它们可W允许远程访问晶片处理。计算机可W启用对系统 的远程访问W监测制造操作的当前进程，检查过去的制造操作的历史，检查多个制造操作 的趋势或性能标准，改变当前处理的参数，设置处理步骤W跟随当前的处理或者开始新的 工艺。在一些实例中，远程计算机（例如，服务器）可W通过网络给系统提供工艺配方，网 络可W包括本地网络或互联网。远程计算机可W包括允许输入或编程参数和/或设置的用 户界面，该参数和/或设置然后从远程计算机通信到系统。在一些实例中，控制器接收数据 形式的指令，该指令指明在一个或多个操作期间将要执行的每个处理步骤的参数。应当理 解，参数可W针对将要执行的工艺类型W及工具类型，控制器被配置成连接或控制该工具 类型。因此，如上所述，控制器可W例如通过包括一个或多个分立的控制器而分布，运些分 立的控制器通过网络连接在一起并且朝着共同的目标（例如，本文所述的工艺和控制）工 作。用于运些目的的分布式控制器的实例可W是与结合W控制室内工艺的一个或多个远程 集成电路（例如，在平台水平或作为远程计算机的一部分）通信的室内的一个或多个集成 电路。
[0074] 不希望限制，示例的系统可W包括等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转 清洁室或模块、金属电锻室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积 (PVD)室或模块、化学气相沉积（CVD)室或模块、原子层沉积（ALD)室或模块、原子层蚀刻 (AL巧室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、W及在半导体晶片的制备和/或制造 中可W关联上或使用的任何其他的半导体处理系统。
[00巧]如上所述，根据工具将要执行的一个或多个工艺步骤，控制器可W与一个或多个 其他的工具电路或模块、其他工具组件、组合工具、其他工具界面、相邻的工具、邻接工具、 位于整个工厂中的工具、主机、另一个控制器、或者将晶片的容器搬运到半导体制造工厂中 的工具位置和/或装载口W及从工具位置或装载口搬运晶片的容器的材料搬运中使用的 工具通信。
[0076] 虽然为了清楚理解而在一定程度上详细描述了上述发明，但显而易见的是，某些 变化和修改可在所附权利要求的范围内实施。因此，本实施例应被认为是说明性的而不是 限制性的，并且本发明并不限于运里给出的细节，而是可W在所附权利要求的范围和等同 物内进行修改。
【主权项】
1. 一种用于清洁等离子体工艺室部件的方法，其包括： 从所述等离子体工艺室拆除待清洁的所述部件，所拆除的所述部件包括沉积在所述部 件上的至少一种材料； 对所拆除的所述部件实施基本清洁工艺； 从所拆除的所述部件去除油污； 去除沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料，以产生清洁的部件；以及 干燥所述清洁的部件。2. 如权利要求1所述的方法，其中，去除沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种 材料包括： 将加热的氧化溶液施加到沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料，以氧化沉 积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料的第一部分； 将剥离溶液施加到所拆除的所述部件上，以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材 料的被氧化的所述第一部分；以及 施加蚀刻溶液，以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的第二部分。3. 如权利要求2所述的方法，其中，所述氧化溶液包括氢氧化钾（KOH)。4. 如权利要求2所述的方法，其中，所述氧化溶液包括高锰酸钾（KMnO4)。5. 如权利要求2所述的方法，其中，所述氧化溶液包括氢氧化钾（K0H)和高锰酸钾 (ΚΜη04)的混合物。6. 如权利要求2所述的方法，其中，所述氧化溶液包括比例为约5份氢氧化钾（K0H)比 约2份高锰酸钾（ΚΜη04)的氢氧化钾（K0H)和高锰酸钾（ΚΜη04)的混合物。7. 如权利要求2所述的方法，其中，所述剥离溶液包括氢氟酸（HF)。8. 如权利要求2所述的方法，其中，所述剥离液包括硝酸（HN0 3)。9. 如权利要求2所述的方法，其中，所述剥离溶液包括氢氟酸（HF)和硝酸（ΗΝ03)的混 合物。10. 如权利要求2所述的方法，其中，所述剥离溶液包括比例为约1份氢氟酸（HF)比约 1份硝酸（ΗΝ03)的氢氟酸（HF)和硝酸（ΗΝ03)的混合物。