有机发光二极管显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及有机发光二极管显示领域，特别是涉及一种有机发光二极管显示
目.0
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de，OLED)显示装置由于其具有自发光、广视角、响应时间短、高发光率、色域广、工作电压低、可挠曲等特点，故被认为是21世纪的明星平面显示产品。OLED显示装置包括设置有发光元件的基板，所述发光元件均包括有机发光层，以及封装层。
[0003]OLED显示装置可以根据从有机发光层发射的光的方向分为底发光模式和顶发光模式。目前，大尺寸的OLED显示装置多为底发光模式，但是，有机发光层发出的光在经过基板时，势必会被建立在基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和金属线电路阻挡，开口率较低，实际发光面积受到限制，像素分辨率难以提升、发光亮度也会受到影响。高分辨率、高亮度、长寿命的面板是未来趋势，由于顶发光模式的OLED显示装置具有较高的开口率势必会成为未来的主流方向。
[0004]但是，顶发光模式的OLED显示装置的有机发光层的发光方向为朝向封装层的，为了保证光线的透过率，OLED的阴极的厚度需要很薄。特别是对于大尺寸的OLED显示装置，阴极具有非常大的方阻，这样会在整个阴极的不同位置之间产生电压差，引起发光亮度的均一性不同的问题。OLED显示装置的尺寸越大，阴极的面积也就越大，这样阴极的电压差也就越大，通常可以通过增加驱动电压的方法来减小电压差，但是这样会引起功耗的增加。
【实用新型内容】
[0005]基于此，有必要提供一种解决阴极电阻较大、减小共阴极不同位置电压差的有机发光二极管显示装置。
[0006]一种有机发光二极管显示装置，其包括:薄膜晶体管阵列基板，包括多个薄膜晶体管；多个发光元件，设置在所述薄膜晶体管阵列基板上，并与所述多个薄膜晶体管一一对应，所述多个发光元件均包括依次设置的第一电极、有机发光层和第二电极；辅助电极，与所述薄膜晶体管的源/漏电极间隔设置，并与所述第二电极连接。
[0007]在其中一个实施例中，所述辅助电极与所述第二电极之间还设置有导电层，所述导电层与所述第一电极采用相同材料。
[0008]在其中一个实施例中，所述辅助电极和所述源/漏电极为同一金属层。
[0009]在其中一个实施例中，所述多个发光元件的第二电极连接，形成共电极。
[0010]在其中一个实施例中，所述辅助电极包括多个电极，所述电极与相应的发光元件的第二电极连接，所述多个电极成行成列或成行或成列设置。
[0011]在其中一个实施例中，所述辅助电极与所述多个发光元件的第一电极之间设置钝化层。
[0012]在其中一个实施例中，还包括像素限定层，所述像素限定层设置在第一电极和所述钝化层上，用以限定有机发光层的区域。
[0013]在其中一个实施例中，还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层封装所有所述多个发光元件。
[0014]上述有机发光二极管显示装置，将与第二电极连接的辅助电极设置在基板上，降低第二电极的电阻，从而降低整个第二电极的不同位置之间的电压差，可以降低功耗，并且减小发光元件之间的亮度差异。
[0015]上述有机发光二极管显示装置，辅助电极和源/漏电极为同一金属层，在图案化该金属层时，只是将辅助电极和源/漏电极之间断开，无需再增加另外的制程工序。
[0016]上述有机发光二极管显示装置，像素限定层设置在辅助电极的上方，易于后续薄膜封装，使得该有机发光二极管显示装置容易制造成柔性显示装置。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型的有机发光二极管显示装置具有单个发光元件的剖面示意图；
[0018]图2为本实用新型中的辅助电极的俯视示意图；
[0019]图3为本实用新型的有机发光二极管显示装置的局部剖面示意图。
【具体实施方式】
[0020]请参考图1和图3，图1和图3为本实用新型有机发光二极管显示装置的局部剖面示意图，其内部器件的大小比例并不代表实际中的各个器件的大小比例。该有机发光二极管显示装置包括薄膜晶体管阵列基板110以及设置在薄膜晶体管阵列基板110上的辅助电极130和多个发光元件140，薄膜晶体管阵列基板110包括多个薄膜晶体管1130，薄膜晶体管1130和发光元件140——对应。
[0021]所述有机发光二极管显示装置还包括设置在薄膜晶体管阵列基板110上的缓冲层111，设置在缓冲层111上的第一绝缘层112，位于第一绝缘层112之上的第二绝缘层114以及设置在第二绝缘层114上的钝化层120。刻蚀第二绝缘层114和钝化层120形成相应的接触孔以暴露辅助电极130区域。
[0022]薄膜晶体管1130和电容(图未示)为发光元件140提供固定电流。薄膜晶体管1130包括半导体层1131、栅极绝缘层1132、栅电极1133和源/漏电极1134。半导体层1131经过掺杂后形成相应的源极区域和漏极区域以及沟道区域，源极区域连接源电极，漏极区域连接漏电极。半导体层1131上设置有栅极绝缘层1132，栅电极1133通过栅极绝缘层1132与半导体层1131绝缘。第一绝缘层112直接设置在栅极绝缘层1132上用以隔离栅电极1133和源/漏电极1134。此外，刻蚀第二绝缘层114和钝化层120形成相应的接触孔以暴露源/漏电极1134区域，且源/漏电极1134通过接触孔连接半导体层1131。
[0023]每个发光元件140包括依次设置的第一电极141、有机发光层142和第二电极143。发光元件140的第一电极141与对应的薄膜晶体管1130连接。在本实施方式中，第一电极141作为发光元件140的阳极，第二电极作为发光元件140的阴极。第一电极141与薄膜晶体管1130的源/漏电极1134连接，第一电极141上设置有机发光层142，有机发光层142可以包括发光层，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等以提高发光效率。在制作第一电极141时，在第二绝缘层114和钝化层120上形成相应的接触孔后，沉积第一电极层，并将该第一电极层图案化形成相应的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即