使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法
【专利摘要】本发明公开了一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，包括以下步骤：在硅衬底上依次生长第一氧化物层、氮化硅层、第二氧化物层、光刻胶；进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；以光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；去除光刻胶；以第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化硅层；去除第二氧化物层，以氮化硅层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层；以氮化硅层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀硅衬底；去除氮化硅层。本发明提供了一种使用表面掩膜进行硅刻蚀的方法，能在硅湿法刻蚀过程中起到阻挡作用，有效缓解了侧向腐蚀，从而保证后续电泳法玻璃钝化正常进行。
【专利说明】
使用表面掩膜结构进行括刻蚀的方法
技术领域
[0001] 本发明设及半导体湿法刻蚀领域，特别是一种防止娃刻蚀时过度侧向腐蚀的使用 表面掩膜结构进行娃刻蚀的方法。
【背景技术】
[0002] 在功率型体式半导体器件生产过程中，为了使PN结终端得到纯化保护，通常需要 使用娃湿法刻蚀工艺，在娃表面刻蚀出一定面积和深度的沟槽，使PN结外露，再用薄膜或者 玻璃工艺纯化，从而保证产品获得理想的击穿电压和较小的漏流。湿法刻蚀具有各向同性 的特点，在纵向刻蚀的同时，横向也同时发生刻蚀，由于负性光刻胶和娃片表面粘附性不稳 定，容易发生皱胶，脱胶的问题，导致娃片横向刻蚀过大，超出设计允许的范围，从而导致器 件电性失效。行业内一般通过改善光刻胶的粘附性和刻蚀工艺来优化娃片从中间到边缘的 侧向腐蚀均匀性和缺陷比率，由于胶的稳定性差异和湿法刻蚀的基本特性决定了传统方法 往往不能取得很好的效果。
【发明内容】
[0003] 针对现有技术的不足，本发明公开了一种使用表面掩膜结构进行娃刻蚀的方法。
[0004] 本发明的技术方案如下：
[0005] -种使用表面掩膜结构进行娃刻蚀的方法，包括W下步骤：
[0006] 步骤1、在娃衬底上生长第一氧化物层；在氧化物层上生长氮化娃层；在氮化娃之 上使用低溫二氧化娃工艺生长第二氧化物层;在第二氧化物层之上覆盖光刻胶；
[0007] 步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露；
[000引步骤3、W光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层；
[0009] 步骤4、去除光刻胶；W第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化娃层；
[0010] 步骤5、去除第二氧化物层，W氮化娃层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层；
[0011] 步骤6、W氮化娃层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀娃衬 底；
[0012] 步骤7、去除氮化娃层。
[001引其进一步的技术方案为:所述氮化娃层的厚度为700A'\2500A。
[0014] 其进一步的技术方案为:所述第二氧化物层的厚巧为3000/\"8000八。
[0015] 本发明的有益技术效果是：
[0016] 本发明为了解决由于侧向过度腐蚀，造成器件电性失效，提供了一种使用表面掩 膜进行娃刻蚀的方法，运种掩膜机构能在娃湿法刻蚀过程中起到阻挡作用，有效缓解了侧 向腐蚀，从而保证后续电泳法玻璃纯化正常进行。
[0017] 娃刻蚀工艺进行时，由于掩膜的存在，横向刻蚀会比纵向刻蚀慢，如此有效限制了 娃的横向刻蚀。
【附图说明】
[001引图1是步骤1的示意图。
[0019]图2是步骤2的示意图。
[0020] 图3是步骤3的示意图。
[0021] 图4是步骤4的示意图。
[0022] 图5是步骤5的示意图。
【具体实施方式】
[0023] 本发明具体包括W下步骤：
[0024] 步骤1、在娃衬底1上生长第一氧化物层2;在第一氧化物层2上生长氮化娃层3,氮 化娃层3的厚巧为700A\2500A。在氮化娃层3之上使用低溫二氧化娃工艺生长第二氧化物 层4，厚度为3000A 8000/1 巧二氧化物层4之上覆盖光刻I父5。图1是步骤1的不意图，具 体的层次结构可参见图1。
[0025] 步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上5形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露。图2是步 骤2的示意图。
[0026] 步骤3、W光刻胶5为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层4;图3是步骤3的示意图。
[0027] 步骤4、去除光刻胶5; W第二氧化物层4为抗蚀剂层，刻蚀氮化娃层3;图4是步骤4 的示意图。
[0028] 步骤5、去除第二氧化物层4, W氮化娃层3为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层2;图5是 步骤5的示意图。
[0029] 步骤6、W氮化娃层3和第一氧化物层2为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀娃衬 底。在此步骤中，氮化娃层3作为表面掩膜，在娃湿法刻蚀过程中起到阻挡作用，有效缓解了 侧向腐蚀。从而保证后续电泳法玻璃纯化正常进行。
[0030] 步骤7、去除氮化娃层3。
[0031] W上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于W上实施例。可W理解，本 领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变 化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种使用表面掩膜结构进行娃刻蚀的方法，其特征在于，包括W下步骤： 步骤1、在娃衬底上生长第一氧化物层；在第一氧化物层上生长氮化娃层；在氮化娃之 上使用低溫二氧化娃工艺生长第二氧化物层;在第二氧化物层之上覆盖光刻胶； 步骤2、进行光刻工艺，在光刻胶上形成微图形结构，使待刻蚀部分暴露； 步骤3、W光刻胶层为抗蚀剂层，刻蚀第二氧化物层； 步骤4、去除光刻胶；W第二氧化物层为抗蚀剂层，刻蚀氮化娃层； 步骤5、去除第二氧化物层，W氮化娃层为抗蚀剂层，刻蚀第一氧化物层； 步骤6、W氮化娃层和第一氧化物层为抗蚀剂层，使用湿法刻蚀的方法刻蚀娃衬底； 步骤7、去除氮化娃层。2. 如权利要求1所述的使用表面掩膜结构进行娃刻蚀的方法，其特征在于:所述氮化娃 层的厚度为7?(1/Γ?巧?ΟΛ。3. 如权利要求1所述的使用表面掩膜结构进行娃刻蚀的方法，其特征在于:所述第二氧 化物层的厚度为3000Γ8000Λ。
【文档编号】H01L21/308GK106098549SQ201610739849
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月27日
【发明人】赵之俊, 刘明, 赵峰, 谭晶
【申请人】力特半导体（无锡）有限公司