相将化合物4 (主体）和化合物5 (客体/发光材料）共沉积到电子 阻挡层上W形成具有20nm的厚度的发光层。应指出地是，形成了发光层W致化合物5相对 于整个发光层的含量为Iwt%。进而，在发光层上将化合物6形成为具有IOnm的厚度的膜 W形成空穴阻挡层。接下来，在空穴阻挡层上将化合物7形成为具有40nm的厚度的膜W形 成电子传输层。接下来，从气相将化合物7和化合物8共沉积到电子传输层上W形成具有 15nm的厚度的电子注入层。应指出地是，形成了电子注入层W致化合物7与化合物8之间 的重量浓度比为1:1。
[0222] W上述的方式形成了有机化合物层22,其中W所述顺序将空穴注入层、空穴传输 层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层层叠（图5B)。
[0223] (4)剥离步骤（图5G)
[0224] 接下来，通过用纯水洗涂基板10的表面来进行剥离。将由氮气（3化/min)和纯水 (IL/min)形成的双流体喷嘴用于剥离。通过该步骤将剥离层53上形成的有机化合物层22 除去。于是，将有机化合物层22图案化W包围发光像素，同时，通过该步骤使配线连接部24 的表面露出。随后，在真空中在l〇〇°C的条件下进行烘赔W将基板10干燥。
[022引 （5)制造上部电极的步骤（图甜至图5K)
[0226] 接下来，通过真空沉积法在基板10的整个表面将侣（Al)形成为具有20nm的厚度 的膜W形成Al膜。应指出地是，用该Al膜覆盖有机化合物层22的端部。接下来，通过瓣 射将氧化铜锋（IZO)形成为具有300皿的厚度的膜W形成透明导电膜。应指出地是，W所 述顺序将Al膜和透明导电膜层叠而成的层叠电极膜作为上部电极23发挥功能（图甜)。 接下来，将光致抗蚀剂材料（由AZElec化onicMaterials制造，产品名："AZ1500")涂布 到透明导电膜上W形成抗蚀剂膜。接下来，通过使抗蚀剂膜中的溶剂蒸发而形成了光致抗 蚀剂层50 (图51)。此时，光致抗蚀剂层50的厚度为1，000皿。
[0227] 接下来，将其上已形成了直至光致抗蚀剂层50的层的基板10安装于曝光装置中， 并且通过光掩模51用曝光光52照射40秒。于是，得到了经曝光的光致抗蚀剂层50a(图 5J)。曝光后，通过使用显像剂（通过用水将可从AZElectronicMaterialsW产品名 "312MIF"得到的产品稀释W致浓度成为50%而制备）进行显像1分钟。于是，将经曝光的 光致抗蚀剂层50a除去。接下来，通过包括使用图案化的光致抗蚀剂层50作为掩模的干式 蚀刻，将没有被光致抗蚀剂层50覆盖的上部电极23除去。此时，将形成上部电极23的透 明导电膜蚀刻时，将甲烧（CH4)和氨气化2)的混合气体用作蚀刻气体，将蚀刻速率设定为 lOnm/min，并且将蚀刻时间设定为30分钟。此外，将形成上部电极23的Al膜蚀刻时，将= 氯化棚度CI3)和氯气（CU的混合气体用作蚀刻气体，将蚀刻速率设定为lOnm/sec，并且 将蚀刻时间设定为3秒。
[022引 （6)密封步骤
[0229] 接下来，用由氮化娃（SiN)形成的薄膜进行密封。具体地，首先，通过包括使用SiH4 和N2作为反应气体的CVD成膜，在已经历了直至前一步骤（部分巧）中所述的步骤）的步 骤的基板10上形成了具有2ym的厚度的氮化娃膜。接下来，通过采用光刻法将该氮化娃 膜图案化而使用于外部连接的垫电极（未示出）露出，形成了密封层30(图化）。此外，此 时，用密封层30将在前一步骤中图案化的用作上部电极23的膜的所有端部覆盖。
