一种半导体封装治具的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装治具，特别涉及一种晶圆片级芯片规模封装(WLCSP)植球治具
【背景技术】
[0002]晶圆级芯片封装方式，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸，为实现芯片尺寸大小的封装，WLCSP工艺将传统封装的焊脚通过重布线层(RDL)再布线技术，从芯片边缘改动到了芯片整个平面，并使用焊锡凸点的方式进行表面组装技术(SMT)焊接。其中WLCSP焊锡凸点制造工艺植球工艺就是其中重要的凸点制造制程。目前市面上，传统的WLCSP植球设备来源均为进口，其中植球治具是一道技术瓶颈，国内诸多供应商都望而却步。目前进口设备使用的植球方式是利用圆形毛刷将焊球进行包裹并旋转刷球，再通过电机控制完成S型植球过程，该方式可以达到较高的良率水平，但植球速度缺一般较慢。本发明为WLCSP植球提供了一种新型的植球治具，该治具不仅可以实现较高的植球良率，还能提高植球速度。
【实用新型内容】
[0003]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本实用新型提供一种半导体封装治具，包括:治具框架，所述治具框架设置有若干个植球盒，所述植球盒设置有储球腔体和在所述储球腔体底部设置的至少一排植球孔洞，待植焊球能够通过所述植球孔洞排出所述储球腔体外。
[0004]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:
[0005]在植球过程中通过使用本实用新型提供的半导体封装治具，可以采取直线移动单次植球方式，植球路线比以往的S型要短，提升植球速度。
【附图说明】
[0006]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0007]图1为本实用新型提供的半导体封装治具结构示意图；
[0008]附图标记说明:
[0009]1-治具框架;2-储球腔体;3-植球孔洞;4-待植焊球；
[00? O] 5_刮刀片;6_磁条;7_植球网板;8_晶圆
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与实用新型相关的部分。
[0012]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0013]如图1所示，本实施例提供的半导体封装治具，包括:治具框架1，治具框架I设置有若干个植球盒，植球盒设置有储球腔体2和在储球腔体2底部设置的至少一排植球孔洞3，待植焊球4能够通过所述植球孔洞排出所述储球腔体2外。
[0014]在植球过程中通过使用本实用新型提供的半导体封装治具，可以采取直线移动单次植球方式，植球路线比以往的S型要短，提升植球速度。
[0015]进一步，本实施例提供的储球腔体2为长方形腔体，长方形腔体长度大于待植球晶圆8的直径。这样可以在一次植球的过程中可以对晶圆进行全面的植球。
[0016]进一步，如图1所示，本实施例提供的半导体封装治具，在治具框架I上还设置有若干刮刀装置，刮刀装置包括插刀槽和刮刀片5，插刀槽设置在植球盒沿植球方向外侧，刮刀片5插入插刀槽中且刮刀片的最底端超出植球盒植球孔洞3最底端。通过刮刀片可以将待植焊球刮入植球网板的孔洞中。
[0017]进一步，如图1所示，本实施例提供的植球盒为两个，两个植球盒沿植球方向前后设置。一次性加入大量的焊球，减少植球过程中频繁加球的次数，另后一个植球盒可以补充前一个植球盒在植球过程中的漏植情况。
[0018]进一步，如图1所示，本实施例提供的刮刀装置数量为三个，两个植球盒外侧均设置有刮刀装置。这样不管是哪个方向上植球都有刮刀片将焊球很好的刮入植球网板的孔洞中。
[0019]进一步，如图1所示，本实施例提供半导体封装治具还包括压紧装置，压紧装置设置在治具框架I上用于向治具框架I施加一个向下的力。这样保证半导体封装治具紧紧的贴在植球网板上，实现零间隙植球。
[0020]进一步，如图1所示，本实施例提供的压紧装置为至少一跟磁条6，磁条6能够磁吸附植球网板7。大多数的植球网板的材质为镍合金材质，能够被磁条吸附。因此通过简单的设置一磁条就可以和植球网板发生磁吸附力，使半导体封装治具紧紧贴服在植球网板上。[0021 ]进一步，如图1所示，本实施例提供的磁条6为两根，两根磁条6分别设置在治具框架I沿植球方向的前后两端。保证半导体封装治具与植球网板之间的磁吸附力均匀。
[0022]以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
【主权项】
1.一种半导体封装治具，其特征在于，包括:治具框架，所述治具框架设置有若干个植球盒，所述植球盒设置有储球腔体和在所述储球腔体底部设置的至少一排植球孔洞，待植焊球能够通过所述植球孔洞排出所述储球腔体外。2.根据权利要求1所述的半导体封装治具，其特征在于，所述储球腔体为长方形腔体，所述长方形腔体长度大于待植球晶圆的直径。3.根据权利要求1所述的半导体封装治具，其特征在于，在所述治具框架上还设置有若干刮刀装置，所述刮刀装置包括插刀槽和刮刀片，所述插刀槽设置在所述植球盒沿植球方向外侧，所述刮刀片插入所述插刀槽中且刮刀片的最底端超出所述植球盒植球孔洞最底端。4.根据权利要求3所述的半导体封装治具，其特征在于，所述植球盒为两个，所述两个植球盒沿植球方向前后设置。5.根据权利要求4所述的半导体封装治具，其特征在于，所述刮刀装置数量为三个，所述两个植球盒外侧均设置有所述刮刀装置。6.根据权利要求1-5任一所述的半导体封装治具，其特征在于，还包括压紧装置，所述压紧装置设置在所述治具框架上用于向所述治具框架施加向下的力。7.根据权利要求6所述的半导体封装治具，其特征在于，压紧装置为至少一跟磁条，所述磁条能够磁吸附植球网板。8.根据权利要求7所述的半导体封装治具，其特征在于，所述磁条为两根，所述两根磁条分别设置在所述治具框架沿植球方向的前后两端。
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体封装治具，包括治具框架，在治具框架上设置有若干个植球盒，植球盒设置有储球腔体和在储球腔体底部设置的至少一排植球孔洞，待植焊球能够通过植球孔洞排出储球腔体外。在植球过程中通过使用本实用新型提供的半导体封装治具，可以采取直线移动单次植球方式，植球路线比以往的S型要短，提升植球速度。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN205376479
【申请号】CN201521111746
【发明人】钱泳亮
【申请人】南通富士通微电子股份有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2015年12月28日