驱动装置和输送机械的制作方法
【专利摘要】驱动装置和输送机械。本发明提供能够以简易的电路结构抑制绕组切换时的浪涌电压的驱动装置。驱动装置(1)包含：逆变器(3)、具有与逆变器(3)的输出部(37A)连接的第一绕组(21A)和与第一绕组(21A)连接的第二绕组(22A)的电动机(2)、具有与第一绕组(21A)连接的一端部和与第二绕组(22A)连接的另一端部的第一半导体开关(61A)、具有一端部以及与第一绕组(21A)和第一半导体开关(61A)连接的另一端部的第二半导体开关(62A)、设置在第一半导体开关(61A)的另一端部和第二半导体开关(62A)的一端部之间且具有缓冲电容器(71)和二极管(72A)的缓冲电路(7)。
【专利说明】
驱动装置和输送机械
技术领域
[0001 ]本发明涉及驱动装置和输送机械。
【背景技术】
[0002]在专利文献I中公开了绕组切换型的电动车辆用驱动马达。该马达具有马达主体和电流控制部。马达主体是三相无刷型马达，在U相、V相、W相分别具有第一线圈和第二线圈。电流控制部具有按照每相而设置的第一开关和第二开关，通过第一开关和第二开关来切换仅对第一线圈通电的状态和对两个线圈通电的状态。
[0003]专利文献I:日本特开2013-90406号公报
[0004]在专利文献I所公开的电动车辆用驱动马达(驱动装置)中，需要附加用于抑制各开关的接通/断开时产生的浪涌电压的缓冲电路。但是，当按照每个开关设置缓冲电路时，电路结构复杂化。
【发明内容】
[0005]因此，本公开的目的在于，提供能够以简易的电路结构抑制绕组切换时的浪涌电压的驱动装置。
[0006]本公开的一个实施方式的驱动装置具有:逆变器；电动机，其具有与逆变器的输出部连接的第一绕组和与第一绕组连接的第二绕组;第一半导体开关，其具有与第一绕组连接的一端部和与第二绕组连接的另一端部;第二半导体开关，其具有一端部以及与第一绕组和第一半导体开关连接的另一端部；以及缓冲电路，其设置在第一半导体开关的另一端部和第二半导体开关的一端部之间，具有电容器和二极管。
[0007]本文公开的一个实施方式的输送机械具有上述驱动装置。
[0008]根据本发明，能够以简易的电路结构抑制绕组切换时的浪涌电压。
【附图说明】
[0009]图1是示出驱动装置的概略结构的框图。
[0010]图2是驱动装置的电路图。
[0011]图3是示出浪涌电压的吸收路径的图。
[0012]图4是示出逆变器的输出电流流入反馈电路的路径的图。
[0013]图5是示出逆变器的输出电流流入反馈电路的路径的图。
[0014]图6是示出驱动装置的变形例的电路图。
[0015]图7是输送机械的示意图。
[0016]标号说明
[0017]I:驱动装置；2:电动机；3:逆变器；7:缓冲电路；8A、8B:反馈电路；9:输送机械；21A、21B、21C:第一绕组；22A、22B、22C:第二绕组；31A、31B:直流母线；37A、37B、37C:输出部;61A、61B、61C:第一半导体开关;62A、62B、62C:第二半导体开关;63c:集电极(一端部)；63e:发射极(另一端部)；65c:集电极(一端部)；65e:发射极(另一端部)；67:旁通电路;71:缓冲电容器;72A、72B、72C:第一二极管;73:第二二极管;81: 二极管;82:电阻;83:开关。
【具体实施方式】
[0018]下面，参照附图对实施方式进行详细说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同标号并省略重复的说明。
[0019](驱动装置的概要)
[0020]如图1所示，本实施方式的驱动装置I具有电动机2、逆变器3、绕组切换装置4、控制器5 ο
[0021]电动机2例如是三相交流马达，具有按照三相交流电力的每相而设置的第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C。电动机2可以是感应型和同步型中的任意一种，也可以是旋转型和直动型中的任意一种。在电动机2为旋转型的情况下，第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C根据三相交流电力的输入而产生旋转磁场。在电动机2为直动型的情况下，第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C根据三相交流电力的输入而产生直线行进磁场。
[0022]逆变器3将所输入的直流电力变换为三相交流电力并进行输出。绕组切换装置4具有切换电路6、缓冲电路7、反馈电路8A、8B。切换电路6对从逆变器3输出的三相交流电力被供给到第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C双方的状态(以下称为“第一状态”。)以及从逆变器3供给的三相交流电力仅被供给到第一绕组21A、21B、21C的状态(以下称为“第二状态”。)进行切换。缓冲电路7吸收由于切换电路6的切换而产生的浪涌电压。反馈电路8A、8B将缓冲电路7中蓄积的电荷反馈到直流母线3IA、31B。
