树脂层、第二树脂层及第三树脂层在内、且分别与所述第一树脂层及所述第三树脂层相比高度较高的树脂突起。因此，即使从树脂突起的上方经过的导电层与被接合电极的距离产生偏差，也能够使导电层与被接合电极接合。
[0032]此外，本发明的一个方式为如下电子部件的制造方法，即，在上述本发明的一个方式中，所述第一树脂层的宽度与所述第三树脂层的宽度相同。由此，由此，能够通过一次光刻工序而对第一树脂层及第三树脂层进行加工。
[0033]此外，本发明的一个方式为如下电子部件的制造方法，即，在上述本发明的一个方式中，从位于所述导电层的下方的所述第一树脂层的端部起至所述第三树脂层的端部为止的长度，与位于所述导电层的下方的所述第二树脂层的宽度相比而较大。由此，能够将由于树脂突起而产生的高低差形成为阶梯状。因此，能够对光刻工序中的光刻胶膜的覆盖性进行改善。
[0034]此外，本发明的一个方式为如下电子部件的制造方法，即，在上述本发明的一个方式中，具有:在形成所述导电层的工序之后，通过在所述导电层上涂敷光刻胶膜、并进行曝光及显影，从而在所述导电层上形成抗蚀图形的工序；将所述抗蚀图形作为掩膜而对所述导电层进行蚀刻的工序。
[0035]根据上述本发明的一个方式，由于能够将由于树脂突起而产生的高低差形成为阶梯状，因此在导电层上涂敷光刻胶膜时能够对光刻胶膜的覆盖性进行改善。
【附图说明】
[0036]图1中的(A)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，(B)为表示(A)所示的X-X’的截面的图，(C)为表示(A)所示的Y-Y’的截面的图。
[0037]图2为表示图1所示的核心树脂及配线层的立体图。
[0038]图3中的(A)?(E)为对图1所示的电子部件的制造方法进行说明的剖视图。
[0039]图4中的㈧?(E)为对图1所示的电子部件的制造方法进行说明的剖视图。
[0040]图5为表示将本发明的一个方式所涉及的电子部件安装在基板上的状态的一部分的剖视图。
[0041]图6中的(A)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，(B)为表示(A)所示的X-X’的截面的图，(C)为表示(A)所示的Y-Y’的截面的图。
[0042]图7中的(A)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，(B)为表示(A)所示的X-X’的截面的图，(C)为表示(A)所示的Y-Y’的截面的图。
[0043]图8中的(A)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，(B)为表示(A)所示的X-X’的截面的图，(C)为表示(A)所示的Y-Y’的截面的图。
[0044]图9中的(A)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，(B)为表示(A)所示的X-X’的截面的图，(C)为表示(A)所示的Y-Y’的截面的图。
[0045]图10中的㈧为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，⑶为表示(A)所示的X-X’的截面的图，(C)为表示(A)所示的Y-Y’的截面的图。
[0046]图11中的(A)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，(B)为表示(A)所示的X-X’的截面的图，(C)为表示(A)所示的Y-Y’的截面的图。
[0047]图12中的(A)?(D)为对现有的电子部件的制造方法进行说明的剖视图。
[0048]图13中的(A)?(D)为对现有的电子部件的制造方法进行说明的剖视图。
[0049]图14为用于对现有的电子部件的制造方法进行说明的剖视图。
【具体实施方式】
[0050]以下，利用附图对本发明的实施方式进行详细说明。然而，本发明并不限定于以下的说明，本领域的技术人员能够理解到，可在不脱离本发明的主旨及其范围的情况下对其方式进行各种变更。因此，本发明并不被限定性地解释为以下所示的实施方式中的记载内容。
[0051]第一实施方式
[0052]图1 (A)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，图1 (B)为表示图1 (A)所示的X-X’的截面的图，图1 (C)为表示图1 (A)所示的Y-Y’的截面的图。图2为表示图1所示的核心树脂及配线层的立体图。
