专利名称：半导体火花保护装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及火花保护装置，特别是涉及一种半导体火花保护装置
背景技术：
现有设备在使用中最突出的问题就是压合过程中产生电火花飞弧，现有技术的不足之处很多高频机无火花保护器。由于打火而致使压合产品报废，打坏工模具或烧毁电极板，造成一定的经济损失，这样操作人员为避免打火，常常只得将高频机调小功率使用。其结果一是降低生产效率，二是稍有不慎会造成损失，不能完全擗除打火的可能。也有一些是有花火保护装置的，但都是以电子三极管为主来保护成本很高，而电子三极管也很宜烧毁，同时也会有损高频机
实用新型内容
本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处，而提供一种能有效控制电火花的高频机半导体火花保护装置。为了解决以上问题，本实用新型采用的技术方案是半导体火花保护装置，包括变压器(I)、直流升压装置(2)、连接线(3)、可控硅串连导通装置(4)、高频机电子三极电子管(5)。其特征在于变压器(I)通过连接线(3)连接到直流升压装置(2)进行升压后，其与连接线(3)与可控硅串连导通装置(4)进行连接，再通过连接线(3)连接与高频机电子三极电子管(5)。作为优先所述变压器⑴主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心(磁芯)。在电器设备和无线电路中，常用作升降电压、匹配阻抗，在220V电压下使用的变压器。作为优先所述直流升压装置(2)采用电子元件产生交流或者断续电流来推动变压器进行升压。小功率采用三极管与变压器自激振荡，大用率用集成块产生交流电信号，功率管放大交流再去推动变压器。作为优先所述可控硅串连导通装置⑷采用可控硅串联可以提高电路的使用安全范围，而控制串联的可控硅也很简单，只需要控制其中一只或几只就可以达到完全控制的目的。常用可控硅的耐压一般为如果需要更高耐压或难以购买较高耐压的可控硅，把可控硅串联使用提高耐压是既经济又实用，至于可控硅的参数离散性，这就要求我们在使用可控硅串联时，必须合理计算并设置好可控硅串联使用时的均压电阻.在均压电阻选择适当的时候，串联使用就跟单独使用一样的安全。本实用新型的半导体火花保护装置和现有的相比，具有以下特点本实用新型设计科学，制作简单，更经济实用。
图为半导体火花保护装置的结构示意图。
具体实施方式
通过下面的实施例可以更详细的解释本实用新型，本实用新型并不局限于下面的实施例，公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切变化和改进。结合附图中所述的半导体火花保护装置；包括变压器(I)、直流升压装置(2)、连接线(3)、可控硅串连导通装置(4)、高频机电子三极电子管(5)。其特征在于变压器(I)通过连接线(3)连接到直流升压装置(2)进行升压后，其与连接线(3)与可控硅串连导通装置(4)进行连接，再通过连接线(3)连接与高频机电子三极电子管(5)，检验合格出厂。综以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而 已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
权利要求1.半导体火花保护装置，包括变压器(I)、直流升压装置(2)、连接线(3)、可控硅串连导通装置(4)、高频机电子三极电子管(5)，其特征在于变压器(I)通过连接线(3)连接到直流升压装置(2)进行升压后，其与连接线(3)与可控硅串连导通装置(4)进行连接，再通过连接线(3)连接与高频机电子三极电子管(5)。
2.根据权利要求I半导体火花保护装置所述，其特征在于所述变压器(I)主要由初级线圈、次级线圈和铁心(磁芯)组成。
3.根据权利要求I半导体火花保护装置所述，其特征在于所述直流升压装置(2)采用电子元件产生交流或者断续电流来推动变压器进行升压。
专利摘要本实用新型提供半导体火花保护装置，包括变压器(1)、直流升压装置(2)、连接线(3)、可控硅串连导通装置(4)、高频机电子三极电子管(5)。其特征在于变压器(1)通过连接线(3)连接到直流升压装置(2)进行升压后，其与连接线(3)与可控硅串连导通装置(4)进行连接，再通过连接线(3)连接与高频机电子三极电子管(5)。变压器(1)主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心(磁芯)。在电器设备和无线电路中，常用作升降电压、匹配阻抗，在220V电压下使用的变压器。本实用新型特点设计科学，制作简单，更经济实用。
文档编号H02H9/06GK202550528SQ20122017808
公开日2012年11月21日 申请日期2012年4月14日 优先权日2012年4月14日
发明者陈永红 申请人:陈永红