4之间通过隔离柱105实现彼此绝缘，所述平坦化层106的上端与所述隔离柱105的顶端共同形成连续平面结构，所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。
[0038]作为另一种实施方式，相邻的所述第二电极层104之间通过隔离柱105实现彼此绝缘，所述平坦化层106填充在隔离柱105之间并覆盖所述隔离柱105后，其上端形成连续平面结构，所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。
[0039]所述导电基板包括基板101和设置在所述基板101上的第一电极层102，所述第一电极层102上设置有若干形成连续网格结构的像素限定层108，所述的网格结构中填充有机功能层103，所述像素限定层108上方设置有隔离柱105，所述隔离柱105将相邻有机功能层103上的第二电极层104彼此隔离绝缘。
[0040]所述平坦化层106的透光率>70%，折射率为1.4-2.3，所述的平坦化层106是由有机材料和/或无机材料制备而成。
[0041]所述的平坦化层可以是小分子有机材料:优选分子量在500-1000之间，材料禁带宽度在2.0-3.0^间。例如即8^1^3、了80、？80工8?等等，该类材料可以通过真空热蒸镀的方式进行制备。
[0042]所述平坦化层可以为聚合物材料:例如亚克力、泰富龙、聚酰亚胺等。该类材料可以通过打印、丝印、热沉积等方式制备。
[0043]所述平坦化层可以为无机材料:如ZnSe、Mo03、W03中的一种或多种制备而成。该类材料可以通过真空热蒸镀、溅射等方式制备。
[0044]所述的平坦化层可以由聚氢硅氮烷类材料、其衍生物或聚氢硅氮烷类材料组合物制备而成的一体结构。聚氢硅氮烷分子式为:[SiH2NH]n;所述聚氢硅氮烷类材料组合物包括聚氢硅氮烷类材料、光固化剂和光引发剂。
[0045]根据平坦化层106的厚度和使用的材料的不同，具有下述实施例。
[0046]实施例1
[0047]如图1所示，本实施例的薄膜封装的0LED屏体，包括基板101和设置在所述基板101上的第一电极层102(阳极)，所述第一电极层102上设置有若干形成连续网格结构的像素限定层108，所述的网格结构中填充有机功能层103，所述像素限定层108上方设置有隔离柱105，所述隔离柱105将相邻有机功能层103上的第二电极层104(阴极)彼此隔离绝缘。所示的有机功能层103包括堆叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，其中空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以省略一层或多层。
[0048]所述第二电极层104的上方设置有平坦化层106，所述的平坦化层106填充在所述的隔离柱105之间并覆盖所述隔离柱105后，其上端形成连续平面结构，所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。所述的平坦化层是由分子量在500-1000之间，材料禁带宽度在2.0-3.0^间，例如即8^1^3、了80、？80工8?等等，该类材料可以通过真空热蒸镀的方式进行制备；可以为聚合物材料:例如亚克力、泰富龙、聚酰亚胺等，该类材料可以通过打印、丝印、热沉积等方式制备。
[0049]本实施例的薄膜封装的0LED屏体的制备方法，包括下述步骤:
[0050]S1、在基板101上制作第一电极层102，再涂覆有机光刻胶层，曝光显影使其形成具有开口结构的像素限定层108;
[0051]S2、在像素限定层的上方通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺制备隔离柱105，采用蒸镀掩膜板在具有开口结构的像素限定层中沉积有机功能层103，在有机功能层103的上方沉积第二电极层104，所述的隔离柱105使相邻的所述第二电极层104彼此绝缘；
[0052]S3、在所述第二电极层104上方蒸镀无机材料形成平坦化层106，所述平坦化层106填充在所述隔离柱之间并覆盖所述隔离柱105后，其上端形成连续平面结构；或者通过打印、丝印、热沉积等方式制备亚克力、泰富龙、聚酰亚胺等材质的平坦化层106;
