有机化合物层22和第一上部电极层26的图案化（图6H)。应指 出地是，由于下述原因而进行干燥：在抗蚀剂图案的除去后进行的洗涂步骤中使用的水的 一部分可能吸附于有机化合物层22或基底电路的绝缘层，因此需要使水解吸。
[0161] 通过上述的光刻法加工有机化合物层22和第一上部电极层26时，对于已加工的 有机化合物层22和第一上部电极层26的各自的端部，参照图3所述的tan(0)(tan(03)) 成为0.2W上。因此，能够使设计中不必要的区域减少。
[0162] (2-5)形成第二上部电极层和将其图案化的步骤（图61至图6M)
[0163] 有机化合物层22和第一上部电极层26的加工后，在第一上部电极层26上形成第 二上部电极层27 (图61)。在此，在基板10的整个表面形成第二上部电极层27,如图61中 所示，因此通过第二上部电极层27将第一上部电极层26与配线连接部24电连接。
[0164] 与第一上部电极层26相同的材料能够用作第二上部电极层27的构成材料。其实 例包括金属材料例如Al或Ag,和透明导电材料例如ITO或氧化铜锋。此外，第二上部电极 层27可W是由金属材料或透明导电材料形成的层，或者可W是通过将由金属材料形成的 层和由透明导电材料形成的层层叠而得到的层叠体。
[0165] 已形成第二上部电极层27后，通过包括使用正型抗蚀剂的图案化和蚀刻，将第二 上部电极层27图案化为预定的形状（图6J至图6M)。进行运样的形成时，用由第一上部电 极层26和第二上部电极层27形成的上部电极23覆盖有机化合物层22的端部。于是，能 够抑制水或氧从用作有机化合物层22的膜的端部渗透，因此能够获得高耐久性。
[0166] (2-6)密封步骤（图6N和图60)
[0167] 已形成上部电极23后，将形成有机发光装置的有机发光元件和配线连接部24密 封（图6N和图60)。进行密封时，能够采用与实施方案1中所述的方法相同的方法。
[0168] 本发明中，实施方案1和实施方案2中所述的有机发光装置的制造方法的一部分 可适当地彼此组合，或者运些方法的一部分可彼此适当地替代。制造图1的有机发光装置 1时，通过例如如实施方案1那样采用具有预定图案形状的剥离层而形成有机化合物层22， 但有机化合物层22的形成方法并不限于此。如例如实施方案2那样，可在已形成用作有机 化合物层22的膜后，通过采用具有预定图案形状的抗蚀剂层来将有机化合物层22图案化。 此外，制造图4的有机发光装置2时，可通过利用实施方案1中所述的具有预定图案形状的 剥离层来形成构成有机发光装置2的有机化合物层22和第一上部电极层26。
[0169] [有源元件]
[0170] 根据本发明的有机发光装置可进一步包括用于控制形成有机发光装置的有机发 光元件的发光的有源元件（activeelement)。有源元件的实例包括晶体管和开关元件例如 MIM元件。
[0171] 与有机发光元件连接的有源元件可在有源元件的活性区域中含有氧化物半导体。 此外，作为有源元件的构成材料的氧化物半导体可W为无定形或晶体、或者两者的混合物。 应指出地是，本文中使用的术语"晶体"是指单晶、微晶和其中使特定的轴例如C-轴取向的 晶体中的一种。但是，有源元件并不限于此并且可W使用运些多种晶体中的至少两种的混 合物。
[0172] [有机发光装置的用途]
[0173] 接下来，对本发明的有机发光装置的用途进行说明。本发明的有机发光装置能够 用作显示装置或照明装置的构成部件。该装置也能够用于包括具有多个发光色例如红色、 绿色和蓝色的发光像素的显示装置。此外，该装置用于用途例如电子照相系统的图像形成 装置的曝光光源、液晶显示装置的背光和包括白色光源和滤色器的发光装置。滤色器的实 例包括透射具有=色，即，红色、绿色和蓝色的光束的滤色器。
[0174] 本发明的显示装置在其显示部包括本发明的有机发光装置。该显示部包括多个像 素。
[0175] 此外，像素各自包括本发明的有机发光装置和作为用于控制发射亮度的放大元件 或有源元件（开关元件）的实例的晶体管，并且将有机发光元件的阳极或阴极与该晶体管 的漏电极或源电极彼此电连接。该显示装置能够用作PC等的图像显示装置。晶体管为例 如TFT元件并且该TFT元件形成在例如基板的绝缘表面上。
[0176] 该显示装置可W是图像信息处理装置，其包括用于从例如面阵CCD、线阵CCD或存 储卡输入图像信息的图像输入部和用于处理该图像信息的信息处理部，并且在其显示部上 显示输入的图像。
[0177] 此外，成像装置或喷墨打印机的显示部可具有触摸面板功能。对触摸面板功能的 驱动系统并无特别限制。
[017引此外，该显示装置可用于多功能打印机的显示部。
