光填充层7和倒装电极(图中未示出)。
[0036]其中，反向蚀刻凹槽5依次穿透所述蓝宝石层1、N型半导体层2和多层量子阱发光层3，直达P型半导体层4的一定深度为止。该反向蚀刻凹槽5从蓝宝石的P-N结生长方向的反面进行方向蚀刻得到，通过干法蚀刻或湿法蚀刻工艺进行，通过在衬底层的生长面反方向面蚀刻形成一个倒凹形槽结构。钝化层6为沿着所述反向蚀刻凹槽5表面蒸镀的一层SiCV薄膜层，通过折射率的递减来增加光的萃取。透明荧光填充层7为在所述反向蚀刻凹槽5内填充低温透明陶瓷粉末、低温透明玻璃颗粒、有机粘结剂、荧光粉颗粒后，经过高温800煅烧充分融合得到；低温透明陶瓷粉末材料为Si02、Al203等纳米级小颗粒，在高温200°?800°煅烧炉中可融化。倒装电极为煅烧完成的外延片自P层进行倒装芯片的电极制造得到。
[0037]下面通过图2和图3，进行本实用新型的LED倒装封装结构的制造方法及流程的说明:
[0038]首先，如图2所示的LED外延片，在蓝宝石衬底层I上依次生长N型半导体层2、多层量子阱发光层3和P型半导体层4。
[0039]其次，在蓝宝石的P-N结生长方向的反向进行蚀刻，就是在蓝宝石衬底层I的背面，依次穿透所述蓝宝石层1、N型半导体层2和多层量子阱发光层3，直达P型半导体层4的一定深度为止，通过干法蚀刻或湿法蚀刻工艺，在衬底的生长面反方向面蚀刻形成一个倒凹形槽结构，就是得到了反向蚀刻凹槽5。
[0040]再次，在反向蚀刻凹槽5表面上，通过蒸镀工艺在凹槽截面的各表面形成一层S12薄膜，这样就能通过折射率的递减来增加光的萃取；接着，在反向蚀刻凹槽5内填充低温透明陶瓷粉末、低温透明玻璃颗粒、有机粘结剂、荧光粉颗粒后，经过高温800煅烧充分融合得到，使得各种透明粉末充分融合，有机粘接剂高温挥发，这样得到无机结合的高强度透明荧光填充层7，该透明荧光填充层7，能经受芯片制程中高温回流焊时冲击而保持牢靠。其中，低温透明陶瓷粉末材料为Si02、Al2O3等纳米级小颗粒，在高温200°?800°煅烧炉中可融化。
[0041]然后，进行低温退火处理，之后，经过煅烧完成的外延片从P层进行倒装芯片的电极制作过程得到所需要的倒装电极。
[0042]最后，在反向蚀刻凹槽5中间进行切割，得到单粒的LED倒装封装结构，进行测试编带得到最终具有LED倒装封装结构的LED光源。
[0043]需要说明的是，作为示例，衬底材料以蓝宝石衬底为例，但本实用新型的外延片是由蓝宝石或者硅作为衬底材料的外延片。
[0044]从上面的技术方案可知，通过本实用新型的LED倒装封装结构得到的LED光源，发出的光向下可以直接出射，向上发出的光一部分可以直接穿过透明荧光填充层7出射，而向上的发出的另一部分光投射在两侧直角梯形塑性反射结构件后通过反射后也能透过透明荧光填充层7出射，整体光效高，也不存在切割应力造成报废的问题，成品率高，制造成本低。
[0045]以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.LED倒装封装结构，其特征在于，依次包括有:P型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层；所述LED倒装封装结构包括有一个以上反向蚀刻凹槽；所述LED倒装封装结构还包括有透明荧光填充层，所述透明荧光填充层填充在反向蚀刻凹槽中并覆盖在衬底层外部。
2.根据权利要求1所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述P型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层组合形成整体采用“凸”字型层状结构的LED芯片单元，一个以上LED芯片单元以线性方式连接组合成LED芯片；所述反向蚀刻凹槽位于相邻LED芯片单元之间。
3.根据权利要求2所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述反向蚀刻凹槽的顶端为开口端，与所述衬底层的顶面平齐，所述反向蚀刻凹槽的内底面位于P型半导体层中，多层量子阱发光层和N型半导体层位于所述反向蚀刻凹槽的侧部。
4.根据权利要求1或2或3所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述透明荧光填充层采用一个以上“T”字型以线性方式相连接的结构。
5.根据权利要求2所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述透明荧光填充层和LED芯片之间设置有钝化层。
6.根据权利要求5所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述钝化层为一种蒸镀形成的Si02薄膜层。
7.根据权利要求1所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述衬底层为一种蓝宝石衬底层，或者，所述衬底层为一种硅衬底层。
8.根据权利要求1所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述透明荧光填充层为一种由透明玻璃、透明陶瓷粉末和荧光粉烧结融合形成的无机材料层。
9.根据权利要求3所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述反向蚀刻凹槽为在衬底层的生长面反方向蚀刻而形成。
10.根据权利要求1或2或3所述的LED倒装封装结构，其特征在于，所述LED倒装封装结构包括有两个倒装电极，分别与N型半导体层和P型半导体层相连。
【专利摘要】本实用新型提供了一种LED倒装封装结构，依次包括有：P型半导体层、多层量子阱发光层、N型半导体层和衬底层；所述LED倒装封装结构包括有一个以上反向蚀刻凹槽；所述LED倒装封装结构还包括有透明荧光填充层，所述透明荧光填充层填充在反向蚀刻凹槽中并覆盖在衬底层外部；制造该LED倒装封装结构时，反向蚀刻精度可以控制在um级别，远大于现在mm级别的精度，这样就能通过更精确的控制荧光粉量从而得到颜色更一致的批量化产品；因此该LED倒装封装结构具有结构简单、封装精度高、出光颜色一致性高、结构可靠的优点，适用于LED照明光源中，光源寿命长。同时，由于透明荧光填充层和LED芯片之间覆盖的钝化层为蒸镀的二氧化硅薄膜层，通过折射率的递减来增加光的萃取。
【IPC分类】H01L33-44, H01L33-50
【公开号】CN204271130
【申请号】CN201420687876
【发明人】王冬雷, 邓玉仓
【申请人】广东德豪润达电气股份有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2014年11月17日