一种半导体封装用导线架结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装用导线架结构。
【背景技术】
[0002]随着集成电路技术的发展，集成电路的封装要求越来越严格。常见的封装工艺为，将IC芯片固定在导线架上，接着再利用胶体封装包覆保护IC芯片，如此即可完成半导体封装构造的基本架构。
[0003]现有的集成电路封装结构，芯片用银胶粘接于芯片座上，并需通过烘烤步骤来固化银胶，使芯片固定于芯片座上。因使用银胶致使成本较高，且生产效率较低，且发生封装不良或芯片故障等问题时，只能将固定于芯片座上的芯片直接报废，因而影响芯片的封装质量和最终成品的制程良率。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于针对现有技术的不足而提供一种一种半导体封装用导线架结构，可降低成本，提高生产效率，保证封装质量。
[0005]为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案。
[0006]一种半导体封装用导线架结构，它包括导线架本体、“Y”型卡盖和芯片，所述导线架本体包括芯片座和设置于芯片座四周的导脚，所述芯片放置于芯片座上，芯片座外围开设有插接口，所述“Y”型卡盖盖住芯片后与插接口插接，“Y”型卡盖的中部开设有圆形通孔；芯片与导脚之间连接有导线；导线架本体的上端设置有封装胶体，封装胶体包覆所述芯片。
[0007]所述“Y”型卡盖包括“Y””型卡接片，“Y”型卡接片的三端设置有卡边，卡边与插接口插接。
[0008]所述导线架本体呈方形。
[0009]本实用新型有益效果为:本实用新型所述一种半导体封装用导线架结构，可降低成本，提高生产效率，保证封装质量。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的俯视图。
[0011]图2为本实用新型的剖视图。
[0012]图3为本实用新型的“Y”型卡盖的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
[0014]如图1至图3所示，本实用新型所述一种半导体封装用导线架结构，它包括导线架本体1、“γ”型卡盖3和芯片2，所述导线架本体I包括芯片座10和设置于芯片座10四周的导脚11，所述芯片2放置于芯片座10上，芯片座10外围开设有插接口，所述“Y”型卡盖3盖住芯片2后与插接口插接，“Y”型卡盖3的中部开设有圆形通孔32，有助于封装胶体5封装时流入圆形通孔32内，更好地固定“Y”型卡盖3 ;芯片2与导脚11之间连接有导线4 ;导线架本体I的上端设置有封装胶体5，封装胶体5包覆所述芯片2。进一步的，所述“Y”型卡盖3包括“Y”型卡接片30，“Y”型卡接片30的三端设置有卡边31，卡边31与插接口插接，该“Y”型卡盖3可将芯片2固定安装于芯片座10上，且安装简单快捷。进一步的所述导线架本体I呈方形，便于架体冲压成型。
[0015]封装时，将芯片2放置于芯片座10上，再用“Y”型卡接片30固定芯片2，接着再利用封装胶封装导线架本体I的上端，包覆并保护芯片2，如此即可完成半导体封装构造的基本架构，可降低成本，提高生产效率，保证封装质量。
[0016]以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。
【主权项】
1.一种半导体封装用导线架结构，其特征在于:它包括导线架本体(1)、“γ”型卡盖(3)和芯片(2)，所述导线架本体(I)包括芯片座(10)和设置于芯片座(10)四周的导脚(11)，所述芯片(2)放置于芯片座(10)上，芯片座(10)外围开设有插接口，所述“Y”型卡盖(3)盖住芯片(2)后与插接口插接，“Y”型卡盖(3)的中部开设有圆形通孔(32);芯片(2)与导脚(11)之间连接有导线(4);导线架本体(I)的上端设置有封装胶体(5)，封装胶体(5)包覆所述芯片(2)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用导线架结构，其特征在于:所述“Y”型卡盖(3)包括“Y”型卡接片(30)，“Y”型卡接片(30)的三端设置有卡边(31 )，卡边(31)与插接口插接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体封装用导线架结构，其特征在于:所述导线架本体(I)呈方形。
【专利摘要】本实用新型涉及集成电路封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装用导线架结构，它包括导线架本体、“Y”型卡盖和芯片，所述导线架本体包括芯片座和设置于芯片座四周的导脚，所述芯片放置于芯片座上，芯片座外围开设有插接口，所述“Y”型卡盖盖住芯片后与插接口插接，“Y”型卡盖的中部开设有圆形通孔；芯片与导脚之间连接有导线；导线架本体的上端设置有封装胶体，封装胶体包覆所述芯片，可降低成本，提高生产效率，保证封装质量。
【IPC分类】H01L23-495
【公开号】CN204315563
【申请号】CN201420781160
【发明人】奚志成
【申请人】东莞矽德半导体有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月12日