测薄膜晶体管T3的第三漏电极D3连接，并且第二连接线CL2通过第三接触孔CH3与参考线Ref连接。
[0132]图7是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图，其对应于被包括在图5所示的有机发光显示装置中的像素P1、像素P2、像素P3、像素P4中的每个像素的电路图。
[0133]如图7所示，根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置可以包括:栅极线GL、虚数据线D-DL、数据线DL、电源线VDD、参考线Ref、开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3、电容C、有机发光二极管0LED、第一遮光层LSI以及第二遮光层LS2。
[0134]除了附加地设置了虚数据线D-DL以及第二遮光层LS2在其连接结构方面改变之夕卜，图7中的电路图与图4中的电路图相同，因此将省略对于相同部分的详细说明。
[0135]如图7所示，根据本发明的另一实施例，覆盖开关薄膜晶体管T1的有源层和感测薄膜晶体管T3的有源层的第二遮光层LS2与虚数据线D-DL连接。
[0136]图8是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。除了第二遮光层LS2与静电放电线ESD-V连接而不是与虚像素D-P的虚数据线D-DL连接之外，图8中的有机发光显示装置与图5中的有机发光显示装置相同，因此将仅描述不同的部分如下。
[0137]如图8所示，与虚数据线D-DL、第一电源线VDD1、第一数据线DL1、第二数据线DL2、参考线Ref、第三数据线DL3以及第四数据线DL4交叠的第二遮光层LS2从第四像素P4经由虚像素D-P延伸至静电放电线ESD-V。虽然未详细示出，但是第二遮光层LS2可以延伸至与布置在与包括第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4的单元像素的行相同的行中的所有单元像素连接，其将同样地应用于图5中的实施例。
[0138]具体地，第二遮光层LS2通过第^^一接触孔CH11与静电放电线ESD-V连接。
[0139]同时，图8示出了虚像素D-P被包括在有机发光显示装置中，但是这并不是必需的。即，可以将虚像素D-P从图8中的有机发光显示装置中去除，并且形成与第一电源线VDD1的左侧相邻的静电放电线ESD-V。
[0140]图9是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图。图9中的有机发光显示装置通过将虚像素D-P从图8中的有机发光显示装置中去除来获得。
[0141]如图9所示，根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置可以包括:栅极线GL、静电放电线ESD-V、数据线DL、电源线VDD、参考线Ref、开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3、电容C、有机发光二极管0LED、第一遮光层LSI以及第二遮光层LS2。
[0142]除了附加地设置了静电放电线ESD-V以及第二遮光层LS2在其连接结构方面改变之外，图9中的电路图与图4中的电路图相同，因此将省略对于相同部分的详细说明。
[0143]如图9所示，根据本发明的另一实施例，覆盖开关薄膜晶体管T1的有源层和感测薄膜晶体管T3的有源层的第二遮光层LS2与静电放电线ESD-V连接。
[0144]图10是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。除了附加地连接静电放电线ESD-V与低电源线VSS之外，图10中的有机发光显示装置与图8中的有机发光显示装置相同，因此将仅详细描述不同的部分。
[0145]如图10所示，以与图8中的有机发光显示装置相同的方式，第二遮光层LS2通过第i^一接触孔CH11与静电放电线ESD-ν连接。此外，静电放电线ESD-ν通过第十二接触孔CH12与低电源线VSS连接。低电源线VSS与设置在像素P1、像素P2、像素P3和像素P4中的每个像素中的有机发光二极管0LED的阴极连接。
[0146]图11是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图，其涉及图10中的有机发光显示装置。将省略对于与图9中的部分相同的部分的详细描述。
[0147]如图11所示，根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置，覆盖开关薄膜晶体管T1的有源层和感测薄膜晶体管T3的有源层的第二遮光层LS2与静电放电线ESD-ν连接。此外，静电放电线ESD-V与低电源线VSS连接。
[0148]图12是示出了根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的电路图，其中，第二遮光层LS2与低电源线VSS直接连接。对于图10和图11，第二遮光层LS2经由静电放电线ESD-V与低电源线VSS连接。对于图12，第二遮光层LS2与低电源线VSS直接连接。换言之，在第二遮光层LS2与低电源线VSS之间没有连接附加的线(例如，静电放电线ESD-V)。然而，术语“直接连接”可以包括经由接触孔连接。
