C(5nm)/Ir(piq)3(0.2nm)/Ir(ppy)3(0.5nm)/TAPC (3.5nm)/DSA-ph(0.5nm)/TmPyPB(35nm)/LiF(lnm)/Al(200nm)〇
[0131]如图6所示，该器件B的结构依次由以下功能层叠加：
[0132]基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红色磷光层、绿色磷光层、间隔层、蓝色荧光 层、电子传输层、电子注入层、阴极。
[0133]上述基板为玻璃。
[0134]上述阳极为ΙΤ0薄膜。
[0135]上述空穴注入层为60nm厚的HAT-CN薄膜。
[0136]上述空穴传输层包括依次层叠的空穴传输层1和空穴传输层2,所述空穴传输层1 为15nm厚的NPB薄膜，所述空穴传输层2为5nm厚的TAPC薄膜。
[0137] 上述红色磷光层为0.2nm厚的11'化丨9)3薄膜。
[0138] 上述绿色磷光层为0.2nm厚的Ir(ppy)3薄膜。
[0139]上述间隔层为3.5nm厚的TAPC薄膜。
[0140]上述蓝色荧光层为0 · 4nm厚的DSA-ph薄膜。
[0141 ] 上述电子传输层为35nm厚的TmPyPB薄膜。
[0142]上述电子注入层为lnm厚的LiF薄膜。
[0143]上述阴极为200nm厚的A1薄膜。
[0144]该模拟太阳光的有机电致发光器件B通过以下方法制备：
[0145]1、在基板上以溅射方法制备ΙΤ0薄膜作为阳极。
[0146]2、再在阳极上以真空蒸镀方法制备60nm的HAT-CN作为空穴注入层。
[0147]3、在上述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备15nm厚度的NPB薄膜作为空穴传输层 1〇
[0148]4、在上述空穴注入层1上以真空蒸镀方法制备5nm厚度的TAPC薄膜作为空穴传输 层2。
[0149]5、在上述空穴注入层2上以真空蒸镀方法制备0.2nm厚度的Ir(piq)3薄膜作为红 色憐光层。
[0150] 6、在上述红色磷光层以真空蒸镀方法制备0.2nm厚度的Ir(ppy)3薄膜作为绿色磷 光层。
[0151] 7、在上述绿色磷光层上以真空蒸镀方法制备3.5nm厚度的TAPC薄膜作为间隔层。
[0152] 8、在上述间隔层上以真空蒸镀方法制备0.4nm厚度的DSA-ph薄膜作为蓝色荧光 层。
[0153] 9、在上述蓝色荧光层上以真空蒸镀方法制备35nm厚度的TmPyPB薄膜作为电子传 输层。
[0154] 10、在上述电子传输层上以真空蒸镀方法制备lnm的LiF薄膜作为电子注入层。
[0155] 11、在上述电子注入层上以真空蒸镀方法制备200nm的A1薄膜作为阴极。
[0156] 对上述制备得到的器件B的性能进行检测，该器件B能够非常有效的产生太阳光。
[0157] 并且该器件B的制备工艺中，不涉及任何掺杂技术的使用，具有工艺简便、成本低 的优点。
[0158] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实 施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存 在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0159] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来 说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护 范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种模拟太阳光的有机电致发光器件，包括基板、阳极、阴极和介于所述阳极与所述 阴极之间的有机功能层;其特征在于，所述有机功能层包括蓝色荧光层、磷光层和间隔层， 所述间隔层将蓝色荧光层与磷光层隔开;所述蓝色荧光层由发光波长小于500nm的非掺杂 发光材料制成，所述磷光层包括红色磷光层，所述红色磷光层由发光波长大于585nm的非掺 杂发光材料制成，所述间隔层由空穴迀移率大于电子迀移率的空穴型有机半导体材料中的 至少一种构成。2. 根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于，所述间隔层材 料的三线态能级大于所述蓝色荧光层材料和所述磷光层材料的三线态能级。3. 根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极与所 述有机功能层之间还依次设有层叠的空穴注入层和空穴传输层，所述阴极与所述有机功能 层之间还依次设有层叠的电子注入层和电子传输层;所述蓝色荧光层位于间隔层靠近电子 传输层一侧，所述磷光层位于间隔层靠近空穴传输层一侧。