域220更向里(例如，在密封区域220内侧)。共电极线230可以由与源电极173和176以及漏电极174和177基本相同的材料(例如，同一材料)制成。
[0085]源电极173和176、漏电极174和177以及共电极线230可以由金属材料制成。金属材料的示例可以包括钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)、铝(A1)和/或铜(Cu)，所述金属可以单独使用或者彼此结合使用。源电极173和176、漏电极174和177以及共电极线230可以具有单层结构或多层结构。
[0086]平坦化层180可以设置在层间绝缘层160上，并且可以被构造为覆盖数据布线(171、172、173、174、176、177和178)。平坦化层180可以用于通过消除或减小台阶来使设置在平坦化层180上的0LED 210的表面平坦化，以增加0LED 210的光发射效率。
[0087]平坦化层180可以由从聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中选择的至少一种制成。
[0088]同时，保护层240可以涂覆在共电极线230的邻近于密封区域220的端部的至少一部分。保护层240可以由与平坦化层180基本相同的材料制成，并且可以通过与平坦化层180的形成图案的基本相同的工艺(例如，同一工艺)来形成。
[0089]根据第一实施例，0LED显示器100包括彼此分隔开(例如，分隔开预定的距离)的至少两个保护层240。保护层240可以沿共电极线230的方向彼此分隔开(例如，分隔开预定的距离)。
[0090]保护层240的长度和彼此相邻的保护层240之间的距离不受严格地限制。可以沿共电极线230延伸所沿的方向测量保护层240的长度。可以在与保护层240的长度垂直的方向上测量保护层240的宽度。保护层240之间的距离可以指两个相邻的保护层240之间的距离。
[0091]可以通过考虑图案的可加工性和沿保护层240的层形成材料的流动性来确定保护层240的长度和保护层240之间的距离。保护层240可以具有在大约20 μ m到大约2000 μ m的范围内或者更长的长度。相邻的保护层240之间的距离可以在大约20 μ m到大约2000 μm的范围内或者更大。
[0092]保护层240的宽度可以根据共电极线230的宽度来变化。考虑到在大约200 μm到大约300 μ m的范围内的共电极线230的大体宽度，保护层240可以具有在大约20 μ m到大约200 μ m的范围内的宽度。保护层240的宽度也可以比200 μ m大。保护层240可以具有与平坦化层180基本相同的高度(例如，同一高度)；然而，本发明的实施例不限于此。例如，保护层240可以具有与平坦化层180不同的高度。
[0093]此外，保护层240可以不延伸到密封区域220。当保护层240延伸到密封区域220时，密封性质会降低。
[0094]0LED 210的像素电极211可以设置在平坦化层180上。像素电极211可以通过平坦化层180的接触开口(例如，孔)结合到漏电极177。
[0095]像素电极211可以是如下类型中的任一类型:透射型、透反射型和反射型。
[0096]可以使用透明导电氧化物(TC0)来形成透射电极。TC0的示例可以包括氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(Ιη203)。
[0097]可以使用诸如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(A1)和铜(Cu)的金属或者它们的合金来形成透反射电极和反射电极。在这种情况下，透反射电极和反射电极可以具有不同的厚度。例如，透反射电极可以具有大约200nm或者更小的厚度，反射电极可以具有大约300nm或者更大的厚度。随着透反射电极的厚度减小，透光率和电阻两者都会增加。相反，随着透反射电极的厚度增大，透光率会降低。
[0098]透反射电极和反射电极可以具有多层结构，该多层结构包括由金属或其合金制成的金属层以及层压在金属层上的透明导电氧化物层。
[0099]根据包括在像素电极211和共电极213中的材料的种类，可以将0LED显示器100分成三种类型:顶发射型、底发射型和双发射型。根据第一实施例，0LED显示器100是顶发射型。也就是说，0LED 210可以在共电极213的方向上发射光，以显示图像。为了改善0LED显示器(例如，顶发射0LED显示器)100的光发射效率，像素电极211可以是反射电极。反射电极的示例可以包括具有如下结构的电极，在该结构中，由ΙΤ0制成的透明导电氧化物层层压在由银(Ag)制成的金属层上。反射电极也可以具有顺序地层压有银(Ag)、IT0和银(Ag)的三层结构。