[0053]如图1 (A)?(C)所示，在作为基板的半导体基板11上形成有晶体管等半导体元件(未图示)及配线等(未图示)。另外，作为半导体基板11，既可以是硅晶片等半导体晶片，也可以是硅芯片等半导体芯片。此外，作为基板既可以使用玻璃基板，也可以使用陶瓷基板。
[0054]在半导体基板11上形成有电极衬垫12。电极衬垫12及半导体基板11上形成有钝化膜(绝缘层)13，在钝化膜13上形成有位于电极衬垫12上的开口部。
[0055]在钝化膜13上形成有第一核心树脂(也称为第一树脂层)14及第二核心树脂(也称为第三树脂层)15。第一核心树脂14及第二核心树脂15分别如图1 (A)所示被形成为线状，第一核心树脂14与第二核心树脂15分离而不接触(参照图1 (B))。
[0056]在第一核心树脂及第二核心树脂14、15上形成有第三核心树脂(也称为第二树脂层)16，第三核心树脂16的一部分与钝化膜13接触。S卩，第三核心树脂16的一部分与第一核心树脂14接触，第三核心树脂16的一部分与第二核心树脂15接触，第三核心树脂16的一部分与钝化膜13接触。由此，形成了包括第一核心树脂?第三核心树脂14、15、16在内的树脂突起17。
[0057]通过使第三核心树脂16与钝化膜13相接，从而和第一核心树脂及第二核心树脂14、15与钝化膜13相接而第三核心树脂16与钝化膜13不相接的情况相比，提高了紧贴强度。
[0058]在树脂突起17、钝化膜13及电极衬垫12上形成有TiW层22 (或TiW层22与未图示的Ti层的层压膜)，在TiW层22上形成有Au层23。通过该Au层23及TiW层22而形成多个配线层24，配线层24与电极衬垫12电连接，并且从树脂突起17的上方经过(参照图 1(A)、(B)及图 2) ο
[0059]优选为，第一核心树脂14的宽度与第二核心树脂15的宽度相同。由此，能够通过一次工序来实施后述的形成第一核心树脂及第二核心树脂14、15时的光刻工序。因此，能够简化制造工序。换言之，由于当第一核心树脂14的宽度与第二核心树脂15的宽度不同时，需要分开形成第一核心树脂14和第二核心树脂15，因此需要两次光刻工序。
[0060]从第一核心树脂14的端部起至第二核心树脂15的端部为止的长度19大于第三核心树脂16的宽度18 (参照图1(A))。由此，能够缩小由树脂突起17产生的高低差。此夕卜，第三核心树脂16的宽度27小于宽度26(参照图1(B))。由此，能够缩小由于树脂突起17而产生的高低差。其结果为，能够对形成后述的配线层24时的光刻工序中的光刻胶膜的覆盖性进行改善，此外，还能够缓和后述的安装时的应力(压力)集中。即，与现有技术的电子部件相比，能够使安装时的应力分散。
[0061]如图1⑶所示，树脂突起17的高度20与第一核心树脂14及第二核心树脂15各自的高度21相比而较高。此外，以第一核心树脂及第二核心树脂14、15的最高部为基准的第三核心树脂16的高度25与第一核心树脂及第二核心树脂14、15的高度21相比而较高。优选为，该高度25为该高度21的1.5倍以上，更优选为该高度21的2倍以上。由此，能够在后述的安装时进一步发挥第三核心树脂16的缓冲性。
[0062]在第一核心树脂?第三核心树脂14、15、16中分别应用了聚酰亚胺的情况下，优选为，第三核心树脂16的端部与第一核心树脂以及第二核心树脂14、15各自的端部之间的间隔28隔开50 μ m以上。由于聚酰亚胺端部因固化后的固化收缩而会隆起，因此通过使端部之间隔开50μπι以上，从而能够抑制端部的高度变得过高(参照图1(A)、(C))。
[0063]此外，在于第三核心树脂16中应用了聚酰亚胺的情况下，优选为，将第三核心树脂16的端部与配线层24之间的间隔29隔开50 μπι以上。这是由于，聚酰亚胺端部因固化后的固化收缩而会隆起，因此以不在隆起的部分形成配线层24的方式进行设置。这是由于，当在隆起的部分上形成配线层24时，在后述的形成配线层24时的光刻工序中的光刻胶膜的覆盖性将会变差(参照图1 (A)，(C))。
[0064]图3㈧?(E)及图4㈧?(E)为对图1所示的电子部件的制造方法进行说明的剖视图。
[0065]如图3(A)所示，在半导体基板11上形成电极衬垫12，并在包含该电极衬垫12的整个面上形成钝化膜13。接着，在钝化膜13上形成位于电极衬垫12上的开口部。
[0066]接下来，如图3(