11. 如权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括氢氟酸（HF)。12. 如权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括硝酸（HN0 3)。13. 如权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括乙酸（HAc)。14. 如权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括氢氟酸（HF)、硝酸（ΗΝ03)和乙 酸（HAc)的混合物。15. 如权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括氢氟酸（HF)、硝酸（ΗΝ03)和 乙酸（HAc)的混合物，其比例为约1份氢氟酸（HF)、约7. 5份硝酸（ΗΝ03)和约3. 7份乙酸 (HAc)〇16. 如权利要求2所述的方法，其中，所述氧化溶液、所述剥离溶液和/或所述蚀刻溶液 中的至少一种用水稀释。17. 如权利要求2所述的方法，其进一步包括： 在等离子体工艺室中安装所述清洁的部件； 在所述等离子体工艺室中设置衬底；以及 对所述衬底实施等离子体工艺。18. -种用于清洁等离子体工艺室部件的方法，其包括： 从所述等离子体工艺室拆除要清洁的所述部件，所拆除的所述部件包括沉积在所述部 件上的至少一种材料； 对所拆除的所述部件实施基本清洁工艺； 从所拆除的所述部件去除油污； 去除沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料以产生清洁的部件包括： 将加热的氧化溶液施加到沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料，以氧化沉 积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料的第一部分，其中所述氧化溶液包括比例为 在约5份氢氧化钾（KOH)比约2份高锰酸钾（ΚΜη04)之间的氢氧化钾（KOH)和高锰酸钾 (ΚΜη04)的混合物； 将剥离溶液施加到所拆除的所述部件上，以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材 料的被氧化的所述第一部分，其中所述剥离溶液包括氢氟酸（HF)和硝酸（ΗΝ03)的混合物， 其比例为约1份氢氟酸（HF)比约1份硝酸（ΗΝ03);以及 施加蚀刻溶液，以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的第二部分，其中所述 蚀刻溶液包括氢氟酸（HF)、硝酸（ΗΝ03)和乙酸（HAc)的混合物，其比例为约1份氢氟酸 (HF)、约7. 5份硝酸（ΗΝ03)和约3. 7份乙酸（HAc);以及干燥所述清洁的部件。19. 一种等离子体工艺室部件，其包括： 蚀刻的表面，所述蚀刻的表面被蚀刻，以去除沉积在所述等离子体工艺室部件上的至 少一种材料，其中，蚀刻所述蚀刻的表面包括： 将加热的氧化溶液施加到沉积在所述等离子体工艺室部件上的所述至少一种材料，以 氧化沉积在所述等离子体工艺室部件上的所述至少一种材料的第一部分，其中所述氧化溶 液包括氢氧化钾（KOH)和高锰酸钾（ΚΜη04)的混合物； 将剥离溶液施加到所述等离子体工艺室部件上，以从所述等离子体工艺室部件去除 所述至少一种材料的被氧化的所述第一部分，其中所述剥离溶液包括氢氟酸（HF)和硝酸 (HN03)的混合物；以及 施加蚀刻溶液，以从所述等离子体工艺室部件去除所述至少一种材料的第二部分，其 中所述蚀刻溶液包括氢氟酸（HF)、硝酸（ΗΝ03)和乙酸（HAc)的混合物；以及 干燥所述清洁的部件。
【专利摘要】本发明涉及用于清洁等离子体工艺室部件的湿法清洁工艺。一种用于清洁等离子体工艺室部件的系统和方法，包括：从所述等离子体工艺室拆除部件，所拆除的所述部件包括沉积在所述部件的表面上的材料。将加热的氧化剂溶液施加到沉积在所述部件上的所述材料中，以氧化第一部分沉积材料。将剥离溶液施加到部件中，以去除所述沉积材料的被氧化的第一部分。施加蚀刻溶液，以去除所述沉积材料的第二部分，所述清洁的部件可以被冲洗和干燥。
【IPC分类】H01L21/02, H01J37/32
【公开号】CN105428210
【申请号】CN201510593168
【发明人】阿门·阿沃扬, 肯尼特·贝隆
【申请人】朗姆研究公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年9月17日
【公告号】US20160079096