4. 根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝色荧光 层发光材料的三线态能级高于所述磷光层发光材料的三线态能级。5. 根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝色荧光 层的发光材料选自：4,4'_二(2,2_二苯乙烯基联苯、4,4'_双[4-(二对甲苯基氨基） 苯乙烯基]联苯、Ν，Ν'_二苯基-Ν，Ν'-(1-萘基联苯-4,4'-二胺、Ν，Ν'_二苯基-Ν，Ν'_ 二(3-甲基苯基)-1，Γ-联苯-4,4'_二胺、式I化合物、式II化合物、式III化合物、和式IV化 合物中的至少一种；所述红色磷光层的发光材料选自：三（1-苯基-异喹啉)合铱（III)、（乙酰丙酮)双(2-甲 基二苯并[F，H]喹喔啉)合铱、和N，N'_二苯基-N，N'_二(3-甲基苯基联苯-4,4'-二 胺中的至少一种； 所述间隔层的材料选自：4,4'_环己基二[Ν，Ν-二（4-甲基苯基）苯胺]、（Ν，Ν'_二苯基-Ν，Ν'-(1-萘基联苯-4,4'-二胺）、4,4'，4'-三(咔唑-9-基)三苯胺川少'-二苯基，， Ν'-二(3-甲基苯基联苯-4,4'-二胺、式I化合物、和4,4'，4'_三(Ν-3-甲基苯基-N- 苯基氨基)三苯胺中的至少一种。6. 根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝色荧光 层的厚度为〇 · Inm-IOnm，所述红色磷光层的厚度为O · lnm-20nm，所述间隔层的厚度为Inm-6nm〇7. 根据权利要求1-6任一项所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于，所述 磷光层还包括绿色磷光层和/或黄色磷光层，所述绿色磷光层由发光波长位于500nm-545nm 的非掺杂发光材料制成，所述黄色磷光层由发光波长位于545nm-585nm的非掺杂发光材料 制成。8. 根据权利要求7所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于，所述红色磷光 层与所述绿色磷光层或黄色磷光层之间设有磷光间隔层，所述磷光间隔层由同时具有电子 和空穴两种载流子的双极性有机半导体材料中的至少一种，或空穴迀移率大于电子迀移率 的空穴型有机半导体材料中的至少一种构成;且所述磷光间隔层材料的三线态能级高于所 述红色磷光层材料的三线态能级。9. 根据权利要求8所述的模拟太阳光的有机电致发光器件，其特征在于， 所述绿色磷光层的发光材料选自：三(2-苯基吡啶)合铱，和式V化合物中的至少一种；所述黄色磷光层的发光材料选自：式VI化合物，和式VII化合物中的至少一种；所述磷光间隔层的材料选自：4,4'_环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]、式VIII化合 物，和式IX化合物中的至少一种：10.权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括 以下步骤:在基板上依次制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、磷光层、间隔层、蓝色荧光层、 电子传输层、电子注入层和阴极。
【专利摘要】本发明涉及一种模拟太阳光的有机电致发光器件及其制备方法，属于电致发光器件技术领域。该器件包括基板、阳极、阴极和介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层；所述有机功能层包括蓝色荧光层、磷光层和间隔层，所述间隔层将蓝色荧光层与磷光层隔开；所述蓝色荧光层由发光波长小于500nm的非掺杂发光材料制成，所述磷光层包括红色磷光层，所述红色磷光层由发光波长大于585nm的非掺杂发光材料制成，所述间隔层由空穴迁移率大于电子迁移率的空穴型有机半导体材料中的至少一种构成。该有机电致发光器件具有太阳光的CCT特性，并且可通过非掺杂技术制备得到，具有结构简单、制备工艺要求低的优点。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/50, H01L51/56, H01L51/54
【公开号】CN105449109
【申请号】CN201511017376
【发明人】罗东向, 刘佰全, 兰林锋, 范林勇, 蒋春旭, 刘群兴, 杨林, 徐华伟, 陈玉明
【申请人】工业和信息化部电子第五研究所, 华南理工大学
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年12月28日