中，该导电柱22的端面22a齐平该第一绝缘层23的第二表面23b ;于另一实施例中，该导电柱52的端面52a齐平该第一绝缘层53的第一表面53a。
[0155]于一实施例中，该第二线路层24，54未显露于该第二绝缘层26，56的表面。
[0156]于一实施例中，形成该第二绝缘层26，56的材质为铸模化合物、底层涂料或介电材料。
[0157]于一实施例中，该第二绝缘层26，56上还形成有多个凹部37，47，57’，且各该凹部37，47，57’位于各该外接柱25，55之间。又，该凹部37的深度d小于该凹槽27的深度t ；或者，该凹部47，57’的深度d’等于该凹槽27，57的深度t。
[0158]于一实施例中，该第二绝缘层26沿该外接柱25的侧面25c成型。
[0159]于一实施例中，所述的中介基板5’，5”还包括一绝缘保护层58，58’，其形成于该第一绝缘层53的第一表面53a与该第一线路层51上，且令该绝缘保护层58，58’外露该第一线路层51的部分表面。
[0160]于一实施例中，所述的中介基板2’，3’，4’还包括一支撑结构20’，其设于该第一绝缘层23的第一表面23a上。
[0161]综上所述，本发明中介基板及其制法，主要应用在细间距及高脚数的封装堆叠结构的产品上，且在产品朝轻薄短小、功能越强、越快及储存量愈高时，更需使用到本发明的中介基板。
[0162]此外，本发明的中介基板可通过该外接柱结合逻辑封装件或存储器封装件，且可通过该第一线路层结合逻辑封装件或存储器封装件。
[0163]上述实施例仅用于例示性说明本发明的原理及其效果，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
【主权项】
1.一种中介基板，其特征在于，包括: 一第一绝缘层，其具有相对的第一表面与第二表面； 一第一线路层，其形成于该第一绝缘层的第一表面上； 多个导电柱，其形成于该第一绝缘层中并电性连接该第一线路层； 一第二线路层，其形成于该第一绝缘层的第二表面上并电性连接该导电柱； 多个外接柱，其设于该第二线路层上并电性连接该第二线路层；以及一第二绝缘层，其形成于该第一绝缘层的第二表面与第二线路层上，且包围各该外接柱的周围并外露该些外接柱，又该第二绝缘层上形成有至少一用于容置电子元件的凹槽。2.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，形成该第一绝缘层的材质为铸模化合物、底层涂料或介电材料。3.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该第一线路层的表面低于该第一绝缘层的第一表面。4.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该导电柱的端面齐平该第一绝缘层的第一表面。5.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该导电柱的端面齐平该第一绝缘层的第二表面。6.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该第二线路层嵌埋于该第一绝缘层的第二表面上。7.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该第二线路层未显露于该第二绝缘层的表面。8.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，形成该第二绝缘层的材质为铸模化合物、底层涂料或介电材料。9.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该第二绝缘层上还形成有多个凹部，且各该凹部位于各该外接柱之间。10.如权利要求9所述的中介基板，其特征在于，该凹部的深度小于或等于该凹槽的深度。11.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该第二绝缘层沿该外接柱的侧面成型。12.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该中介基板还包括一绝缘保护层，其形成于该第一绝缘层的第一表面与该第一线路层上，且令该绝缘保护层外露该第一线路层的部分表面。13.如权利要求1所述的中介基板，其特征在于，该中介基板还包括一支撑结构，其设于该第一绝缘层的第一表面上。14.