以电连接到驱动TFT T1的源电极和第一电源线ELVDD。
[0117]驱动TFT T1可以根据开关TFT T2的开关操作来接收数据信号，以向0LED传输驱动电流。
[0118]驱动TFT T1的栅电极可以连接到第一电容器Cl的一个电极。第一电容器C1的另一电极可以连接到第一电源线ELVDD。
[0119]第一电源线ELVDD可以被设置成与数据线DATA[m]平行。驱动TFT T1的漏电极可以电连接到0LED的阳极211。第二电源线ELVSS可以连接到0LED的阴极213。因此，0LED可以通过接收来自驱动TFT T1的驱动电流来发射光。
[0120]0LED可以包括注入空穴的阳极211、注入电子的阴极213以及设置在阳极211和阴极213之间的光发射层212。
[0121]在下文中，将参照图5来更详细地描述用于图4中示出的像素的操作过程。
[0122]首先，当TFT T4根据通过扫描线SCAN[n-l]传输的扫描信号而处于导通状态时，初始化电压VIN可以提供至第一电容器C1的一端和驱动TFT T1的栅电极。
[0123]然后，开关TFT T2和补偿TFT T3可以根据通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号而导通。当开关TFT T2和补偿TFT T3处于导通状态时，通过数据线DATA[m]传输的数据电压可以被传输至驱动TFT T1的源电极，驱动TFT T1可以是二极管连接(d1de-connected) ο
[0124]随后，通过从数据电压减去驱动TFT T1的阈值电压而获得的电压可以施加到驱动TFT T1的栅电极和源电极。
[0125]然后，TFT T5和T6可以通过经由发射控制线EM[n]传输的发射控制信号而导通，驱动TFT T1的栅电极的电压可以因通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号的增加而增大。
[0126]当两个TFT T5和T6处于导通状态时，第一电源线ELVDD的电压可以提供至驱动TFT T1的源电极，根据栅极-源极电压差的驱动电流可以流到驱动TFT Tlo驱动电流可以通过导通的TFT T6传输到0LED的阳极。
[0127]在下文中，将参照图6来描述本发明的第二实施例，并且为了避免重复，可以仅对第一实施例和第二实施例之间的不同进行描述，而不重复描述第一实施例的组件。
[0128]根据第二实施例，0LED显示器200包括位于显示区域101的左侧和右侧的共电极线230a和230b。0LED显示器200还可以包括被构造成涂覆共电极线230a的一部分的保护层240a和被构造成涂覆共电极线230b的一部分的保护层240b。在这种情况下，保护层240a和240b可以与显示区域101的一侧的长度同样长，或者可以比显示区域101的一侧的长度长。保护层240a和240b的长度可以根据显示区域101的长度来变化。保护层240a和240b可以覆盖共电极线230a和230b的一侧边缘。
[0129]在下文中，将参照图7来描述本发明的第三实施例，为了避免重复，可以仅对上述实施例和第三实施例之间的不同进行描述，而不再重复描述第一实施例的组件。
[0130]图7是示出根据本发明的第三实施例的0LED显示器300的局部平面图。
[0131]根据第三实施例，0LED显示器300包括沿共电极线230以z字形形式设置的第一保护层241和第二保护层242。保护层240(241、242)可以涂覆共电极线230的与密封区域220相邻的端部的至少一部分。在该实施例中，第一保护层241和第二保护层242可以交替地设置在共电极线230上，其中，第一保护层241涂覆共电极线230的与密封区域220相邻的端部，第二保护层242未涂覆共电极线230的所述端部。
[0132]第一保护层241和第二保护层242可以分别具有在大约20 μm到大约2000 μπι的范围内或者更大的长度。第一保护层241和第二保护层242之间的距离可以在大约20 μπι到大约2000 μπι的范围内或者更大。第一保护层241和第二保护层242可以分别具有在大约20 μπι到大约100 μm的范围内的宽度，或者宽度可以分别比100 μπι大。
[0133]在下文中，将参照图8来描述本发明的第四实施例，为了避免重复，可以仅对上述实施例和第四实施例之间的不同进行描述，而不再重复描述第一实施例的组件。
[0134]根据第四实施例，0LED显示器400包括与共电极结合部231和共电极线230叠置的像素限定层(PDL)190。TOL 190可以具有形成在与共电极结合部231对应的区域中的接触开口(例如，孔)199。共电极213和共电极结合部231可以通过接触开口(例如，孔)199彼此结合，因此，提供到共电极线230的电力可以传输到共电极213。
