倒装裸片的组装方法、制造方法、装置和电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于电子器件的制造领域，更具体地，涉及一种用于组装倒装裸片的方法、一种用于制造倒装裸片装置的方法、一种倒装裸片装置以及一种包含倒装裸片装置的电子设备。
【背景技术】
[0002]在现有的倒装芯片封装技术中，采用拾取头的方式将未封装的裸片组装到接收衬底上。例如，在电子领域中，通常将已经制作完成、但未封装的器件称为裸片(die)，而将已封装的器件称为芯片。未封装的器件例如可以是半导体器件。为了描述的清楚，在本说明书中，将已经制作完成、但未封装的倒装器件(未封装的倒装芯片)称为倒装裸片，而将已封装的倒装器件称为倒装芯片。
[0003]图1A-1E示出了采用拾取头将裸片组装到接收衬底上的一个例子。
[0004]如图1A所示，通过拾取头101来拾取裸片102。裸片102是倒装结构的，其中，它的接合凸起103位于一侧。如图1B所示，在裸片102的接合凸起103上涂覆助焊剂104。接着，如图1C所示，将裸片102放置在接收衬底105上。如图1D所示，通过回流处理，使得接合凸起102被接合到接收衬底105上。在图1D中，还通过分配器106将底填剂107施加到裸片102的底部。如图1E所示，对底填剂107进行固化，从而完成裸片到接收衬底的组装。
[0005]本发明的发明人认识到，在现有技术的组装方法中，通常逐个地拾取并放置裸片。因此，对于大规模裸片阵列/矩阵组装(例如用于显示的微发光二极管阵列)，这种方式是耗时的。通常，通过拾取头的方式，每小时最多能够组装几千个单元，例如约2000个单元。这种组装速率接着又会引起成本问题。
[0006]此外，本发明的发明人还认识到，由于拾取和放置方式的性能限制，所处理的裸片的尺寸受到限制。例如，能够拾取的裸片的尺寸大于等于150μπι。
【发明内容】
[0007]本发明的一个目的是提供一种用于组装倒装裸片的新技术方案。
[0008]根据本发明的一个实施例，提供了一种用于组装倒装裸片的方法，包括:将倒装裸片与激光透明的第一衬底临时键合，其中，倒装裸片的接合凸起位于倒装裸片的与第一衬底相对的一侧；将接合凸起与接收衬底上的接垫对准；从第一衬底侧用激光照射第一衬底，以从第一衬底剥离倒装裸片；以及将倒装裸片附着到接收衬底，用于完成组装。
[0009]优选地，所述方法还包括:形成在一侧具有接合凸起的器件晶圆。优选地，所述将倒装裸片与激光透明的第一衬底临时键合的步骤还包括:在另一侧将器件晶圆与第一衬底临时键合；以及分割器件晶圆，以形成倒装裸片。
[0010]优选地，所述方法还包括:对第一衬底上的倒装裸片进行检测，以确定用于剥离的已知良好器件。
[0011]优选地，将接合凸起与接收衬底上的接垫对准的步骤还包括:翻转第一衬底。
[0012]优选地，通过激光刻划、机械刀锯划或蚀刻来执行所述分割器件晶圆的步骤。
[0013]优选地，所述接合凸起是焊料凸起。优选地，所述将倒装裸片附着到接收衬底的步骤还包括:通过助焊剂将倒装裸片附着到接收衬底。
[0014]优选地，所述将倒装裸片附着到接收衬底的步骤还包括:利用重力作用，将倒装裸片附着到接收衬底。
[0015]优选地，所述将倒装裸片附着到接收衬底的步骤还包括:利用静电力的作用，将倒装裸片附着到接收衬底。
[0016]优选地，通过向所述接垫施加电压来施加所述静电力。
[0017]优选地，所述倒装裸片包含磁性物质，以及所述将倒装裸片附着到接收衬底的步骤还包括:利用电磁力的作用，将倒装裸片附着到接收衬底。
[0018]优选地，所述接合凸起是焊料凸起，以及所述方法还包括:对焊料凸起进行回流处理，以将倒装裸片接合到接收衬底；以及对倒装芯片的底部进行填充。
[0019]优选地，所述将倒装裸片附着到接收衬底的步骤还包括:通过各向异性导电层将倒装裸片附着到接收衬底。优选地，所述方法还包括:对各向异性导电层进行处理，以将倒装裸片接合到接收衬底。
[0020]优选地，各向异性导电层是各向异性导电膜、各向异性导电浆和各向异性导电胶带中的至少一种。
[0021]优选地，倒装裸片通过临时键合层与激光透明的第一衬底临时键合，以及所述方法还包括:去除临时键合层。