[0230] (比较例1)
[0231] 除了在实施例1中通过包括使用掩模的真空沉积法形成了有机化合物层22W覆 盖发光像素，并且通过包括使用掩模的瓣射成膜将上部电极23形成为预定的形状W外，采 用与实施例1相同的方法制造有机发光装置1。
[0232] (实施例2)
[0233] 除了在实施例1的部分（1)中代替形成像素分离膜12而采用光刻法对于各个像 素将下部电极21图案化形成W外，采用与实施例1相同的方法制造有机发光装置1。
[0234] (实施例3)
[023引实施例I中，形成有机化合物层22时，将电子传输层的厚度设定为55nm，并且从气 相将银和碳酸飽共沉积W致银中碳酸飽的浓度为lOwt%，形成具有4nm的厚度的膜作为电 子注入层。此外，形成上部电极23时，将银形成为具有16nm的厚度的膜，并且通过瓣射将 氧化铜锋形成为具有300nm的厚度的膜W由此形成层叠电极膜。通过包括使用含有二氧化 氮（N02)和氨（N&)的蚀刻气体的干式蚀刻，并且将蚀刻速率设定为82nm/min，对形成层叠 电极膜的Ag蚀刻10秒。除了上述W外，采用与实施例1相同的方法制造有机发光装置。
[0236] (实施例4)
[0237] 除了在实施例1中将使用的基板10(带有电极的基板）变为运样的基板W致发光 像素与最接近该发光像素的配线连接部之间的距离在20ym内W外，采用与实施例1相同 的方法制备有机发光装置。
[023引（实施例5)
[0239] 实施例1中，代替娃半导体基板而使用了透明基板例如玻璃基板或树脂基板。此 夕F，将多晶Si、无定形Si或氧化物半导体（例如，IGZO)用于形成晶体管的层。进而，将只 由口0制成的层单独形成的透明导电膜用作下部电极21。此外，将由Al制成的反射电极 膜用作上部电极23。具体地，通过真空沉积法将Al形成为具有300皿的厚度的膜。此外， 进行反射电极膜的干式蚀刻W形成上部电极23的条件包括使用含有氯化棚度C13)和氯气 (Clz)的蚀刻气体，将蚀刻速率设定为lOnm/sec的条件，并且将蚀刻时间设定为30秒。除 了上述W外，采用与实施例1相同的方法制造有机发光装置。
[0240] (实施例6)
[0241] 除了在实施例1中形成带有电极的基板（基板10)W致W两维矩阵状（图2C)将 发光像素20配置在基板10上W外，采用与实施例1相同的方法制造有机发光装置1。
[0242] (实施例7)
[0243] 实施例1中，形成带有电极的基板（基板10)W致配置在基板10上的发光像素20 各自包括第一副像素20a、第二副像素2化和第=副像素20c，并且W两维矩阵状（图2D) 配置发光像素20。此外，通过使用掩模的真空沉积成膜形成了用于形成副像素（20a、2化、 20c)的有机化合物层，同时在副像素之间改变用于形成各个有机化合物层的层的厚度并且 改变用于发光层的材料。除了上述W外，采用与实施例1相同的方法制造有机发光装置。应 指出地是，本实施例中，第一副像素20a作为蓝色副像素发挥功能，第二副像素Wb作为绿 色副像素发挥功能，第=副像素20c作为红色副像素发挥功能。
[0244] (实施例8)
[024引根据图6A至图60中所示的制造方法制造图4的有机发光装置2。应指出地是，本 实施例中制造的有机发光装置具有作为红色发光层的发光层，但本发明并不限于此。此外， 本实施例中制造的有机发光装置中，配置多个发光像素。本发明中，对发光像素的配置也无 特别限制。
[0246] (1)形成基板的步骤（图6A)
[0247] 通过使用n型娃半导体基板作为起始材料，采用与实施例1的部分（1)相同的方 法制备基板10。