[0135]在下文中，将参照图9A至图91来描述制造根据第一实施例的0LED显示器100的方法。用于制造0LED显示器100的方法可以包括在基底110上形成显示区域101和非显示区域102，可以在非显示区域102中形成共电极线230和保护层240。
[0136]如图9A中所示，可以在由玻璃或塑料制成的基底110上形成缓冲层120，可以在缓冲层120上形成半导体层132，可以在半导体层132上形成栅极绝缘层140，可以在栅极绝缘层140上形成包括栅电极155和第一电容器板158的栅极布线，可以将层间绝缘层形成材料涂敷到栅极布线，以形成用于层间绝缘层的材料层161。
[0137]然后，如图9B中所示，可以部分地去除用于(例如，组成)层间绝缘层160的材料层161和栅极绝缘层140，以形成使半导体层132的源极区域的一部分和漏极区域的一部分暴露的源极接触开口(例如，孔)166和漏极接触开口(例如，孔)167。
[0138]然后，如图9C中所示，可以形成源电极176和漏电极177，也可以形成数据线171、第二电容器板178和电源线172，使得可以形成数据布线，其中，源电极176和漏电极177通过源极接触开口(例如，孔)166和漏极接触开口(例如，孔)167结合到半导体层132。另夕卜，可以在非显示区域102的层间绝缘层160上形成共电极线230。可以通过与源电极176和漏电极177基本相同的工艺由与源电极176和漏电极177基本相同的材料形成共电极线
230。
[0139]然后，如图9D中所示，可以将平坦化层形成材料涂敷到数据布线和共电极线230，以形成用于平坦化层的材料层181，然后可以利用图案掩模810来执行光刻。换言之，利用图案掩模810对材料层181执行光刻，以形成平坦化层。平坦化层形成材料的示例可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(Si02)或光敏树脂。
[0140]图案掩模810可以包括掩模基底811和位于掩模基底811上的遮光图案812。可以在显影工艺中去除用于平坦化层的材料层181的暴露的部分，并且可以在显影工艺之后保留用于平坦化层的材料层181的未暴露的部分。在这种情况下，根据平坦化层形成材料的种类，暴露的部分可以被去除，而未暴露的部分可以保留。
[0141]然后，如图9E中所示，可以通过显影工艺和固化工艺来形成具有像素接触开口(例如，孔)182的平坦化层180和保护层240。固化工艺可以包括热固化或光固化。通过固化工艺可以使平坦化层180和保护层240变成稳固层。平坦化层180可以覆盖共电极线230的朝着显示区域101设置的端部，保护层240可以覆盖共电极线230的朝着密封区域220设置的端部。
[0142]如图9F中所示，可以在平坦化层180上形成像素电极211和结合到共电极线230的共电极结合部231。像素电极211可以通过像素接触开口(例如，孔)结合到驱动TFT 20的漏电极177。可以通过与像素电极211基本相同的工艺由与像素电极211基本相同的材料来形成共电极结合部231。
[0143]在一个实施例中，可以通过包括以下步骤的方法来形成像素电极211和共电极结合部231:通过在平坦化层180和共电极线230上形成金属层并将透明导电氧化物层层压在金属层上来形成导电材料层；图案化导电材料层。
[0144]然后，如图9G中所示，可以将光敏有机材料涂敷到像素电极211、共电极结合部
231、暴露的共电极线230和暴露的平坦化层180的全部表面，以形成用于像素限定层的有机材料层191，然后可利用图案掩模820来执行光刻。换言之，利用图案掩模820对有机材料层191执行光刻，以形成像素限定层。
[0145]光敏有机材料的示例可以包括聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂。为了形成用于像素限定层的有机材料层191，可以使用狭缝喷嘴来涂敷诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的光敏有机材料。保护层240可以形成在共电极线230上，因此光敏有机材料可以不聚集在共电极线230的端部中，并且可以容易地流出。因此，可以以均一的方式来形成用于像素限定层的有机材料层191。
[0146]图案掩模820可以包括掩模基底821和位于掩模基底821上的遮光图案822。可以在显影工艺中去除用于像素限定层的有机材料层191的暴露的部分，并且可以在显影工艺