[0022]根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于制造倒装裸片装置的方法，包括使用根据本发明的方法将倒装裸片组装到接收衬底上。
[0023]根据本发明的另一个实施例，提供了一种使用根据本发明的方法制造的倒装裸片
目.ο
[0024]根据本发明的另一个实施例，提供了一种电子设备，包含根据本发明的倒装裸片
目.0
[0025]另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或权利要求的技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者【背景技术】中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
[0026]通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
【附图说明】
[0027]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
[0028]图1A-1E示出了现有技术的组装倒装裸片的一个例子。
[0029]图2示出了根据本发明的方法的一个示意性实施例的流程图。
[0030]图3A至图3E示出了根据本发明的用于组装倒装裸片的一个例子。
[0031]图4示出了根据本发明的用于组装倒装裸片的另一个例子。
【具体实施方式】
[0032]现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
[0033]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
[0034]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0035]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0036]应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0037]下面参照附图来描述本发明的实施例和例子。
[0038]图2示出了根据本发明的用于组装倒装裸片的方法的一个示意性实施例的流程图。
[0039]如图2所示，在步骤S2010，将倒装裸片与激光透明的第一衬底临时键合。倒装裸片的接合凸起位于倒装裸片的与第一衬底相对的一侧，用于安装到接收衬底上。第一衬底例如是蓝宝石衬底。
[0040]例如，可以事先形成在一侧具有接合凸起的器件晶圆。在器件晶圆的另一侧将器件晶圆与第一衬底临时键合。在第一衬底上，分割器件晶圆，以形成倒装裸片。例如，可以通过激光刻划、机械刀锯划或蚀刻来分割所述晶圆。
[0041]在一个例子中，还可以对第一衬底上的倒装裸片进行检测，以确定用于剥离的已知良好器件。由于可以在第一衬底(而不是接收衬底)上检测倒装裸片，因此，可以选择性地通过激光照射仅将已知良好器件组装到接收器件上。在这个方面，本发明是有利的。
[0042]在步骤S2020，将接合凸起与接收衬底上的接垫对准。
[0043]例如，可以翻转第一衬底，以便将倒装裸片的结合凸起与接垫对准。
[0044]在步骤S2030，从第一衬底侧用激光照射第一衬底，以从第一衬底剥离倒装裸片。
[0045]激光剥离技术通常用于形成半导体器件。在现有技术中，尚未有将激光剥离技术用于裸片组装的技术方案。这是因为，将激光剥离技术应用于半导体制造的技术是一个比较新的技术。此外，通常认为裸片形成和裸片组装是两种不同的技术。例如，在形成裸片的过程中，在激光剥离工艺之后，还会对半导体晶圆进行其他处理，例如，在它的上面形成各种层、电极等。然而，例如，对于裸片组装而言，裸片通常已经是一个完成的芯片。
[0046]在步骤S2040，将倒装裸片附着到接收衬底。
[0047]例如，在所述接合凸起是焊料凸起的情况下，可以通过助焊剂将倒装裸片附着到接收衬底。在这种情况下，可以在步骤S2030之前执行步骤S2040。
[0048]例如，还可以利用重力作用，将倒装裸片附着到接收衬底。例如，当利用激光使得倒装裸片从第