[0061] 接下来，通过离子注入，在rT型碳化娃基板(rT型碳化娃外延层的表层）1形成P型阱 区2,在P型阱区2的内部形成P型接触区3和η型源区4。该离子注入在形成P型阱区2、p型接触 区3和η型源区4时，将形成了氧化娃膜等离子注入用掩模的rT型碳化娃基板1导入至离子注 入装置而进行，其中，氧化娃膜等离子注入用掩模具有分别相对应的开口部。η型的区域通 过注入憐离子或氮离子而形成。Ρ型的区域通过注入侣离子等而形成。由此，在rT型碳化娃 基板1，在离子注入用掩模的开口部形成η型或P型的区域，通过重复运个过程，形成P型阱区 2、ρ型接触区3、η型源区4。
[0062] 然后，W围绕Ρ型阱区集中的活性区的方式，形成Ρ型耐压环状部13(参考图2)。至。 形成了该Ρ型耐压环状部13的区域为止成为一个碳化娃半导体元件(M0SFET元件）的区域， 在一个rT型碳化娃基板1上排列有多个元件。
[0063] 接下来，在除去离子注入用掩模之后，在氣等惰性气氛中，在1700°C左右的溫度下 进行活性退火。接下来，在rT型碳化娃基板1表面通过热氧化使栅绝缘膜5生长，通过化学气 相沉积(CVD)法形成多晶娃膜，通过光刻工序在横跨相邻的P型阱区2的区域形成栅电极6。 也可W在P型耐压环状部13上等不需要栅绝缘膜5的部分，预先形成氧化娃膜图案。
[0064] 接下来，通过CV的去形成包括氧化娃膜的层间绝缘膜7,通过光刻工序，在η型源区4 和Ρ型接触区3上形成层间绝缘膜7的开口部。另外，层间绝缘膜7的开口部也形成于栅电极6 与栅电极6的引出电极11的接合部(未图示）。
[0065] 接下来，在层间绝缘膜7上形成红外线吸收膜8。作为用于红外线吸收膜8的材料， 优选相对于波长从0 .如m到2.5皿程度为止的近红外线具有0.5 W上的红外线放射率的材 料。例如，能够使用氮化铁、氮化钢、氮化鹤、氮化铭、碳等。
[0066] 另外，为了维持红外线吸收膜8与层间绝缘膜7的密合性，抑制红外线吸收膜产生 裂纹，能够采用层叠金属材料和金属氮化物的结构。例如，在层间绝缘膜7-侧，使用Ar作为 瓣射气体而形成铁之后，将瓣射气体变为氮与Ar的混合气体进行瓣射，由此形成氮化铁。
[0067] 红外线吸收膜8的厚度优选是能够吸收红外线的膜厚度，并且是不会由于加热而 产生裂纹等的变形的膜厚度，优选为大约lOnmW上且300nmW下。例如，在使用氮化铁作为 红外线吸收膜8的情况下，能够通过使用了铁(Ti)祀并使用了氣(Ar)和氮的混合气体的反 应瓣射法、使用了氮化铁祀的瓣射法或利用四氯化铁和氨气的CV的去等，来进行膜形成。
[0068] 红外线吸收膜8W形成在除源极接触电极部(层间绝缘膜7的开口部之中的露出η 型源区4和Ρ型接触区3的开口部）16、栅极接触电极部(层间绝缘膜7的开口部之中的形成栅 电极6与栅电极6的引出电极11的接合部的未图示的开口部）、W及用于维持运些电极间的 绝缘的间隙部W外的区域的全部或一部分的方式，而被图案化。栅电极6与栅电极6的引出 电极11的接合部形成在活性区与P型耐压环状部13的边界附近。
[0069] 在此，如图2所示，在忍片区14中，将红外线吸收膜8配置在除源极接触电极部16 (参考图1似外的活性部(P型耐压环状部13的内侧的活性区）。另外，如图3所示，也可w在 除源极接触电极部16W外的整个忍片区14配置红外线吸收膜8。除此W外，如图4所示，即使 在晶片15的外周部等不能作为元件(忍片区14)使用的部位（图中斜线的区域)使用红外线 吸收膜8，也可W对上述的rT型碳化娃基板1进行均匀加热。
[0070] 红外线吸收膜8的图案化能够通过使用了湿法刻蚀或干法刻蚀的光刻工序进行。 例如，金属氮化物膜能够通过使用了氯气和/或氣化氨四聚体(4HF)等的干法刻蚀来进行尺 寸精度良好的加工。
[0071] 另外，可W通过粗化红外线吸收膜8的表面(正面侧），来提高红外线放射率。例如， 能够在使红外线吸收膜8图案化之后，除去在红外线吸收膜8的图案化中所使用的抗蚀剂掩 模，再一次插入至干法刻蚀装置中，进行短时间刻蚀，由此在红外线吸收膜8的表面形成凹 凸。
[0072] 另外，能够通过预先使在红外线吸收膜8的下侧形成的层间绝缘膜7的表面粗化， 从而在红外线吸收膜8的表面形成凹凸。在该情况下，也能够在使层间绝缘膜7图案化之后， 除去在层间绝缘膜7的图案化中所使用的抗蚀剂掩模，再一次插入至干法刻蚀装置中，进行 短时间刻蚀，由此形成凹凸。