[0100]同时，共电极结合部231可以设置在非显示区域102的平坦化层180上。共电极结合部231可以从平坦化层180的上部延伸到共电极线230，以使共电极线230具有放大的接触区域。共电极结合部231可以具有与像素电极211基本相同的成分(例如，相同的成分)和构造，并且也可以通过与像素电极211基本相同的工艺来形成。
[0101]像素限定层(PDL) 190可以设置在平坦化层180上，以通过暴露像素电极211的至少一部分来限定像素区域。像素电极211可以设置在被TOL 190限定的像素区域中。在这种情况下，共电极结合部231可以被roL 190部分地覆盖，并且可以被部分地暴露。
[0102]PDL 190可以由聚丙烯酸酯树脂和/或聚酰亚胺树脂等制成。
[0103]光发射层212可以设置在像素区域中的像素电极211上，共电极213可以设置在PDL 190和光发射层212上。共电极213可以与共电极结合部231接触，从而它可以电连接到共电极线230。
[0104]光发射层212可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个层可以设置在像素电极211和光发射层212之间，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个层可以设置在光发射层212和共电极213之间。
[0105]共电极213可以形成为透反射层。用作共电极213的透反射层可以由包括镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、络(Cr)、铝(A1)和铜(Cu)的至少一种金属制成。共电极213可以具有多层结构，该多层结构包括包含镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、络(Cr)、铝(A1)和铜(Cu)中的至少一种的金属层以及层压在金属层上的透明导电氧化物(TC0)层。
[0106]如上所述，0LED 210可以包括像素电极211、位于像素电极211上的光发射层212以及位于光发射层212上的共电极213。这里，像素电极211可以用作可以是空穴注入电极的阳极，共电极213可以用作可以是电子注入电极的阴极。然而，本发明的实施例不限于此，例如，根据0LED显示器100的驱动方法，像素电极211可以是阴极，且共电极213可以是阳极。
[0107]密封构件250可以设置在密封层225上，以覆盖驱动TFT 20和0LED210。由玻璃或塑料制成的透明绝缘基底可以用作密封构件250。
[0108]密封构件250可以通过密封区域220中的密封层225与基底110分隔开。密封层225可以由例如密封料或玻璃料制成。
[0109]以上，已经参照图1至图3描述了第一实施例；然而，本发明的实施例不限于此。
[0110]在一个实施例中，交替地层压有有机层和无机层的薄膜包封层可以设置在0LED210上。在此实施例中，可以省略密封构件250和密封层225。此外，许多不同的导线可以设置在密封层225和基底110之间，并通过密封层225和基底110绝缘，以提供信号或电力。
[0111]在下文中，可以参照图4和图5来描述根据第一实施例的显示装置的像素构造的另一示例。
[0112]图4是图1的部分“A”的放大的局部视图的另一示例，并且示出了根据第一实施例的包括在0LED显示器100中的像素的另一实施例的布局。
[0113]图4示出了三个像素。图5是图4中示出的一个像素的等效电路图。
[0114]图4中示出的每个像素可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、一个或更多个电容器C1和C2、扫描线SCAN[n]、数据线DATA[m] (η和m是正整数)、第一电源线ELVDD、第二电源线 ELVSS 和 0LED。
[0115]像素也可以进一步包括扫描线SCAN[n-l]、发射控制线EM[n]、初始化电压线Vint以及包括补偿TFT T3的TFT T3、T4、T5和T6。通过初始化电压线Vint传输的初始化电压VIN可以使驱动TFT T1初始化。
[0116]开关TFT T2可以根据通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号来进行开关操作。例如，开关TFT T2的栅电极可以连接到扫描线SCAN[n]。开关TFT T2的源电极可以连接到数据线DATA[m]。扫描线SCAN[n]和数据线DATA[m]可以在彼此交叉的方向上设置。开关TFT T2的漏电极可