一种中介基板的制法，其特征在于，包括: 提供具有一第一线路层的一承载板，且该第一线路层上具有多个导电柱； 形成一第一绝缘层于该承载板上，其中，该第一绝缘层具有相对的第一表面与第二表面，使该第一绝缘层通过其第一表面结合至该承载板上，且该导电柱外露于该第一绝缘层的第二表面； 形成一第二线路层于该第一绝缘层的第二表面与该些导电柱上； 形成多个外接柱于该第二线路层上，并令该第二线路层电性连接该外接柱与该导电柱； 形成一第二绝缘层于该第一绝缘层的第二表面、外接柱与第二线路层上，且令该第二绝缘层外露该些外接柱； 形成一凹槽于该第二绝缘层上；以及 移除该承载板，使该第一线路层外露于该第一绝缘层的第一表面。15.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，该第一绝缘层以铸模方式、涂布方式或压合方式形成于该承载板上。16.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，该第一线路层的表面低于该第一绝缘层的第一表面。17.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，该导电柱的端面齐平该第一绝缘层的第二表面。18.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，该第二绝缘层以铸模方式、涂布方式或压合方式形成于该承载板上。19.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，该制法还包括形成凹部于该第二绝缘层上，且该凹部位于各该外接柱之间。20.如权利要求19所述的中介基板的制法，其特征在于，该凹部的深度小于或等于该凹槽的深度。21.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，该第二绝缘层沿该外接柱的侧面成型。22.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，移除全部该承载板。23.如权利要求14所述的中介基板的制法，其特征在于，移除部分该承载板，使保留的该承载板作为支撑结构。24.—种中介基板的制法，其特征在于，包括: 提供具有多个外接柱的一承载板，且各该外接柱之间具有一第二绝缘层； 形成一第二线路层于该第二绝缘层与该些外接柱上，再于该第二线路层上形成多个导电柱； 形成一第一绝缘层于该第二绝缘层、外接柱、导电柱与第二线路层上，其中，该第一绝缘层具有相对的第一表面与第二表面，供该第一绝缘层通过其第二表面结合至该第二绝缘层上； 形成一第一线路层于该第一绝缘层的第一表面上，使该导电柱电性连接该第一线路层与第二线路层； 移除该承载板，以外露出该外接柱后，形成一凹槽于该第二绝缘层上。25.如权利要求24所述的中介基板的制法，其特征在于，于提供该承载板时，各该外接柱之间还具有一阻层，且该第二绝缘层设于该阻层上。26.如权利要求25所述的中介基板的制法，其特征在于，于移除该承载板后，再移除该阻层，以形成该凹槽。27.如权利要求26所述的中介基板的制法，其特征在于，该制法还包括移除该阻层后，形成凹部于各该外接柱之间。28.如权利要求24所述的中介基板的制法，其特征在于，该第二线路层嵌埋于该第一绝缘层的第二表面上。29.如权利要求24所述的中介基板的制法，其特征在于，该第一绝缘层以铸模方式、涂布方式或压合方式形成者。30.如权利要求24所述的中介基板的制法，其特征在于，该第二绝缘层以铸模方式、涂布方式或压合方式形成者。31.如权利要求24所述的中介基板的制法，其特征在于，该导电柱的端面齐平该第一绝缘层的第一表面。32.如权利要求24所述的中介基板的制法，其特征在于，该制法还包括形成凹部于该第二绝缘层上，且该凹部位于各该外接柱之间。33.如权利要求27或32的其中一者所述的中介基板的制法，其特征在于，该凹部的深度等于该凹槽的深度。34.如权利要求24所述的中介基板的制法，其特征在于，该制法还包括形成一绝缘保护层于该第一线路层与该第一绝缘层的第一表面上，且该绝缘保护层外露该第一线路层的部分表面。
【专利摘要】一种中介基板及其制法，该制法为先提供具有第一线路层的承载板，且该第一线路层上具有多个导电柱，再形成第一绝缘层于该承载板上并露出该导电柱，接着形成第二线路层于该第一绝缘层与该导电柱上，再形成多个外接柱于该第二线路层上，之后形成第二绝缘层于该第一绝缘层上且外露该外接柱，再形成凹槽于该第二绝缘层上，最后移除该承载板，通过形成无核心层的中介基板于该承载板上，所以可省略通孔制程，以降低整体制程的成本，且制程简易。
【IPC分类】H01L21/48, H01L23/498
【公开号】CN105405835
【申请号】CN201410527274
【发明人】周保宏, 许诗滨, 许哲玮
【申请人】恒劲科技股份有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2014年10月9日
【公告号】US9338900, US20160073516