[0053]S4、在所述连续平面结构上方通过CVD沉寂lum厚度的SiN形成薄膜封装层107。
[0054]本实施例的薄膜封装层是形成在所述平坦化层的连续平面的一侧，因此能够与平坦化层紧密贴合，且成膜连续性好，封装效果佳，且薄膜封装层不容易破损。此外，本发明采用的所述平坦化层采用有机材料和/或无机材料制备而成，优选透光率>70%，折射率为1.4-2.3的透明材料，可适用于透明屏体或背面发光层。
[0055]实施例2
[0056]如图2所示，本实施例的薄膜封装的0LED屏体结构同实施例1，其中平坦化层106填充在隔离柱105之间，其上端与所述隔离柱105的顶端共同形成连续平面结构，所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。
[0057]其制备方法同实施例1的薄膜封装的0LED屏体，其中步骤S3为:
[0058]在所述第二电极层104上方在蒸镀无机材料形成平坦化层106，所述平坦化层106填充在所述隔离柱之间，其上端与隔离柱上端共同形成连续平面结构；或者通过打印、丝印、热沉积等方式制备有机材料材质的平坦化层106，其上端与隔离柱上端共同形成连续平面结构；
[0059]该实施例中所选无机材料为NPB、ALq3、TBD、PBD、CBP中的一种或多种，有机材料为亚克力、泰富龙、聚酰亚胺。所述封装膜107采用Sputter氧化招层制备。
[0060]本实施例的薄膜封装层是形成在所述平坦化层的连续平面的一侧，因此能够与平坦化层紧密贴合，且成膜连续性好，封装效果佳，且薄膜封装层不容易破损。此外，本发明采用的所述平坦化层采用有机材料和/或无机材料制备而成，优选透光率>70%，折射率为
1.4-2.3的透明材料，可适用于透明屏体或背面发光层。
[0061 ] 实施例3
[0062]如图1所示，本实施例的薄膜封装的0LED屏体结构同实施例1，其中平坦化层106和薄膜封装层107是由聚氢硅氮烷类材料制备而成的一体结构。硅氮烷类材料分子式如[SiH2NH]，该类材料通过湿法涂布或丝网印刷的方式制备第二电极层上，所述的聚氢硅氮烷类材料与空气的水分和氧反应变成固化膜，形成一体结构的平坦化层106。之后通过CVD的方式沉寂SiN或S1作为薄膜封装层107。
[0063]其中硅氮烷遇到水、氧气反应机理如下，最终缓冲材料为二氧化硅层。
[0064]-[SiH2NH]n-+02^Si02+NH3
[0065]and
[0066]-[SiH2NH]n-+H20^Si02+NH3+H2
[0067]本实施例的薄膜封装的OLED屏体的制备方法，包括下述步骤:
[0068]S1、在导电基板上制作涂覆有机光刻胶层，曝光显影使其形成具有开口结构的像素限定层108;
[0069]S2、在像素限定层的上方通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺制备隔离柱105，采用蒸镀掩膜板在具有开口结构的像素限定层中沉积有机功能层103，在有机功能层103的上方沉积第二电极层104，所述的隔离柱105使相邻的所述第二电极层104彼此绝缘；
[0070]S3、在所述第二电极层104上方湿法涂布或丝网印刷聚氢硅氮烷类材料或其衍生物，填充在隔离柱105之间并覆盖所述隔离柱105后，固化即可形成一体结构的平坦化层106。之后沉积无机薄膜封装层107。
[0071]本实施例的平坦化层106由聚氢硅氮烷类材料与空气中水、氧反应而成，最终产物是硅氧化物。这种一体结构具有优良的密封效果，延长器件的寿命。
[0072]实施例4
[0073]如图1所示，本实施例的薄膜封装的0LED屏体结构同实施例2，其中平坦化层106和薄膜封装层107是由聚氢硅氮烷类材料组合物制备而成的一体结构。所述聚氢硅氮烷类材料组合物包括下述组分:
[0074]二聚氢硅氮烷类衍生物材料100份为基数:
[0075]交联剂为二聚氢硅氮烷类衍生物材料的5wt%-50wt%、光引发剂为交联剂的5wt % -50wt % 质量份；
[0076]流平剂为树脂的0wt%_10wt% ;
[0077]所述交联剂较佳者为三丙烯酸三羟甲基丙酯，环氧乙烷改质的三丙烯酸三羟甲基丙酯或环氧丙烷改质之三丙烯酸三