有机发光显示装置的制造方法
【专利说明】有机发光显不装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年8月1日提交的韩国专利申请第10-2014-0098983号的权益，其全部内容通过引用合并到本文中。
技术领域
[0003]本发明的实施例涉及有机发光显示装置，并且更具体地涉及具有顶栅极结构的薄膜晶体管的有机发光显示装置。
【背景技术】
[0004]以如下结构提供了自身发光的有机发光显示装置:在该结构中发光层形成在用于注入电子的阴极和用于注入空穴的阳极之间。当在阴极中生成的电子和在阳极中生成的空穴被注入到发光层内时，通过电子与空穴结合产生激子。然后，当激子从激发态落入基态时，有机发光显示装置发光。
[0005]有机发光显示装置包括起开关装置作用的薄膜晶体管。该薄膜晶体管可以分类为底栅极结构和顶栅极结构。对于底栅极结构，栅电极被设置在有源层下方。同时，对于顶栅极结构，栅电极被设置在有源层上方。
[0006]在下文中，将参照附图描述现有技术的具有顶栅极结构的薄膜晶体管的有机发光显示装置。
[0007]图1是示出了相关技术的有机发光显示装置的横截面图。
[0008]如图1所示，相关技术的有机发光显示装置可以包括:基板10、有源层20、栅极绝缘膜25、栅电极30、绝缘夹层35、源电极40a、漏电极40b、钝化膜45、平坦化膜50、阳极60、堤层(bank layer) 70、有机发射层80以及阴极90。
[0009]有源层20起电子迀移通道的作用，并且有源层20形成在基板10上。
[0010]栅极绝缘膜25使有源层20与栅电极30彼此绝缘，并且栅极绝缘膜25形成在有源层20上。
[0011]栅电极30形成在栅极绝缘膜25上。
[0012]绝缘夹层35形成在栅电极30上。绝缘夹层35形成在基板10的表面上，其中，绝缘夹层35具有用于露出有源层20的一端的第一接触孔和用于露出有源层20的另一端的第二接触孔。
[0013]源电极40a和漏电极40b形成在绝缘夹层35上。源电极40a通过第一接触孔与有源层20的所述一端连接，并且漏电极40b通过第二接触孔与有源层20的所述另一端连接。
[0014]钝化膜45形成在源电极40a和漏电极40b上，其中，钝化膜45保护设置在其下方的薄膜晶体管。
[0015]平坦化膜50形成在钝化膜45上以使基板10的表面平坦化。
[0016]钝化膜45和平坦化膜50具有穿过其自身以露出源电极40a的接触孔。
[0017]阳极60形成在平坦化膜50上。阳极通过设置在钝化膜45和平坦化膜50中的接触孔与源电极40a连接。
[0018]堤层70形成在平坦化膜50上。形成为矩阵配置的堤层70限定了用于显示图像的显不区。
[0019]有机发射层80形成在阳极60上。有机发射层80形成在由堤层70限定的显示区中。
[0020]阴极90形成在有机发射层80上。
[0021]对于相关技术的有机发光显示装置，有源层20正好形成在基板10的上表面上。因此，有源层20暴露于通过基板10的下表面入射的外部光，从而劣化了有源层20的可靠性。
【发明内容】
[0022]因此，本发明的实施例涉及一种基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置。
[0023]本发明的实施例的一个方面涉及提供一种提高了有源层的可靠性的有机发光显示装置。本发明的实施例的另一方面涉及提供一种促进防止有源层暴露于外部光的有机发光显示装置。
[0024]本发明的实施例的另外的优点和特征将部分地在随后的描述中阐述，并且将部分地在本领域普通技术人员研究下面的内容时变得明显，或者可以通过本发明的实施例的实践而获知这些优点和特征。通过在书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的实施例的目的和其他优点。
[0025]为了获得这些优点和其他优点并且根据本发明的实施例的目的，如本文中所呈现和大致描述的，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置可以包括:在基板上的第一像素；设置在第一像素内的具有第一有源层的开关晶体管；设置在第一像素内的具有第二有源层的驱动晶体管；与第二有源层交叠的第一遮光层；以及与第一有源层交叠的第二遮光层，其中，第一遮光层与驱动晶体管连接，并且第二遮光层与第一遮光层电绝缘。
[0026]应该理解，本发明的实施例的上述一般描述和后面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供如所要求保护的本发明的进一步的说明。
【附图说明】
[0027]被包括用以提供对本发明的实施例的进一步理解并且被并入本申请中并构成本申请的一部分的附图示出了本发明的一个或多个实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的实施例的原理。在附图中:
[0028]图1是示出了相关技术的有机发光显示装置的横截面图；
[0029]图2是示出了根据本发明的一个实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0030]图3A是示出了图2中的第一像素和第二像素的详细平面图，并且图3B是示出了图3A所示的第一遮光层与驱动薄膜晶体管的第二源电极之间的电连接的横截面图；