[0149]如上所述，第二遮光层LS2与导电线连接使得能够防止对开关薄膜晶体管T1和感测薄膜晶体管T3的操作的坏的影响。具体地，第二遮光层LS2可以与参考线Ref连接，可以与虚数据线D-DL连接，可以与静电放电线ESD-V连接，可以经由静电放电线ESD-V与低电源线VSS连接，或者可以与低电源线VSS直接连接，但是不限于这些结构。例如，在附加地形成恒定电压线之后，第二遮光层LS2可以与恒定电压线连接。
[0150]根据本发明，第一遮光层LSI和第二遮光层LS2能够防止外部光入射到开关薄膜晶体管T1的有源层和驱动薄膜晶体管T2的有源层上。
[0151]具体地，覆盖驱动薄膜晶体管T2的区的第一遮光层LSI与覆盖开关薄膜晶体管T1的区的第二遮光层LS2电绝缘使得能够在操作驱动薄膜晶体管T2时防止开关薄膜晶体管T1故障。
[0152]对本领域技术人员将明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同内容的范围内即可。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置，包括: 在基板上的第一像素； 设置在所述第一像素内的具有第一有源层的开关晶体管； 设置在所述第一像素内的具有第二有源层的驱动晶体管； 与所述第二有源层交叠的第一遮光层；以及 与所述第一有源层交叠的第二遮光层， 其中，所述第一遮光层与所述驱动晶体管连接，并且所述第二遮光层与所述第一遮光层电绝缘。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素内的具有第三有源层的感测晶体管， 其中，所述第二遮光层与所述第三有源层交叠。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二遮光层与导电线连接。4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述导电线耦接至低于所述开关晶体管的阈值电压的电势。5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素内的感测晶体管，以及与所述感测晶体管连接的参考线， 其中，所述导电线由所述参考线形成。6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述第二遮光层通过相应的接触孔与所述感测晶体管和所述参考线连接。7.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素的外周边处的虚数据线， 其中，所述导电线由所述虚数据线形成。8.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素的外周边处的静电放电线， 其中，所述导电线由所述静电放电线形成。9.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素内的阴极，以及与所述阴极连接的低电源线， 其中，所述导电线由所述低电源线形成。10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素内的感测晶体管、与所述感测晶体管电连接的参考线、以及用于连接所述感测晶体管与所述参考线的连接线。11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素内的感测晶体管、与所述感测晶体管电连接的参考线、以及用于连接所述感测晶体管与所述参考线的连接线。12.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一像素内的感测晶体管、与所述感测晶体管电连接的参考线、以及用于连接所述感测晶体管与所述参考线的连接线。13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括: 在所述基板上的第二像素； 设置在所述第二像素内的具有第一有源层的开关晶体管； 设置在所述第二像素内的具有第二有源层的驱动晶体管； 与在所述第二像素内的所述第二有源层交叠的第一遮光层；以及 与在所述第二像素内的所述第一有源层交叠的第二遮光层， 其中，在所述第一像素内的所述第一遮光层与在所述第二像素内的所述第一遮光层电绝缘，并且在所述第一像素内的所述第二遮光层与在所述第二像素内的所述第二遮光层电连接。
【专利摘要】公开了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置可以包括：在基板上的第一像素；设置在第一像素内的具有第一有源层的开关晶体管；设置在第一像素内的具有第二有源层的驱动晶体管；与第二有源层交叠的第一遮光层；以及与第一有源层交叠的第二遮光层，其中，第一遮光层与驱动晶体管连接，并且第二遮光层与第一遮光层电绝缘。
【IPC分类】H01L27/32, H01L23/552
【公开号】CN105321986
【申请号】CN201510479263
【发明人】崔基敏, 李玧宙, 金弘锡, 全光训
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年8月3日
【公告号】EP2980853A2, EP2980853A3, US20160035811