之后仍然保留其未暴露的部分。
[0147]然后，如图9H中所示，可以通过显影工艺形成具有开口 195的像素限定层(roL) 190。可以通过热固化或光固化使roL 190变成稳固层。PDL 190的形成在像素电极211上的开口 195可以与像素区域对应。此外，可以部分地暴露共电极结合部231。
[0148]然后，如图91中所示，可以在通过TOL 190的开口 195暴露的像素电极211上形成光发射层212，并且可以在光发射层212和TOL 190上形成共电极213。共电极213可以与共电极结合部231接触。
[0149]此后，可以在共电极213上形成密封构件250，从而可以制造如图3中所示的0LED显示器100。
[0150]在下文中，可以参照图10A和图10B来描述形成保护层240的原因。
[0151]图10A是示出位于层间绝缘层160上的共电极线230的剖视图。与数据布线一起形成的共电极线230可以具有如图10A中所示的正锥形的截面。
[0152]共电极线230可以由金属形成，平坦化层180可以仅形成在共电极线230的一个端部(左侧)上(见图9E)。同时，在形成共电极线230之后，可以在形成位于层间绝缘层160上的平坦化层180的工艺中执行显影，并且可以在形成位于平坦化层180上的像素电极211和共电极结合部231的工艺中执行显影和蚀刻。当重复地执行显影和蚀刻时，共电极线230的暴露的端部(右侧)可能被损坏。因此，共电极线230的暴露的端部会具有如图10B中所示的倒锥形的形状239。
[0153]此外，为了形成TOL 190，可以将光敏有机材料涂敷到像素电极211和共电极230。在这种情况下，光敏有机材料不会积聚在一定区域中，并且可以均匀地流动以形成平滑的PDL 190。如图11中所示，在利用一个母玻璃11制造多个显示装置100的工艺中，涂敷到整个母玻璃11的光敏有机材料可以在母玻璃11上均匀地流动。
[0154]在共电极线230的端部具有如图10A中所示的正锥形的形状的情况下，光敏有机材料可以容易地流下共电极线230的端部的斜坡。然而，当共电极线230的端部被损坏，从而具有如图10B中所示的倒锥形的形状239时，光敏有机材料不会容易地流下共电极线230的损坏的端部，并且会集中在共电极线230的端部中。因此，在用于像素限定层的有机材料层191中会广生台阶。
[0155]图12是示出涂覆用于像素限定层的有机材料的剖视图。如图12中所示，当从喷嘴910提供的光敏有机材料不能容易地流下共电极线230的端部时，光敏有机材料会积累在共电极线230的端部，并且积累的光敏有机材料会如利用箭头所标记地朝着显示区域101反向地流动。如上所述，当光敏有机材料积累在共电极线230的端部时，在一些示例中可以为hi的光敏有机材料的高度会变为h2或h3。直到光敏有机材料的高度变为h2或h3，积累在共电极线230的端部的光敏有机材料才会流到相邻的区域，于是在用于像素限定层的有机材料层中会产生台阶。因此，像素限定层可能无法形成为具有均一的层厚度。因此，0LED显示器100会具有低质量的光发射。
[0156]根据本发明的一些实施例，当共电极线230的端部涂覆有保护层240时，光敏有机材料可以通过保护层240容易地流动，因此，它可以累积以在共电极线230的端部具有合适的高度。因此，可以得到平坦或平滑的层。
[0157]由上可知，将理解的是，出于说明的目的，这里已经描述了本公开的各个实施例，并且在不脱离本公开的范围和精神的情况下可以做各种修改。因此，这里公开的各种实施例不意图成为限制，真正的范围和精神由权利要求及其等同物表示。
【主权项】
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括: 基底，包括显示区域和非显示区域； 共电极线，位于所述非显示区域中；以及 保护层，涂覆所述共电极线的端部的至少一部分。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述共电极线包括金属。3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，其中，所述共电极线包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料。4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层与所述共电极线的一侧边缘叠置。5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述保护层的长度大于或等于所述显示区域的一侧的长度。6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层包括沿所述共电极线的方向彼此分离的第一保护层和第二保护层。7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层之间的距离在20 μ m到2000 μ m的范围内。8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一保护层涂覆所述共电极线的远离所述显示区域设置的端部的至少一部分，并且所述第二保护层未涂覆所述共电极线的端部，所述第一保护层和所述第二保护层交替地布置。9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层具有在20μ m到200 μ m范围内的宽度。10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域包括至少一个显示元件，所述至少一个显示元件包括: 像素电极，位于所述基底上； 光发射层，位于所述像素电极上； 共电极，位于所述光发射层上， 其中，所述共电极结合到所述共电极线。11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域还包括位于所述基底和所述像素电极之间的平坦化层，其中，所述保护层包括与所述平坦化层相同的材料。12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括位于所述平坦化层上以限定像素区域的像素限定层， 其中，所述像素电极和所述光发射层设置在所述像素区域中。13.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括位于所述平坦化层上的共电极结合部，所述共电极结合部结合到所述共电极线。14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述共电极结合部包括与所述像素电极相同的材料。15.一种用于制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括: 在基底上形成显示区域和非显示区域； 在所述基底上的所述非显示区域中形成共电极线；以及 形成覆盖所述共电极线的端部的至少一部分的保护层。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，形成所述显示区域的步骤包括在所述基底上形成薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的步骤包括: 形成半导体层； 形成与所述半导体层至少部分叠置的栅电极； 形成结合到所述半导体层的源电极；以及 形成与所述源电极分离并结合到所述半导体层的漏电极， 其中，利用与形成所述共电极线相同的工艺来执行形成所述源电极和所述漏电极的步骤。17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述薄膜晶体管的步骤之后，在所述薄膜晶体管上形成平坦化层， 其中，利用与形成所述保护层相同的工艺来执行形成所述平坦化层的步骤。18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，形成所述平坦化层的步骤包括: 通过在所述薄膜晶体管上涂敷平坦化层形成材料来形成用于所述平坦化层的材料层； 选择性地使用于所述平坦化层的所述材料层暴露于光；以及 使用于所述平坦化层的暴露的材料层显影。19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，形成所述显示区域的步骤包括形成一个或更多个显示元件， 其中，形成显示元件的步骤包括: 在所述基底上形成像素电极； 在所述像素电极上形成光发射层；以及 在所述光发射层上形成共电极， 其中，所述共电极结合到所述共电极线。20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，形成所述像素电极的步骤包括形成结合到所述共电极线的共电极结合部。21.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述像素电极的步骤之后且在形成所述光发射层的步骤之前，在所述基底上形成像素限定层。22.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述保护层覆盖所述共电极线的一侧边缘。23.如权利要求15所述的方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括形成彼此分离的第一保护层和第二保护层。24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层之间的距离在20 μ m到2000 μ m的范围内。25.如权利要求23所述的方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括形成覆盖所述共电极线的所述端部的至少一部分的第一保护层以及形成未覆盖所述共电极线的所述端部的第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层交替地布置。26.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述保护层具有在20μ m到200 μ m的范围内的宽度。
【专利摘要】提供了显示装置和用于制造该显示装置的方法。显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；共电极线，位于非显示区域中；保护层，涂覆共电极线的端部的至少一部分。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN105321985
【申请号】CN201510461261
【发明人】权昭罗, 高在庆
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年7月30日
【公告号】US20160035761