[0031]图4是示出了根据本发明的一个实施例的有机发光显示装置的电路图；
[0032]图5是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0033]图6是示出了图5中的第一像素、第二像素、虚像素和静电防护电路的详细平面图；
[0034]图7是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图；
[0035]图8是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0036]图9是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图；
[0037]图10是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0038]图11是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图；以及
[0039]图12是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图。
【具体实施方式】
[0040]现在将详细参考本发明的示例性实施例，在附图中示出了本发明的示例性实施例的示例。贯穿附图将尽可能使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
[0041]将通过参照附图描述的下面的实施例来阐明本发明的优点和特征以及本发明的实现方法。然而，本发明可以以不同的形式来体现并且不应当被解释为限于本文中所阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开内容将严密且完整，并且将对本领域技术人员充分地传达本发明的范围。此外，本发明仅由权利要求的范围来限定。
[0042]在用于描述本发明的实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比例、角度和数字仅为示例，因此本发明不限于所示出的细节。在通篇中相似的附图标记指代相似的元件。在下面的描述中，在确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本发明的主题模糊的情况下，则将省略该详细描述。在使用本说明书中所描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除了使用“仅…”之外，可以添加另外的部分。单数形式的术语可以包括复数形式，除非被指出与此相反。在解释元件时，虽然未明确描述，但是元件被解释为包括误差区域。
[0043]在本发明的实施例的描述中，在结构(例如，电极、线、布线、层或接触部)被描述为形成在另一结构的上部/下部处或在另外结构上/下的情况下，本描述应当被解释为包括结构彼此接触的情况以及第三结构被设置在其之间的情况。
[0044]在描述时间关系时，例如，在时间顺序被描述为“在…之后”、“随后…”、“接下来…”和“在…之前”的情况下，可以包括不连续的情况，除非使用“恰好”或“直接”。
[0045]将要理解的是，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等等来描述各种元件，但是这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
[0046]本发明的各个实施例的特征可以彼此部分地或整体地结合或组合，并且如本领域技术人员能够充分理解的，所述特征可以以各种方式彼此相互作用并且在技术上被驱动(driven)。本发明的实施例可以彼此独立地被实施，或者可以以相互依赖的关系一起被实施。
[0047]在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的实施例的有机发光显示装置。
[0048]图2是示出了根据本发明的一个实施例的有机发光显示装置的平面图。图2示出了包括有第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4的单元像素。
[0049]如图2所示，根据本发明的一个实施例的有机发光显示装置可以包括:基板100、栅极线GL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第四数据线DL4、第一电源线VDD1、第二电源线VDD2、参考线Ref、开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3、第一遮光层LSI以及第二遮光层LS2。
[0050]第一像素P1形成在第一电源线VDD1与第一数据线DL1之间，第二像素P2形成在第二数据线DL2与参考线Ref之间，第三像素P3形成在参考线Ref与第三数据线DL3之间，并且第四像素P4形成在第四数据线DL4与第二电源线VDD2之间。
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