)浆料在流延机上重复成膜并形成己块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后 在100°C下烘干4分钟；
[0032] 5)将成型的己块在50°c、6(rc、7(rc下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并 在1200°C下烧结5小时，己块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻忍片成品1。
[0033] 实施例2
[0034] 1)按照60%、20 %、10%和10 %的比例称取966g硝酸儘、32?硝酸钻、161g硝酸儀 和161g硝酸侣，将上述物质按照1:0.62的质量比充分溶解于IL去离子水中，揽拌均匀，配制 成混合溶液；
[0035] 2)将混合溶液导入热分解塔中，在820°C下进行高溫分解，得到亚微米级的尖晶石 结构粉体1481g;
[0036] 3)按照1:0.57 :0.61:0.015:0.025的质量比，将粉体与844g溶剂、903.5g粘合剂、 22.2g分散剂及37g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中， 溶剂中醋酸正丙醋与异下醇的质量比为3:1，粘合剂为丙締酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基 苯基酸，增塑剂为邻苯二甲酸二下醋；
[0037] 4)浆料在流延机上重复成膜并形成己块，且一次成膜的厚度为5加 m，每次成膜后 在120°C下烘干7分钟；
[003引5)将成型的己块在45°C、57°C、66°C下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并 在1250°C下烧结6小时，己块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻忍片成品2。
[0039] 实施例3
[0040] 1)按照40 %、35%、20 %和5 %的比例称取684g硝酸儘、598.5g硝酸钻、34?硝酸儀 和85.5g硝酸侣，将上述物质按照1:0.59的质量比充分溶解于IL去离子水中，揽拌均匀，配 制成混合溶液；
[0041] 2)将混合溶液导入热分解塔中，在750°C下进行高溫分解，得到亚微米级的尖晶石 结构粉体1625g;
[0042] 3)按照1:0.4:0.5:0.005:0.01的质量比，将粉体与650g溶剂、812.5g粘合剂、8. Ig 分散剂及16. ：3g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶 剂中醋酸正丙醋与异下醇的质量比为3:1，粘合剂为丙締酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯 基酸，增塑剂为邻苯二甲酸二下醋；
[0043] 4)浆料在流延机上重复成膜并形成己块，且一次成膜的厚度为50um，每次成膜后 在95 °C下烘干5分钟；
[0044] 5)将成型的己块在48°C、56°C、72°C下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并 在115(TC下烧结3小时，己块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻忍片成品3。
[0045] 实施例4
[0046] 1)按照48%、27 %、18%和7 %的比例称取1200g硝酸儘、675g硝酸钻、450g硝酸儀 和175g硝酸侣，将上述物质按照1:0.4的质量比充分溶解于IL去离子水中，揽拌均匀，配制 成混合溶液；
[0047] 2)将混合溶液导入热分解塔中，在680°C下进行高溫分解，得到亚微米级的尖晶石 结构粉体2337g;
[004引 3)按照1:0.7:0.8:0.02:0.04的质量比，将粉体与1636g溶剂、1870g粘合剂、46.7g 分散剂及93.5g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶 剂中醋酸正丙醋与异下醇的质量比为3:1，粘合剂为丙締酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯 基酸，增塑剂为邻苯二甲酸二下醋；
[0049] 4)浆料在流延机上重复成膜并形成己块，且一次成膜的厚度为3加 m，每次成膜后 在70°C下烘干3分钟；
[0050] 5)将成型的己块在50°C、62°C、74°C下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并 在118(TC下烧结4.5小时，己块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻忍片成品 4。
[0化1] 实施例5
[0化2] 1)按照50 %、30 %、12%和8%的比例称取714g硝酸儘、428.知硝酸钻、171.知硝酸 儀和114.2g硝酸侣，将上述物质按照1:0.7的质量比充分溶解于IL去离子水中，揽拌均匀， 配制成混合溶液；
[0053] 2)将混合溶液导入热分解塔中，在600°C下进行高溫分解，得到亚微米级的尖晶石 结构粉体1352g;
[0054] 3)按照1:0.45:0.55:0.012:0.02的质量比，将粉体与608.4g溶剂、743.6g粘合剂、 16.2g分散剂及27g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中， 溶剂中醋酸正丙醋与异下醇的质量比为3:1，粘合剂为丙締酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基 苯基酸，增塑剂为邻苯二甲酸二下醋；
[0055] 4)浆料在流延机上重复成膜并形成己块，且一次成膜的厚度为38um，每次成膜后 在Iior下烘干4分钟；
[0056] 5)将成型的己块在54°C、6rC、75°C下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并 在122(TC下烧结5.5小时，己块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻忍片成品 5。
[0化7] 实施例6
[005引 1)按照50 %、27 %、15 %和8 %的比例称取770g硝酸儘、415.地硝酸钻、231g硝酸儀 和123.2g硝酸侣，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于IL去离子水中，揽拌均匀，配 制成混合溶液；
[0059] 2)将混合溶液导入热分解塔中，在900°C下进行高溫分解，得到亚微米级的尖晶石 结构粉体1416g;
[0060] 3)按照1:0.6:0.55 :0.0 l: 0.03的质量比，将粉体与849.6g溶剂、778.地粘合剂、 14.2g分散剂及42.5g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其 中，溶剂中醋酸正丙醋与异下醇的质量比为1:1，粘合剂为丙締酸树脂，分散剂为聚乙二醇 辛基苯基酸，增塑剂为邻苯二甲酸二下醋；
[0061] 4)浆料在流延机上重复成膜并形成己块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后 在100°C下烘干4分钟；
[0062] 5)将成型的己块在50°c、6(rc、7(rc下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并 在1200°C下烧结5小时，己块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻忍片成品6。
[0063] 实施例7
[0064] 1)按照50 %、27 %、15 %和8 %的比例称取770g硝酸儘、415.地硝酸钻、231g硝酸儀 和123.2g硝酸侣，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于IL去离子水中，揽拌均匀，配 制成混合溶液；
[0065] 2)将混合溶液导入热分解塔中，在900°C下进行高溫分解，得到亚微米级的尖晶石 结构粉体1443g;
[0066] 3)按照1:0.6:0.55 :0.0 l: 0.03的质量比，将粉体与865 . Sg溶剂、793.7g粘合剂、 14.4g分散剂及43.地增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其 中，溶剂中醋酸正丙醋与异下醇的质量比为3:1，粘合剂为聚乙締醇缩下醒，分散剂为聚乙 二醇辛基苯基酸，增塑剂为邻苯二甲酸二下醋；
[0067] 4)浆料在流延机上重复成膜并形成己块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后 在100°C下烘干4分钟；
[006引5)将成型的己块在50°c、6(rc、7(rc下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并 在1200°C下烧结5小时，己块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻忍片成品7。
[0069] 实施例8
[0070] 1)按照50 %、27 %、15 %和8 %的比例称取770g硝酸儘、415. Sg硝酸钻、231g硝酸儀 和123.2g硝酸侣，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于IL去离子水中，揽拌均匀，配 制成混合溶液；
[0071] 2)将混合溶液导入热分解塔中，在900°C下进行高溫分解，得到亚微米级的尖晶石 结构粉体1396g;