[0179] 照明装置是用于将例如室内照明的装置。照明装置可发出具有下述颜色中的任一 种的光：白色（具有4, 200K的色溫度）、日光色（具有5,OOOK的色溫度）和从蓝色到红色 的颜色。
[0180] 本发明的照明装置包括本发明的有机发光装置和与该有机发光装置连接并且用 于供给驱动电压的AC/DC变换器电路（用于将AC电压转换为DC电压的电路）。应指出地 是，该照明装置可还包括滤色器。此外，本发明的照明装置可包括用于将该照明装置中的热 排放到外部的散热器。
[0181] 本发明的图像形成装置是如下的图像形成装置，其包括：感光部件；用于使该感 光部件的表面带电的带电单元；用于将该感光部件曝光W形成静电潜像的曝光单元；和用 于向该感光部件供给显像剂W由此使该感光部件的表面上形成的静电潜像显像的显像单 元。在此，该图像形成装置中配置的曝光单元包括本发明的有机发光装置。
[0182] 此外，本发明的有机发光装置能够用作用于对感光部件曝光的曝光装置的构成部 件。包括本发明的有机发光装置的曝光装置是例如下述的曝光装置，其中配置形成本发明 的有机发光装置的有机发光元件W沿预定的方向形成列。
[0183] 图8是表示包括根据本发明的有机发光装置的图像形成装置的实例的示意图。图 8的图像形成装置6包括感光部件61、曝光光源62、显像装置64、带电部65、转印装置66、 传送漉67和定影装置69。
[0184] 图8的图像形成装置6中，从曝光光源62向感光部件61照射光63,W由此在感光 部件61的表面上形成静电潜像。图8的图像形成装置6中，曝光光源62是根据本发明的 有机发光装置。此外，图8的图像形成装置6中，显像装置64包括调色剂等。图8的图像 形成装置6中，为了使感光部件61带电而设置带电部65。图8的图像形成装置6中，为了 将显像的图像转印到记录介质68例如纸上而设置转印装置66。用传送漉67将记录介质 68传送到转印装置66。图8的图像形成装置6中，为了将记录介质68上形成的图像定影 而设置定影装置69。
[0185] 图9A和图9B各自为表示形成图8的图像形成装置6的曝光光源（曝光装置）的 具体例的平面示意图，图9C为表示形成图8的图像形成装置6的感光部件的具体例的示意 图。应指出地是，图9A和图9B具有下述共同的特征：沿长基板62c的长轴方向将各自包括 有机发光元件的多个发光部62aW列状配置在曝光光源62上。此外，由附图标记6化表示 的箭头表示配置发光部62a的列方向。该列方向与感光部件61旋转所围绕的轴的方向相 同。
[0186] 顺便提及，图9A表示沿感光部件61的轴方向配置发光部62a的形式。另一方面， 图9B表示在第一列a和第二列0中在列方向上交替地配置发光部62a的形式。图9B中， 将第一列a和第二列0配置在行方向上的不同位置。
[0187] 此外，图9B中，在第一列a中W-定的间隔配置多个发光部62a，而第二列0在 与第一列a中的发光部62a之间的间隔对应的位置具有发光部620。目P，图9B的曝光光 源中，也在行方向上W-定的间隔配置多个发光部。
[018引应指出地是，可换言之：图9B的曝光光源处于下述状态，其中W例如格子状、棋盘 格花纹状或网纹状图案配置形成曝光光源的发光部（62a、620)。
[0189] 图10是表示包括根据本发明的有机发光元件的照明装置的实例的示意图。图10 的照明装置包括在基板（未示出）上形成的有机发光元件71和AC/DC变换器电路72。图 10的照明装置中，形成照明装置的有机发光元件71是本发明的有机发光装置或者本发明 的有机发光装置的构成部件。此外，图10的照明装置在例如安装有机发光元件71的一侧 的相反侧的基板表面上可包括对应于将装置内的热排放到外部的散热部的散热器（未示 出）。
[0190] 如上所述，本发明的有机发光装置的驱动能够实现具有良好的图像质量并且长期 稳定的显不。
[01川现化通过实施例对本发明进行详细说明。应指出地是，后述的基板形成步骤中使 用娃基板作为初始材料，但可代替娃基板而使用透明基板例如玻璃基板。此外，实施例中制 造的有机发光装置各自包括蓝色发光层作为发光层。但是，本发明并不限于此。目P，有机发 光装置可从其显示区域的内部发出一种颜色（单色）的光或两种W上不同颜色（多色）的 光。对发光像素的配置也无特别限制。此外，用于反射光的电极（反射电极）可W是上部 电极或者可W是下部电极。此外，可使用任何电极材料作为电极（下部电极或上部电极） 用材料，只要该材料满足至少下述条件：进行图案化步骤例如光刻法时该材料既不劣化也 不变质。
[0192] (实施例1)
[0193] 根据图5A-图化中所示的制造方法，制造图1的有机发光装置1。
[0194] (1)形成基板的步骤（图5A)
