起17c产生的高低差。
[0105]在本实施方式中，也能够获得与第三实施方式相同的效果。
[0106]第六实施方式
[0107]图10(A)?(C)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，对与图1(A)?(C)相同的部分标注相同符号，并仅对不同的部分进行说明。
[0108]与图1 (A)、(B)所示的被形成为线状的第一核心树脂14和第二核心树脂15被分开配置而不接触的方式相反，在本实施方式中，如图10(A)所示，第一核心树脂14b与第二核心树脂15b的端部35以被连接的方式而配置。然而，除了该端部35以外，其余部分与第一实施方式同样地第一核心树脂14b与第二核心树脂15b被分开配置。
[0109]在本实施方式中，也能够获得与第一实施方式相同的效果。
[0110]此外，在本实施方式中，第一核心树脂14b与第二核心树脂15b的端部35被连结在一起。因此，当在第一核心树脂及第二核心树脂14b、15b上涂敷用于形成第三核心树脂16的感光性聚酰亚胺膜时，能够抑制聚酰亚胺在第一核心树脂及第二核心树脂14b、15b的长度方向上流动的情况。由此，能够抑制用于形成第三核心树脂16的感光性聚酰亚胺膜的端部的膜厚度下降。
[0111]第七实施方式
[0112]图1l(A)?(C)为表示本发明的一个方式所涉及的电子部件的俯视图，对与图10(A)?(C)相同的部分标注相同符号，并仅对不同的部分进行说明。
[0113]如图11 (A)、(B)所示，在钝化膜13上形成包围第一核心树脂及第二核心树脂14b、15b的端部的坝部件36。换句话说，该坝部件36对第一核心树脂及第二核心树脂14b、15b的端部的三个方向进行包围。
[0114]在本实施方式中，也能够获得与第六实施方式相同的效果。
[0115]此外，在本实施方式中，通过坝部件36来包围第一核心树脂及第二核心树脂14b、15b的端部。因此，能够抑制在第一核心树脂及第二核心树脂14b、15b上涂敷用于形成第三核心树脂16的感光性聚酰亚胺膜时，聚酰亚胺在第一核心树脂及第二核心树脂14b、5b的长度方向上流动的情况。如此，能够抑制用于形成第三核心树脂16的感光性聚酰亚胺膜的端部的膜厚度下降。
[0116]此外，虽然在本实施方式中，通过坝部件36对第六实施方式中的第一核心树脂及第二核心树脂14b、15b的端部进行包围，但并不限定于此。例如，能够通过坝部件36而对第一?第五实施方式中的任一个方式中的核心树脂的端部进行包围。
[0117]另外，在本发明中，当称为在特定的A(以下称为“A”)之上(或下)形成特定的B (以下称为“B”(B被形成))时，并不限定于直接在A之上(或下)形成B (B被形成)的情况。在不妨碍本发明的作用效果的范围内，也包括经由其他部件而在A之上(或下)形成B (B被形成)的情况。
[0118]此外，还能够以适当地对上述的第一?第七实施方式进行相互组合的方式而实施。
[0119]符号说明
[0120]11…半导体基板；12...电极衬垫；13…钝化膜(绝缘层)；14、14b、14c...第一核心树脂(第一树脂层);14a…树脂层；15、15b、15c...第二核心树脂(第三树脂层);15a…树脂层；16...第三核心树脂(第二树脂层)；16a…树脂层；17、17a、17b、17c...树脂突起；18…第三核心树脂的宽度；19…从第一核心树脂的端部起至第二核心树脂的端部为止的长度；20…树脂突起的高度；21…第一核心树脂及第二核心树脂的高度；22...TiW层；23…Au层；24…配线层；25...以第一核心树脂及第二核心树脂的最高部为基准的第三核心树脂的高度；26、27…第三核心树脂的宽度；28…第三核心树脂的端部与第一核心树脂及第二核心树脂各自的端部之间的间隔；29…第三核心树脂的端部与配线层之间的间隔；31...抗蚀图形；32a、32b…树脂突起的高低差部分；33、33a…第一核心树脂(第一树脂层)；34a…第一核心树脂的宽度；35…第一核心树脂与第二核心树脂的端部；36…坝部件；104…安装基板；106...被接合电极。
【主权项】