[0023]控制器5构成为执行如下操作:控制逆变器3以产生期望频率的三相交流电力，并且控制绕组切换装置4以切换第一状态和第二状态。控制器5控制第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C，以使得例如在电动机2的驱动速度小于规定阈值的情况下，使三相交流电力的供给状态成为第一状态。并且，控制器5控制第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C，以使得在电动机2的驱动速度大于上述阈值的情况下，使三相交流电力的供给状态成为第二状态。由此，能够在电动机2的低速驱动时产生较高的驱动力(旋转型的情况下的转矩)。能够在电动机2的高速驱动时抑制由于逆电动势而引起的驱动力的降低。控制器5例如可以由具有处理器、临时存储器、保存部和I/O端口等的一个或多个控制用计算机构成。
[0024](驱动装置的电路结构)
[0025](逆变器)
[0026]如图2所示，逆变器3具有一对直流母线31A、31B、平滑电容器33、半导体开关34A?34F。直流母线31A、31B分别与电源PS的正极和负极连接。平滑电容器33的两端部分别与直流母线31A、31B连接。半导体开关34A和半导体开关34B、半导体开关34C和半导体开关34D、半导体开关34E和半导体开关34F相互串联连接，各组的两端部分别与直流母线31A、31B连接。
[0027 ] 半导体开关34A、34B、34C、34D、34E、34F根据来自控制器5的指令信号，对从直流母线31A侧朝向直流母线31B侧通过电流的状态(以下称为“接通状态”。)和阻断从直流母线31A侧朝向直流母线31B侧的电流的状态(以下称为“断开状态”。)进行切换。由此，逆变器3根据来自控制器5的指令信号，从半导体开关34A、34B之间、半导体开关34C、34D之间以及半导体开关34E、34F之间输出三相交流电力。下面，将半导体开关34A、34B之间称为“输出部37A”，将半导体开关34C、34D之间称为“输出部37B”，将半导体开关34E、34F之间称为“输出部37C"。
[0028]另外，半导体开关34A、34B、34C、34D、34E、34F可以一体化为半导体模块。这种半导体模块在以逆变器为主的用途中是通用的。
[0029]电动机2除了上述第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C以外，还具有第一端子 23A、23B、23C、第二端子 24A、24B、24C 和第三端子 25A、25B、25C。
[0030]第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C以相互分离的状态内置于电动机2。第一端子23A、23B、23C分别与第一绕组21A、21B、21C的一端部导通。第二端子24A、24B、24C分别与第一绕组21A、21B、21C的另一端部导通。第三端子25A、25B、25C分别与第二绕组22A、22B、22C的一端部导通。第二绕组22A、22B、22C彼此相互电连接。其连接部构成中性点NPl0
[0031]第一端子23A、23B、23C分别与逆变器3的输出部37A、37B、37C连接。第二端子24A、24B、24C和第三端子25A、25B、25C如后所述与切换电路6连接。
[0032](切换电路)
[0033]切换电路6具有按照三相交流电力的每相而设置的第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C。
[0034]第一半导体开关61A、61B、61C具有一端部和另一端部。第一半导体开关6IA、6IB、61C的一端部分别经由第二端子24A、24B、24C而与第一绕组21A、21B、21C的另一端部连接。第一半导体开关61A、61B、61C的另一端部分别经由第三端子25A、25B、25C而与第二绕组22A、22B、22C的一端部。即，第一半导体开关61A、61B、61C分别介于第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C之间。
[0035]第一半导体开关61A、61B、61C根据来自控制器5的指令信号，对从第一绕组21A、21B、21C朝向第二绕组22A、22B、22C通过电流的状态(以下称为“接通状态”。)和阻断从第一绕组21A、21B、21C朝向第二绕组22A、22B、22C的电流的状态(以下称为“断开状态”。)进行切换。
