显示装置和用于制造显示装置的方法
【专利说明】显示装置和用于制造显示装置的方法
[0001]本申请要求于2014年8月1日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0099237号韩国专利申请的优先权和利益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002]本发明的实施例涉及一种显示装置和一种用于制造该显示装置的方法。
【背景技术】
[0003]诸如液晶显示器(IXD)和有机发光二极管(0LED)显示器的平板显示器包括一对电场产生电极和插入其间的电光活性层。液晶层作为电光活性层被包括在LCD中，有机发射层作为电光活性层被包括在0LED显示器中。
[0004]至少一个像素电极和至少一个相对电极被用以驱动电光活性层。像素电极根据像素而被分类，并且相对电极面对像素电极。相对电极可以用针对所有像素设置的共电极来取代。
[0005]使用共电极线来向共电极提供电力。共电极线通常位于像素所处的显示单元外部，并且它由具有低电阻的金属制成，以降低或防止电压降(IR-drop)。
[0006]然而，在显示装置的制造过程中重复地执行图案化工艺，这导致共电极线的损坏。
[0007]将要理解的是，此【背景技术】部分意图提供对理解这里公开的技术有用的背景，如此，技术背景部分可以包括这样的理念、构思或认识，即，这些理念、构思或认识并不是在这里所公开的主题的相应的有效申请日之前的相关领域的技术人员所知道或领会的部分。
【发明内容】
[0008]本发明的实施例的各方面涉及一种包括涂覆共电极线的端部的至少一部分的保护层的显示装置。
[0009]此外，本发明的实施例的各方面涉及一种用于制造包括涂覆共电极线的端部的至少一部分的保护层的显示装置的方法。
[0010]根据本发明的实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括:基底，包括显示区域和非显示区域；共电极线，位于非显示区域中；保护层，涂覆共电极线的端部的至少一部分。
[0011]在实施例中，共电极线包括金属。
[0012]在实施例中，显示区域包括至少一个薄膜晶体管，该至少一个薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，其中，共电极线包括与源电极和漏电极基本相同的材料。
[0013]在实施例中，保护层与共电极线的一侧边缘叠置。
[0014]在实施例中，保护层的长度大于或等于显示区域的一侧的长度。
[0015]在实施例中，保护层包括沿共电极线的方向彼此分离的第一保护层和第二保护层。
[0016]在实施例中，第一保护层和第二保护层之间的距离在大约20 μ m到大约2000 μ m的范围内。
[0017]在实施例中，第一保护层涂覆共电极线的远离显示区域设置的端部的至少一部分，第二保护层未涂覆共电极线的端部，第一保护层和第二保护层交替地布置。
[0018]在实施例中，保护层具有在大约20 μ m到大约200 μ m的范围内的宽度。
[0019]在实施例中，显示区域包括至少一个显示元件，该至少一个显示元件包括:像素电极，位于基底上；光发射层，位于像素电极上；共电极，位于光发射层上，其中，共电极结合到共电极线。
[0020]在实施例中，显示区域还包括位于基底和像素电极之间的平坦化层，其中，保护层包括与平坦化层基本相同的材料。
[0021]在实施例中，显示装置还包括位于平坦化层上以限定像素区域的像素限定层，其中，像素电极和光发射层设置在像素区域中。
[0022]在实施例中，显示装置还包括位于平坦化层上的共电极结合部，共电极结合部结合到共电极线。
[0023]在实施例中，共电极结合部包括与像素电极基本相同的材料。
[0024]根据本发明的实施例，提供了一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括:在基底上形成显示区域和非显示区域；在基底上的非显示区域中形成共电极线；形成覆盖共电极线的端部的至少一部分的保护层。
[0025]在实施例中，形成显示区域的步骤包括在基底上形成薄膜晶体管，形成薄膜晶体管的步骤包括:形成半导体层；形成与半导体层至少部分叠置的栅电极；形成结合到半导体层的源电极；形成与源电极分离并结合到半导体层的漏电极，其中，利用与形成共电极线基本相同的工艺来执行形成源电极和漏电极的步骤。
