所述第二部分的第二导电型的杂质浓度高。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的第二导电型的杂质浓度比所述第二半导体区域的第一导电型的杂质浓度高。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的所述第二方向上的尺寸与所述第二半导体区域的所述第二方向上的尺寸相等。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的所述第二方向上的尺寸比所述第二半导体区域的所述第二方向上的尺寸长。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第二部分的与所述第一方向以及所述第二方向正交的第三方向上的尺寸为4 μπι以上。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述第一部分的第二导电型的杂质量为相邻的所述第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量的1.1倍以下； 所述第二部分的第二导电型的杂质量为相邻的所述第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量的0.9倍以下。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括:设置在所述第四半导体区域上的第二导电型的第六半导体区域，且 所述第六半导体区域的第二导电型的杂质浓度比所述第四半导体区域的第二导电型的杂质浓度高。13.一种半导体装置，其特征在于包括: 第一导电型的第一半导体区域； 多个第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域上，并在第一方向上延伸，且在与所述第一方向正交的第二方向上相互相隔而设置； 多个第二导电型的第三半导体区域，在所述第一方向延伸，所述第二导电型的第三半导体区域包含:第一部分，设置在相邻的所述第二半导体区域之间，在所述第二方向上，中心部分所含有的第二导电型的载流子密度与所述第二半导体区域的中心部分所含有的第一导电型的载流子密度相等，且具有比所述第二半导体区域的尺寸长的尺寸；及第二部分，设置在所述第一半导体区域中，在所述第二方向上，中心部分所含有的第二导电型的载流子密度比所述第一半导体区域的中心部分所含有的第一导电型的载流子密度高，且具有比所述第一半导体区域的尺寸短的尺寸； 第二导电型的第四半导体区域，设置在所述第三半导体区域上； 第五半导体区域，设置在所述第四半导体区域中；以及 栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在所述第四半导体区域上。14.一种半导体装置，其特征在于包括: 第一导电型的第一半导体区域； 多个第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域上，并在第一方向上延伸，且在与所述第一方向正交的第二方向上相互相隔而设置； 多个第二导电型的第三半导体区域，在所述第一方向延伸，所述第二导电型的第三半导体区域包含:第一部分，设置在相邻的所述第二半导体区域之间，在所述第二方向上，中心部分所含有的第二导电型的载流子密度比所述第二半导体区域的中心部分所含有的第一导电型的载流子密度更高，且具有与所述第二半导体区域的尺寸相等的尺寸；及第二部分，设置在所述第一半导体区域中，在所述第二方向上，中心部分所含有的第二导电型的载流子密度比所述第一半导体区域的中心部分所含有的第一导电型的载流子密度更低，且具有与所述第一半导体区域的尺寸相等的尺寸； 第二导电型的第四半导体区域，设置在所述第三半导体区域上； 第五半导体区域，设置在所述第四半导体区域中；以及 栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在所述第四半导体区域上。
【专利摘要】实施方式的半导体装置包括第一半导体区域、多个第二半导体区域、多个第三半导体区域、多个第四半导体区域、第五半导体区域、以及栅极电极。第二半导体区域具有比第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度。第三半导体区域包含第一部分、以及第二部分。第一部分设置在相邻的第二半导体区域之间。第一部分的第二导电型的杂质量比相邻的第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量大。第二部分设置在第一半导体区域中。第二部分的第二导电型的杂质量比相邻的第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量小。
【IPC分类】H01L27/105, H01L29/423, H01L29/36
【公开号】CN105321946
【申请号】CN201510098177
【发明人】小野升太郎, 浦秀幸, 志村昌洋, 山下浩明
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年3月5日...