刻蚀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及刻蚀技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]现在湿法刻蚀工艺生产过程中，一般采用滚轮带着药液滚动对硅片进行刻蚀或者硅片浮在药液上面进行刻蚀，随着太阳能技术的发展，湿法刻蚀的应用越来越广泛。
[0003]在现有技术中，调整刻蚀量时药液的上下波动会使药液与硅片上表面进行反应，此外，刻蚀工艺槽内挥发出来的上方酸雾也会与硅片上表面进行反应。如果上述药液与硅片的上表面反应，则会导致过度刻蚀。上述问题会导致硅片正反面导通，正面扩散的PN结被破坏，受光面积降低等，这样会导致漏电较高，使电池片的转换率大幅度降低。
[0004]上述提及的“漏电”是指短路电流，一般称为反向电流。给电池片一个固定的反向电压所产生的电流值，理论上PN结是一个单向导电的，但电池片可以反向导电了，说明PN结遭受一定的破坏，反向电流愈小越好。
[0005]申请号为201310547201.9的中国发明专利公开了一种使扩散面具有保护层的湿刻蚀工艺。该专利具体公开了以下内容:
[0006](a)首先在待刻蚀的硅片的扩散层喷涂一层保护层；(b)将喷涂有保护层的硅片在刻蚀设备中进行刻蚀，且刻蚀后的硅片通过碱液法出去该保护层。
[0007]上述工艺可以有效去除刻蚀中的过刻现象，同时降低太阳能的各种外观不良以及电性能的失效比例。但是上述工艺过程复杂，生产效率较低。
【实用新型内容】
[0008]本实用新型的主要目的在于提供一种刻蚀装置，以解决现有技术中的过度刻蚀的冋题。
[0009]为了实现上述目的，本实用新型提供了一种刻蚀装置，包括工艺槽和设置在工艺槽内的第一传输装置，刻蚀装置还包括:喷淋装置，设置在工艺槽的上游侧，喷淋装置具有朝向下方的喷淋口。
[0010]进一步地，刻蚀装置还包括:第二传输装置，第二传输装置设置在喷淋装置的下方，第二传输装置的上表面与第一传输装置的上表面平齐。
[0011]进一步地，刻蚀装置还包括:压水结构，压水结构设置在喷淋装置和工艺槽之间，压水结构位于第二传输装置的上方并与第二传输装置之间形成硅片通过通道。
[0012]进一步地，压水结构为压轮。
[0013]进一步地，刻蚀装置还包括:收集槽，位于喷淋装置的下方，喷淋装置还包括与收集槽内连通的进液管道及设置进液管道上的水泵。
[0014]进一步地，喷淋装置还包括设置在进液管道上的阀门，阀门位于喷淋口和水泵之间。
[0015]进一步地，喷淋装置还包括设置在进液管道上的储水槽，储水槽位于阀门和水泵之间。
[0016]进一步地，刻蚀装置还包括设置在工艺槽内的第一过滤结构。
[0017]进一步地，刻蚀装置还包括设置在收集槽内的第二过滤结构。
[0018]进一步地，第一传输装置包括多个平行设置的第一滚轮，第二传输装置包括多个平行设置的第二滚轮。
[0019]应用本实用新型的技术方案，需要刻蚀的硅片具有上下两个平面，硅片的上表面在喷淋装置下进行喷淋，喷淋后的硅片的上表面形成水膜。由于磷硅玻璃的亲水性，所以水膜被吸附在硅片的上表面上。经过喷淋后的硅片的下表面放置在第一传输装置上。第一传输装置设置在盛有药液的工艺槽内，第一传输装置与工艺槽内的药液接触后与硅片的下表面接触。这样，硅片的下表面会沾上药液，药液对硅片的下表面形成了刻蚀。由于硅片的上表面具有水膜，这样避免了硅片上表面意外沾上药液或者受工艺槽内挥发出的药液影响而造成过度刻蚀，进而有效地避免了硅片的漏电，降低了产品的不合格率。由于有效地避免了扩散面的PN结遭受破坏，减少漏电，最大限度的增大受光面积，提高转换效率，降低不合格率。同时，本实用新型的技术方案结构简单，生产效率较高。
【附图说明】
[0020]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0021]图1示出了根据本实用新型的刻蚀装置的实施例的结构示意图。
[0022]其中，上述附图包括以下附图标记:
[0023]10、工艺槽；11、第一过滤结构；20、第一传输装置；30、喷淋装置；31、水泵；32、阀门；33、储水槽；40、第二传输装置；50、压水结构；60、收集槽；61、第二过滤结构。
【具体实施方式】
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
[0025]如图1所示，本实施例的刻蚀装置包括:工艺槽10、第一传输装置20和喷淋装置30 ?工艺槽10和设置在工艺槽10内的第一传输装置20，喷淋装置30，设置在工艺槽10的上游侧，喷淋装置30具有朝向下方的喷淋口。
[0026]应用本实施例的技术方案，需要刻蚀的硅片分为上下两个平面，硅片的上表面在喷淋装置30下喷淋，喷淋后的硅片上表面形成水膜。由于磷硅玻璃的亲水性，所以水膜被吸附在硅片的上表面。经过喷淋后的硅片下表面放置在第一传输装置20上。第一传输装置20设置在盛有药液的工艺槽10内，第一传输装置20与工艺槽10内的药液接触后与硅片的下表面接触。这样，硅片下表面沾上药液，药液对硅片的下表面形成了刻蚀，而硅片的上表面具有水膜，这样避免了硅片上表面意外沾上药液或者受工艺槽内挥发出的药液影响而造成过度刻蚀，进而有效地避免了漏电，降低了产品的不合格率。由于有效地避免了扩散面的PN结遭受破坏，减少漏电，最大限度的增大受光面积，提高转换效率，降低不合格率。同时，本实用新型的技术方案结构简单，生产效率较高。
[0027]如图1所示，在本实施例的技术方案中，刻蚀装置还包括:第二传输装置40，设置在喷淋装置30的下方，第二传输装置40的上表面与第一传输装置20的上表面平齐。把需要刻蚀的硅片放置在第二传输装置40上，喷淋装置30把水喷到