[024引本实施例中，下部电极21是具有反射光的功能的电极。具体地，首先，在层间绝缘 层11的整个表面（包括形成接触孔13的部分）上将Ag形成为具有IOOnm的厚度的膜。 接下来，在由Ag制成的膜上将氧化铜锡（口0)形成为具有25nm的厚度的膜W由此形成层 叠电极膜。接下来，将已知的光刻法用于将包括由Ag制成的膜（Ag膜）和由ITO制成的膜 (IT0膜）的层叠电极膜图案化。于是，与下部电极21-起形成了具有下部电极21相同的 层叠结构的配线连接部24。应指出地是，通过填充接触孔13的鹤配线将运些电极与位于基 板10的下层中的驱动电路（未示出）分别连接。
[0249] 接下来，在基板10的整个表面上（下部电极21、配线连接部24和层间绝缘层11 上），通过CVD将氮化娃形成为具有IOOnm的厚度的膜。进而，在由氮化娃制成的膜上将光 致抗蚀剂形成为膜W形成抗蚀剂层。接下来，通过光刻法将形成的抗蚀剂层图案化为预定 的形状。将图案化的抗蚀剂层作为掩模，如图6A中所示，进行使用CFa气体的干式蚀刻W在 其上待形成下部电极21的区域和其上待形成配线连接部24的区域中形成开口 12a。接下 来，通过使用氧气的干式蚀刻将干式蚀刻中残留在像素分离膜12上的抗蚀剂残渣除去。接 下来，使用可商购的单晶片洗涂机，通过双流体洗涂或者通过与兆声波组合的纯水洗涂对 其上已形成了像素分离膜12和下层的基板10进行洗涂W对基板10的表面进行洗涂。运 样制备图6A中所示的基板10。应指出地是，本实施例中制备的基板10具有W错列式配置 的多个发光像素20,如图2B中所示。
[0250] (2)有机化合物层的形成（图她）
[0巧1] 采用与实施例1的部分（3)相同的方法形成了有机化合物层22。 邮閲 （3)第一上部电极层的形成（图6C)
[0巧3] 接下来，通过真空沉积或瓣射在有机化合物层22上将Al形成为具有15nm的厚度 的膜W形成半透射性层。接下来，通过瓣射在该半透射性层上将氧化铜锋形成为具有200nm的厚度的膜W形成透明电极层。应指出地是，W所述顺序将半透射性层和透明电极层层叠 而成的层叠电极作为第一上部电极层26发挥功能（图6C)。
[0254] (4)有机化合物层和第一上部电极层的加工（图案化）（图6D至图6H)
[0巧引接下来，将正型光致抗蚀剂（例如，由AZElectronicMaterials制造，产品名： "AZ1500")涂布到第一上部电极层23上W形成抗蚀剂膜。然后，通过使抗蚀剂膜中的溶剂 蒸发而形成了抗蚀剂层50 (图6D)。此时，抗蚀剂层50的厚度为1，000皿。
[0巧6] 接下来，将其上已形成了抗蚀剂层50和下层的基板10安装于曝光装置中，并且通 过光掩模51用曝光光52照射40秒。于是，得到了经曝光的抗蚀剂层50a(图6E)。曝光后， 通过使用显像剂（例如，通过用水将可从AZElectronicMaterialsW产品名"312MIF"得 到的产品稀释W致浓度成为50%而制备）进行显像1分钟。于是，将曝光的抗蚀剂层50a 除去（图6F)。接下来，通过包括使用图案化的抗蚀剂层50作为掩模的部分干式蚀刻，将没 有被抗蚀剂层50覆盖的第一上部电极层23和有机化合物层22除去（图6G)。运种情形下 通过使用CHa和Hz的等离子体蚀刻将氧化铜锋（透明电极层）蚀刻20分钟。此外，通过使 用6化和Cl2的等离子体蚀刻将该半透射性层蚀刻10秒。进而，通过使用0 2的等离子体 蚀刻将有机化合物层22蚀刻10分钟。
[0257] 于是，将有机化合物层22和第一上部电极层23图案化为基本上相同的设计（图 細)。
