1a对准。光电转换膜30设置在第一部分1a上。
[0073]导电层60设置在第二部分1b上，并且电连接到下部电极10。导电层60的电导率比下部电极10的电导率更大。例如金属材料被用于导电层60 ο更具体地，例如，在Z轴方向上堆叠的由钼合金层和铝钼合金层构造的层叠膜(所谓MAM电极层)被用作导电层60。第二部分1b和导电层60例如在Y轴方向上延伸。导电层60例如促进电流流动到由透明电极构造的下部电极10。导电层60是所谓的辅助互连。
[0074]绝缘层62设置在下部电极10的平行于X-Y平面的方向上的端部1s之上，并且设置在导电层60的平行于X-Y平面的方向上的端部60s上。在该示例中，绝缘层62设置在下部电极10的X轴方向上的一对端部1s之上，并且设置在导电层60的X轴方向上的一对端部60s上。换言之，绝缘层62在Z轴方向上覆盖了下部电极10的端部1s和导电层60的端部60s。端部1s和端部60s不限于X轴方向上的端部，而可以是平行于X-Y平面的任何方向上的端部。
[0075]在绝缘层62中设置暴露下部电极10的第一部分1a的至少一部分的开口 62a和暴露导电层60的至少一部分的开口 62b。下部中间层40例如与被开口 62a暴露的下部电极10的区域相接触。被开口 62a暴露的下部电极1的区域例如是对发电有贡献的区域。
[0076]例如，光敏聚酰亚胺被用于绝缘层62。绝缘层62优选地具有例如光透过性。绝缘层62优选例如是透明的。这使得能够例如扩展对发电有贡献的区域。
[0077]下部电极10的端部1s比下部电极10的沿着X-Y平面延伸的部分(S卩，在一对端部1s之间的部分)更容易生成漏电流。类似地，导电层60的端部60s比导电层60的沿着X-Y平面延伸的部分(即，在一对端部60s之间的部分)更容易生成漏电流。
[0078]因此，绝缘层62设置在端部10s、60s之上。这使得例如能够抑制端部10s、60s处的漏电流的生成。例如，能够减少串联电阻Rsh、增加曲线因子FF并增加开路电压Voc。例如，能够将太阳能电池110的光电转换效率提高为超过其中未设置绝缘层62的布置中的光电转换效率。
[0079]层叠体SB包括第一区域Rl和第二区域R2。第一区域Rl是层叠体SB的其中下部电极10和光电转换膜30之间存在异物66的区域。第二区域R2是层叠体SB的其中下部电极10和光电转换膜30之间不存在异物66的区域。
[0080]异物66是在制造太阳能电池110的过程中污染层叠体SB的不必要的物质。异物66例如是形成导电层60时产生的残余或在形成绝缘层62期间产生的残余。如果异物66是导电层60的残余，则异物66包括与导电层60基本上相同的材料。如果异物66是绝缘层62的残余，则异物66包括与绝缘层62基本上相同的材料。换言之，异物66可以是导电的或者可以是绝缘的。层叠体SB中例如可能包括异物66的多个位置。层叠体SB例如包含多个第一区域Rl。多个第一区域Rl例如零星地存在于平行于X-Y平面的平面内。在该示例中，层叠体SB包括异物66的两个位置和两个第一区域R1。层叠体SB中可能包含任何数量的异物66的位置和第一区域Rl ο
[0081]当投影在X-Y平面中时，第一区域Rl例如具有类似于岛形状的形状。当投影在X-Y平面中时，第二区域R2例如是包围第一区域Rl的单个连续区域。当投影在X-Y平面中时，第二区域R2包围例如每一个第一区域Rl。
[0082]异物66的Z轴方向长度(高度)例如不大于第二区域R2的平均厚度。异物66的Z轴方向长度例如不大于Ιμπι。异物66在平行于X-Y平面的方向上的长度例如不大于ΙΟμπι。当层叠体SB投影到X-Y平面上时的第一区域Rl的面积例如不大于当层叠体SB投影到X-Y平面上时的第二区域R2的面积的5%。当层叠体SB投影到X-Y平面上时的多个第一区域Rl的总面积例如不大于当层叠体SB投影到X-Y平面上时的第二区域R2的面积的5%。
[0083]绝缘部64设置在异物66的端部66s和上部电极20之间。在该示例中，绝缘部64设置在端部66s和下部中间层40之间。绝缘部64例如在Z轴方向上覆盖端部66s。如果存在异物66的多个位置，则设置对应于每个异物66的位置的多个绝缘部64。在该示例中，设置了对应于异物66的两个位置中的每个位置的绝缘部64。
[0084]端部66s是异物66在平行于X-Y平面的第一方向上的端部。端部66s例如是异物66的X轴方向端部。在该示例中，在异物66的整体上设置了绝缘部64。绝缘部64设置在异物66和光电转换膜30之间。绝缘部64在Z轴方向上例如覆盖异物66的整体。当投影在X-Y平面上时，绝缘部64例如与异物66的整个外部边缘重合。
[0085]例如，诸如聚酰亚胺的树脂材料被用于绝缘部64。与绝缘层62基本上相同的材料例如被用于绝缘部64。绝缘部64的电阻率例如是至少10 XlO6 Ω.m并且不大于10 X 117Ω.m0
[0086]异物66的端部66s与上部电极20之间的距离Dl大于第二区域R2中的下部电极10与上部电极20之间的距离D2。距离Dl和距离D2是与X-Y平面相交的第二方向上的距离。距离Dl和距离D2例如是Z轴方向上的距离。第二方向例如是垂直于上表面5a的方向。第二方向可以是与上表面5a相交的任何方向。