[0073] 返回图1进行说明，接下来，通过瓣射法等使P型接触膜成膜，在P型接触区3上通过 光刻形成P型接触图案9。作为P型接触材料，能够使用棚(B)、铜（In)等的IIIA族，但从图案 形成的容易程度考虑，优选使用A1。例如，在使用了 A1的情况下，如果厚度为5nmW上，则与 仅使用了Μ膜的情况相比，具有降低与P型区的接触电阻的效果，如果厚度为lOnmW上，贝U A1图案的尺寸更稳定，更提高了接触电阻的晶片面内均匀性。然而当A1膜超过lOOnm时，主 要产生与Ni膜的合金化，成为阻碍娃化的主要原因。
[0074] 接下来，通过瓣射法等制成50nm的Μ膜，通过光刻在覆盖η型源区4和P型接触区3 的区域形成Μ图案10。由于期望Μ膜的娃化高效形成，并且期望厚度为具有良好的通过图 案化进行的尺寸控制性，所WNi膜使用了20~lOOnm范围的厚度。
[0075] 接下来，通过RTA法在惰性气氛或减压气氛下，在大约1000°C下实施加热，使P型接 触区3和η型源区4上的Ni图案10进行Ni娃化，形成源极接触电极部16。升溫速率优选为每分 钟1°CW上，在每分钟小于1°C时，优先产生A1膜与Μ膜的合金化，成为阻碍娃化的主要原 因。另外，每秒超过25°C的升溫速率对样品具有热冲击的影响，会产生破裂等，因此难W实 现。
[0076] 接下来，W覆盖源极接触电极部16的方式，图案化形成厚度为扣m的A1的引出电极 11。引出电极11在栅电极6上也与源区分离而形成，源极和栅极独立地驱动。然后，通过在rT 型碳化娃基板1的背面形成Ti与Ni的层叠膜，作为漏电极(背面电极）12,从而形成碳化娃半 导体元件(M0SFET元件）。
[0077] 实施例
[0078] 按照上述实施方式1的碳化娃半导体元件的制造方法，制作了双重注入型M0SFET。 具体来说，首先，准备了 Wl5ym的厚度外延生长了η型渗杂浓度为2Xl〇i5cnf3的高电阻层的 rT型碳化娃基板1。接下来，形成包括厚度为1.5WI1的娃氧化膜的离子注入掩模，通过在500 °C的溫度下注入A1离子，来形成P型阱区2。将渗杂浓度设为lXl〇i 6cnf3,注入深度设为1皿。
[0079] 接下来，在P型阱区2的中央形成包括具有开口部的娃氧化膜的离子注入掩模，注 入A1离子，由此形成了p型接触区3。将渗杂浓度设为IX IQiScnf3。与此同时，在元件附近形 成了用于测定P型接触区3的接触电阻的TLM(Transmission Line Model:传输线模型）图案 区。
[0080] 接下来，将rT型碳化娃基板1插入退火炉，在Ar气氛中在1700°C下进行了五分钟的 活化处理。接下来，在P型阱区2内形成包括在P型接触区3的侧部具有开口的娃氧化膜的离 子注入掩模，通过注入憐离子形成渗杂浓度为1 X l〇i9cnf3的η型源区4。
[0081] 接下来，将rT型碳化娃基板1再次插入退火炉，在Ar气氛中在1700°C下进行五分钟 的活化处理。接下来，将rT型碳化娃基板1插入石英管内，使氧穿过纯水，在含有水蒸气的气 氛中，在1200°C下进行热氧化处理，在rT型碳化娃基板1的表面(rT型碳化娃外延层的表面） 生长成为栅绝缘膜5的娃氧化膜。将娃氧化膜的厚度设为700A。
[0082] 接下来，通过CVD法W0.5皿的厚度形成渗杂了憐的多晶娃膜，通过光刻使多晶娃 膜图案化，从而形成了栅电极6。栅电极6形成在从横跨相邻的P型阱区2的区域直到P型阱区 2的被设置在rT型碳化娃基板1与η型源区4之间的区域。
[0083] 接下来，通过CVD法皿的厚度形成PSG(Phospho;rus Silicon Glass:憐娃玻璃） 膜，通过光刻使PSG膜图案化，在覆盖栅电极6的区域，形成了层间绝缘膜7。应予说明，如上 所述，具有如下工序:形成层间绝缘膜7^用于形成层间绝缘膜7的开口部的图案化^形成 红外线吸收膜8^红外线吸收膜8的图案化。
[0084] 接下来，作为红外线吸收膜8,分别W0.化m的厚度形成了氮化铁膜、氮化钢膜、氮 化鹤膜、氮化铭膜、碳膜。在氮化物的情况下，使用烧制各个金属氮化物而成的瓣射祀，通过 Ar气而实施了瓣射。另外，碳膜也使用碳祀，并通过Ar气而实施了瓣射。作为蚀刻气体，氮化 物使用氯、碳膜使用氣化氨四聚体(4HF)来进行图案化，作为红外线吸收膜8,形成在了除源 极接触电极部16、栅极接触电极部和TLM图案区（露出于层间绝缘膜7的其他的开口部，未图 示）W外的位置。
[0085] 接下来，通过瓣射法形成厚度为15nm的A1膜，W残留在P型接触区3上和TLM图案区 上的方式，使