[0195] 将n型娃半导体基板用作初始材料W制备通过下述典型的步骤形成了基底驱动 电路的带有电路的基板（W下称为基板10)。应指出地是，在此制造的带有电路的基板是具 有Al配线的基板，并且带有电路的基板的制备流程能够按照通常的半导体工艺。进而，通 常采用的半导体工艺例如使用化配线、在晶体管中采用双栅极结构W及将低浓度杂质层 插入源-漏极与沟道之间可应用于带有电路的基板的制备流程。
[0196] 1)通过氧化形成LOCOS区域（Xocos表示LocalOxidationofSilicon)
[0197] 2)通过离子注入形成P型井结构
[019引 3)通过氧化形成栅极氧化物膜
[0199] 4)形成多晶Si栅电极
[0200] 5)通过离子注入形成源-漏极结构
[0201] 6)形成层间绝缘膜和进行CMP [020引 7)形成接触孔
[0203] 8)用鹤填充该接触孔和进行CMP
[0204] 9)形成Al配线
[0205] 10)重复 6)-9)
[0206] 11)形成层间绝缘膜11和进行CMP
[0207] 形成接触孔13
[020引 13)用鹤填充接触孔13和进行CMP
[0209] 14)形成下部电极21
[0210] 15)如果需要，形成覆盖下部电极21的周边的像素分离膜12。
[021。 现在对工序14)和15)具体地说明。首先，在层间绝缘层11上将Ag形成为具有 100皿厚度的膜W形成反射电极膜。接下来，在该反射电极膜上将氧化铜锡（口0)形成为 具有25nm厚度的膜W形成透明导电膜。接下来，将已知的光刻法用于将由反射电极膜（银 膜）和透明导电膜（IT0膜）形成的层叠电极膜图案化。于是，由相同的ITO层形成了下部 电极21和配线连接部24。应指出地是，通过填充接触孔13的配线将下部电极21和配线连 接部24分别与位于层间绝缘层11的下层中的驱动电路（未示出）连接。
[0212] 接下来，通过CVD成膜在基板10的整个表面上将氮化娃形成为具有IOOnm的厚度 的膜W形成像素分离膜12。接下来，在SiN膜上将光致抗蚀剂形成为膜，然后基于包括使用 形成为膜的光致抗蚀剂的光刻法，通过图案化形成了图案化为预定形状的抗蚀剂。接下来， 通过包括使用形成的抗蚀剂作为掩模和CFa气体的干式蚀刻形成了开口 12aW致使下部电 极21和配线连接部24露出，如图5A中所示。接下来，通过使用氧气的干式蚀刻将干式蚀 刻中残留在像素分离膜12上的抗蚀剂残渣除去。接下来，使用可商购的单晶片洗涂机，通 过双流体洗涂或者通过与兆声波组合的纯水洗涂对其上已形成了像素分离膜12和下层的 基板10进行洗涂W对基板10的表面进行洗涂。运样制备图5A中所示的基板10。应指出 地是，本实施例中制备的基板10具有W错列式配置的多个发光像素20,如图5B中所示。
[0213] 似形成剥离层和将其图案化的步骤（图5B至图祀）
[0214] 接下来，将作为水溶性聚合物材料的聚乙締基化咯烧酬（PV巧与水混合而制备 PVP的水溶液。接下来，通过旋涂法将制备的PVP的水溶液涂布到基板10上并形成为膜。 接下来，在Iior下将形成为膜的由PVP形成的膜（PVP膜）烘赔W干燥。于是，形成了具有 500皿的厚度的剥离层53 (图5B)。
[021引接下来，通过旋涂法将可商购的光致抗蚀剂材料（由AZElectronicMaterials制造，产品名："AZ1500")形成为膜W形成抗蚀剂膜。然后，通过使光致抗蚀剂材料中的溶 剂挥发而形成抗蚀剂层50 (图5B)。此时，光致抗蚀剂层50的厚度为1，OOOnm。
[0216] 接下来，将其上已形成了光致抗蚀剂层50和下层的基板10设置于曝光装置中并 且通过光掩模51用曝光光52照射40秒。于是，得到了经曝光的光致抗蚀剂层50a(图5C)。 曝光后，通过使用显像剂（通过用水将可从AZElectronicMaterialsW产品名"312MIF" 得到的产品稀释W致浓度成为50%而制备）进行显像1分钟（图5D)。于是，将经曝光的 光致抗蚀剂层50a除去（图祀）。接下来，通过包括使用光致抗蚀剂层50作为掩模的干式 蚀刻，将没有被光致抗蚀剂层50覆盖的剥离层53除去。此时，将氧用作蚀刻气体（反应气 体），将蚀刻气体的流量设定为20sccm，将装置内的压力设定为8Pa，将其输出设定为150W， 并且将处理时间设定为10分钟。
[0217] (3)形成有机化合物层的步骤（图5巧
[021引通过真空沉积法在基板10和下部电极21上形成有机化合物层22。W下列出本实 施例中使用的有机化合物。
[0219]
[0220] 首先，在下部电极21上将化合物I形成为具有3皿的厚度的膜W形成空穴注入 层。接下来，在空穴注入层上将化合物2形成为具有IOOnm的厚度的膜W形成空穴传输层。 接下来，在空穴传输层上将化合物3形成为具有IOnm的厚度的膜W形成电子阻挡层。
[0221] 接下来，从气