[0087]在该示例中，绝缘部64设置在端部66s和光电转换膜30之间。换言之，在该示例中，距离Dl比距离D2大绝缘部64的厚度。
[0088]如果异物66被包含在层叠体SB中，则在异物66的端部66s处比在第二区域R2中更容易生成漏电流。相比之下，在根据实施例的太阳能电池110中，设置绝缘部64，使距离Dl比距离D2更长。换言之，端部66s和上部电极20之间的电阻增加为超过第二区域R2中下部电极10和上部电极20之间的电阻。
[0089]这使得例如能够抑制在异物66的端部66s处的漏电流的生成。例如，能够减少串联电阻Rsh、增加曲线因子FF并增加开路电压Voc。例如，能够将太阳能电池110的光电转换效率提高为超过其中距离DI小于距离D2的布置中的光电转换效率。
[0090]图3(a)至3(c)是示出根据第一实施例的其它太阳能电池的示意截面图。
[0091]在如图3(a)中示出的太阳能电池111中，绝缘部64设置在异物66之上的下部中间层40和光电转换膜30之间。
[0092]在如图3(b)中示出的太阳能电池112中，绝缘部64设置在异物66之上的光电转换膜30和上部中间层50之间。
[0093]在如图3(c)中示出的太阳能电池113中，绝缘部64设置在异物66之上的上部中间层50和上部电极20之间。
[0094]可以看出，绝缘部64设置的位置可以是异物66的端部66s和上部电极20之间的任意位置。
[0095]图4(a)至4(c)是示出根据第一实施例的其它太阳能电池的示意截面图。
[0096]在如图4(a)中示出的太阳能电池121中，省略了绝缘部64。在太阳能电池121中，异物66的端部66s之上的光电转换膜30的厚度T1(Z轴方向长度)大于第二区域R2中光电转换膜30的厚度Τ2。以这种方式，通过改变光电转换膜30的厚度而不是设置绝缘部64，可以使距离Dl比距离D2更长。太阳能电池121也允许抑制在异物66的端部66s处的漏电流的生成并提高光电转换效率。
[0097]在如图4(b)中示出的太阳能电池122中，异物66的端部66s之上的下部中间层40的厚度T3大于第二区域R2中的下部中间层40的厚度T4。以这种方式，通过改变下部中间层40的厚度而不是设置绝缘部64，可以使距离Dl比距离D2更长。太阳能电池122也允许抑制在异物66的端部66s处的漏电流的生成并提高光电转换效率。
[0098]在如图4(c)示出的太阳能电池123中，异物66的端部66s之上的上部中间层50的厚度T5大于第二区域R2中的上部中间层50的厚度T6。以这种方式，通过改变上部中间层50的厚度而不是设置绝缘部64，可以使距离Dl比距离D2更长。太阳能电池123也允许抑制在异物66的端部66s处的漏电流的生成并提高光电转换效率。
[0099]图5(a)至5(e)是示出根据第一实施例的其它太阳能电池的示意截面图。
[0100]在如图5(a)中示出的太阳能电池131中，省略了下部中间层40。在如图5(b)中示出的太阳能电池132中，省略了上部中间层50。在如图5(c)中示出的太阳能电池133中，省略了下部中间层40和上部中间层50。
[0101]在如图5(d)中示出的太阳能电池134中，也省略了绝缘层62。
[0102]在如图5(e)中示出的太阳能电池135中，也省略了导电层60。
[0103]以这种方式，可以按需设置或省略下部中间层40、上部中间层50、导电层60以及绝缘层62。层叠体SB仅需要至少包括下部电极10、上部电极20以及光电转换膜30，如太阳能电池135的情况中那样。
[0104]图6(a)至6(c)是示出根据第一实施例的其它太阳能电池的示意截面图。
[0105]在如图6(a)中示出的太阳能电池141中，省略了绝缘层62和绝缘部64。在太阳能电池141中，异物66的端部66s之上的下部中间层40的厚度Tll大于第二区域R2中的下部中间层40的厚度T12。在太阳能电池141中，下部电极10的端部1s之上的下部中间层40的厚度T13大于第二区域R2中的下部中间层40的厚度T12。在电池141中，导电层60的端部60s之上的下部中间层40的厚度T14大于第二区域R2中的下部中间层40的厚度T12。
[0106]以这种方式，可以通过增加端部1s之上的下部中间层40的厚度而非设置绝缘层62来增加端部1s之上的部分中的电阻。可以通过增加端部60s之上的下部中间层40的厚度来增加端部60s之上的部分中的电阻。因此，例如能够抑制在端部1s和端部60s处的漏电流的生成。也能够提高太阳能电池141的光电转换效率。
[0107]在如图6(b)中示出的太阳能电池142中，省略了绝缘层62和绝缘部64。在太阳能电池142中，异物66的端部66s之上的光电转换膜30的厚度T21大于第二区域R2中的光电转换膜30的厚度T22。在太阳能电池142中，下部电极10的端部1s之上的光电转换膜30的厚度T23大于第二区域R2中的光电转换膜30的厚度T22。在太阳能电池142中，导电层60