[0258] (5)第二上部电极层的形成和加工（图案化）（图61至图6M)
[0巧9] 接下来，在其上已形成了第一上部电极层26和配线连接部24的基板10的整个表 面，通过瓣射将氧化铜锋形成为具有200nm的膜厚的膜。于是，形成了用作第二上部电极层 27的透明电极层（图61)。接下来，采用与部分（4)(加工第一上部电极层26的方法）相 同的方法将该透明电极层图案化为预定的形状。于是，形成了第二上部电极层27 (图6J至 图6M)。应指出地是，第二上部电极层27的形成时将第二上部电极层27图案化的设计需要 满足下述条件巧a)和巧b):
[0260] 巧a)第二上部电极层27与第一上部电极层26的至少一部分重叠；和
[0261] 巧b)第二上部电极层27覆盖配线连接部24。
[0262] 例如，可利用下述模式：第二上部电极层27覆盖第一上部电极层26的全部，如图 6M中所示。
[026引 （6)密封步骤（图6N至图60)
[0264] 接下来，用由氮化娃（SiN)形成的薄膜进行形成有机发光装置的有机发光元件的 密封。具体地，通过包括使用SiH4和N2作为反应气体的CVD成膜，在其上已形成了图案化 为预定形状的第二上部电极层27和下层的基板10上将氮化娃形成为具有2ym的膜厚的 膜。于是，形成了用作密封层30的氮化娃膜（图6脚。然后，通过采用光刻法将氮化娃膜 图案化而使用于外部连接的垫电极（未示出）露出。此外，此时，用由氮化娃形成的密封层 30将部分巧）中形成的第二上部电极层27的所有端部覆盖（图60)。
[0265] 通过上述步骤制造图4的有机发光装置2。
[0266] (比较例2)
[0267] 除了在实施例8中通过包括使用掩模的真空沉积法形成了有机化合物层22W覆 盖发光像素，并且通过包括使用掩模的瓣射成膜将第一上部电极层26和第二上部电极层 27形成为预定形状W外，采用与实施例8相同的方法制造有机发光装置2。
[026引（实施例9)
[0269] 除了在实施例8的部分（1)中代替形成像素分离膜12而采用光刻法对于每个像 素将下部电极21图案化形成W外，采用与实施例8相同的方法制造有机发光装置2。
[0270] (实施例 10)
[0271] 除了在实施例8中将使用的基板10(带有电极的基板）变为运样的基板W致发光 像素与最接近该发光像素的配线连接部之间的距离在20ym内W外，采用与实施例8相同 的方法制造有机发光装置2。
[0272] (实施例 11)
[027引实施例8中，将第一上部电极层26变为下述层（i)或（U):
[0274] (i)具有15nm的厚度的由Ag形成的层（半透射性Ag层）和具有200nm的厚度的 由氧化铜锋形成的层（透明电极层）的层叠体；和
[027引 （U)具有215nm的厚度的由氧化铜锋形成的层（只由透明电极层形成的层）。
[027引除了上述W外，采用与实施例8相同的方法制造有机发光装置2。应指出地是，能 够取决于有机化合物层22的构成材料的组合来各自适当地选择层（i)和（ii)。
[0277](实施例 12)
[027引除了在实施例8中在下部电极21的形成时省略了作为反射电极的Ag层的形成， 并且作为只由ITO层形成的透明电极形成了电极W外，采用与实施例8相同的方法制造有 机发光装置2。
[027引（实施例13)
[0280] 实施例8中，代替娃半导体基板而使用了由玻璃、树脂等制成的透明基板。此外， 将多晶Si、无定形Si或氧化物半导体（例如IGZO)用作用于形成晶体管的层。进而，将由 ITO形成的层单独形成的透明导电膜、或