[0026]在实施例中，所述方法还包括在形成薄膜晶体管的步骤之后，在薄膜晶体管上形成平坦化层，其中，利用与形成保护层基本相同的工艺来执行形成平坦化层的步骤。
[0027]在实施例中，形成平坦化层的步骤包括:通过在薄膜晶体管上涂敷平坦化层形成材料来形成用于平坦化层的材料层；选择性地使用于平坦化层的材料层暴露于光；使用于平坦化层的暴露的材料层显影。
[0028]在实施例中，形成显示区域的步骤包括形成一个或更多个显示元件，其中，形成显示元件的步骤包括:在基底上形成像素电极；在像素电极上形成光发射层；在光发射层上形成共电极，其中，共电极结合到共电极线。
[0029]在实施例中，形成像素电极的步骤包括形成结合到共电极线的共电极结合部。
[0030]在实施例中，所述方法还包括在形成像素电极的步骤之后且在形成光发射层的步骤之前，在基底上形成像素限定层。
[0031 ] 在实施例中，保护层覆盖共电极线的一侧边缘。
[0032]在实施例中，形成保护层的步骤包括形成彼此分离的第一保护层和第二保护层。
[0033]在实施例中，第一保护层和第二保护层之间的距离在大约20 μ m到大约2000 μ m的范围内。
[0034]在实施例中，形成保护层的步骤包括形成覆盖共电极线的端部的至少一部分的第一保护层以及形成未覆盖共电极线的端部的第二保护层，第一保护层和第二保护层交替地布置。
[0035]在实施例中，保护层具有在大约20 μ m到大约200 μ m的范围内的宽度。
[0036]根据本发明的实施例，显示装置包括设置在共电极线的端部上的保护层。因此，当在显示装置的制造工艺中形成层中，层形成材料可以被均匀地涂敷以形成均一层。
[0037]此外，根据本发明的实施例，可以制造在共电极线的端部上设置有保护层的显示
目.ο
[0038]上述总结仅是说明性的，且不意图以任何方式限制。除了上述说明性的方面、实施例和特征，通过参照附图和下面的详细描述，更多的方面、实施例和特征将变得明显。
【附图说明】
[0039]通过下面的在结合附图时进行的详细描述，本发明的上述和其它方面、特征和其它改进将被更加清楚地理解，在附图中，
[0040]图1是示出根据本发明的第一示例实施例的显示装置的平面图；
[0041]图2是图1的部分“Α”的放大的局部视图；
[0042]图3是沿图2中的线1-Ι截取的剖视图；
[0043]图4是图1的部分“Α”的放大的局部视图的另一示例；
[0044]图5是图4中示出的像素的等效电路图；
[0045]图6是示出根据本发明的第二实施例的显示装置的平面图；
[0046]图7是示出根据本发明的第三实施例的显示装置的局部平面图；
[0047]图8是示出根据本发明的第四实施例的显示装置的剖视图；
[0048]图9Α至图91是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的顺序的制造工艺的剖视图；
[0049]图10Α和图10Β是示出共电极线的剖视图；
[0050]图11是示出用来制造显示装置的母玻璃的平面图；
[0051]图12是示出涂敷用来形成像素限定层的有机材料的剖视图。
【具体实施方式】
[0052]将参照附图中示出的实施例来描述本发明的各方面。然而，附图中公开的实施例和详细描述不意图限制本发明的范围。
[0053]仅为了示出本发明的实施例而选择附图。可以示意性地或夸大地示出每个元件及其形状，以帮助理解本发明。为实体产品提供的一些元件可以不被示出或者可以在附图或描述中省略。附图应该被解释为帮助理解本发明。在说明书中，相似的附图标记可以指示相似的元件。
[0054]将要理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各个元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分，而没有背离本发明构思的精神和范围。
[0055]为了便于描述，这里可以使用诸如“下面的”、“上面的”等的空间相对术语来描述图中所示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图涵盖器件在使用或操作中的除了在图中所描绘的方位之外的不同方位。器件可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，并且应当相应地解释在这里使用的空间相对描述符。另外，还将理解的是，当层称为“在”两个层“之间”