1.一种电子部件，包括: 基板，其具有电极； 第一树脂层，其位于所述基板的上方； 第二树脂层，其至少一部分位于所述第一树脂层上； 树脂突起，其包括所述第一树脂层及所述第二树脂层，并且与所述第一树脂层相比高度较高； 导电层，其与所述电极电连接，且从所述树脂突起的上方经过。2.如权利要求1所述的电子部件，其中， 包括第三树脂层，所述第三树脂层位于所述基板的上方、且位于与所述第一树脂层相邻的位置处， 所述第二树脂层的至少一部分位于所述第三树脂层上， 所述树脂突起包括所述第三树脂层，且与所述第三树脂层相比高度较高。3.如权利要求2所述的电子部件，其中， 所述第一树脂层的宽度与所述第三树脂层的宽度相同。4.如权利要求2或3所述的电子部件，其中， 从位于所述导电层的下方的所述第一树脂层的端部起至所述第三树脂层的端部为止的长度，与位于所述导电层的下方的所述第二树脂层的宽度相比而较大。5.如权利要求2至4中任一项所述的电子部件，其中， 具有绝缘层，所述绝缘层分别位于所述基板与所述第一树脂层之间以及所述基板与所述第三树脂层之间，且分别与所述第一树脂层及所述第三树脂层相接， 位于所述第一树脂层与所述第三树脂层之间的所述第二树脂层的一部分与所述绝缘层相接。6.如权利要求1至5中任一项所述的电子部件，其中， 以所述第一树脂层的最高部为基准的所述第二树脂层的高度与所述第一树脂层的高度相比而较高。7.如权利要求1至6中任一项所述的电子部件，其中， 所述基板具有多个所述电极， 从所述树脂突起的上方经过的所述导电层为多个， 所述多个导电层分别与所述多个电极电连接。8.如权利要求1至7中任一项所述的电子部件，其中， 所述基板为半导体基板。9.如权利要求1至8中任一项所述的电子部件，其特征在于， 所述树脂突起上的所述导电层被接合在安装基板的电极上。10.一种电子部件的制造方法，包括: 在具有电极的基板的上方形成第一树脂层的工序； 对所述第一树脂层进行固化的工序； 在所述第一树脂层上形成第二树脂层的至少一部分的工序； 通过对所述第二树脂层进行固化，从而形成包括所述第一树脂层及所述第二树脂层在内、并且与所述第一树脂层相比高度较高的树脂突起的工序； 形成与所述电极电连接、且从所述树脂突起的上方经过的导电层的工序。11.一种电子部件的制造方法，包括: 在具有电极的基板的上方形成第一树脂层以及位于与该第一树脂层相邻的位置处的第三树脂层的工序； 对所述第一树脂层及所述第三树脂层进行固化的工序； 在所述第一树脂层及所述第三树脂层上形成第二树脂层的至少一部分的工序； 通过对所述第二树脂层进行固化，从而形成包括所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层在内、且分别与所述第一树脂层及所述第三树脂层相比高度较高的树脂突起的工序； 形成与所述电极电连接、且从所述树脂突起的上方经过的导电层的工序。12.如权利要求11所述的电子部件的制造方法，其中， 所述第一树脂层的宽度与所述第三树脂层的宽度相同。13.如权利要求11或12所述的电子部件的制造方法，其中， 从位于所述导电层的下方的所述第一树脂层的端部起至所述第三树脂层的端部为止的长度，与位于所述导电层的下方的所述第二树脂层的宽度相比而较大。14.如权利要求10至13中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，具有: 在形成所述导电层的工序之后，通过在所述导电层上涂敷光刻胶膜并进行曝光及显影，从而在所述导电层上形成抗蚀图形的工序； 将所述抗蚀图形作为掩膜而对所述导电层进行蚀刻的工序。
【专利摘要】本发明涉及一种电子部件及其制造方法。本发明的一个方式为一种电子部件，其包括：半导体基板(11)，其具有电极衬垫(12)；第一树脂层(14)及第三树脂层(15)，其位于所述半导体基板的上方；第二树脂层(16)，其至少一部分位于所述第一树脂层及所述第三树脂层上；树脂突起(17)，其包括所述第一树脂层至第三树脂层，并且与所述第一树脂层相比高度较高；配线层(24)，其与所述电极衬垫电连接，并且从所述树脂突起的上方经过。
【IPC分类】H01L21/60, H01L23/31, H01L21/56, H01L23/48
【公开号】CN105633030
【申请号】CN201510818723
【发明人】花冈辉直
【申请人】精工爱普生株式会社
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年11月23日
【公告号】US20160148871