[0036]第一半导体开关61A、61B、61C分别具有晶体管63和二极管64。各晶体管63例如是IGBT(Insulated Gate Bipoler Transistor:绝缘栅型双极晶体管)。晶体管63的集电极63c构成第一半导体开关6IA、6IB、6IC的一端部。晶体管63的发射极63e构成第一半导体开关61A、61B、61C的另一端部。对晶体管63的栅极63g输入来自控制器5的指令信号。由此，能够进行与来自控制器5的指令信号对应的接通状态和断开状态的切换(以下称为“接通/断开切换”。)。
[0037]二极管64与晶体管63并联连接，使得从发射极63e侧朝向集电极63c侧通过电流。由此，在断开状态下，从第二绕组22A、22B、22C侧朝向第一绕组21A、21B、21C侧的电流也通过第一半导体开关61 A、6IB、61C。这样，第一半导体开关6IA、6IB、6IC构成为在接通状态下在两个方向上通过电流，在断开状态下仅在一个方向上通过电流。
[0038]第二半导体开关62A、62B、62C也具有一端部和另一端部。第二半导体开关62A、62B、62C的一端部与不包含第二绕组22A、22B、22C的旁通电路67连接。旁通电路67将第二半导体开关62A、62B、62C的一端部彼此连接。其连接部构成中性点NP2。第二半导体开关62A、62B、62C的另一端部分别与第一绕组21A、21B、21C的另一端部(第二端子24A、24B、24C)和第一半导体开关61A、61B、61C的一端部(集电极63c)连接。即，第二半导体开关62A、62B、62C的另一端部连接在第一绕组21A、21B、21C和第一半导体开关61A、61B、61C之间。
[0039]第二半导体开关62A、62B、62C根据来自控制器5的指令信号，对从旁通电路67朝向第一绕组21A、21B、21C通过电流的状态(以下称为“接通状态”。)和阻断从旁通电路67朝向第一绕组21A、21B、21C的电流的状态(以下称为“断开状态”。)进行切换。
[0040]第二半导体开关62A、62B、62C分别具有晶体管65和二极管66。各晶体管65例如是与晶体管63相同的IGBT。晶体管65的集电极65c构成第二半导体开关62A、62B、62C的一端部。晶体管65的发射极65e构成第二半导体开关62A、62B、62C的另一端部。对晶体管65的栅极65g输入来自控制器5的指令信号。由此，能够进行与来自控制器5的指令信号对应的接通/断开切换。
[0041 ] 二极管66与晶体管65并联连接，使得从发射极65e侧朝向集电极65c侧通过电流。由此，在断开状态下，从第一绕组21A、21B、21C侧朝向旁通电路67侧的电流也通过第二半导体开关62A、62B、62。这样，第二半导体开关62A、62B、62C也构成为在接通状态下在两个方向上通过电流，在断开状态下在一个方向上通过电流。
[0042]切换电路6根据来自控制器5的指令信号进行第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C的接通/断开切换，由此切换上述第一状态和第二状态。
[0043]在第一状态下，第一半导体开关61A、61B、61C成为接通状态，第二半导体开关62A、62B、62C成为断开状态。由此，第一绕组21A、21B、21C与第二绕组22A、22B、22C之间导通，第一绕组21A、21B、21C与旁通电路67之间被阻断。因此，从逆变器3输出的三相交流电力被供给到第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C双方。
[0044]在第二状态下，第一半导体开关61A、61B、61C成为断开状态，第二半导体开关62A、62B、62C成为接通状态。由此，第一绕组21A、21B、21C与第二绕组22A、22B、22C之间被阻断，第一绕组21A、21B、21C与旁通电路67之间导通。因此，从逆变器3输出的三相交流电力仅被供给到第一绕组21A、21B、21C。
[0045]另外，第一半导体开关61々、61!3、61(]和第二半导体开关624、6213、62(]也可以一体化为半导体模块。如上所述，使多个半导体开关一体化而得到的半导体模块在以逆变器为主的用途中是通用的。因此，能够使用通用的半导体模块实现低成本化。
[0046](缓冲电路)
[0047]缓冲电路7具有缓冲电容器71、第一二极管72A、72B、72C、第二二极管73。
[0048]缓冲电容器71的一个电极与第一半导体开关61A、6IB、6IC的发射极63e(另一端部)连接。缓冲电容器71的另一个电极与第二半导体开关62A、62B、62C的集电极65c(—端部)连接。
[0049]第一二极管72A、72B、72C分别介于缓冲电容器71与第一半导体开关61A、61B、61C之间。通过按照每个第一半导体开关61A、61B、61C设置第一二极管72A、72B、72C，在第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C之间确保交流电力的相间绝缘。
[0050]第二二极管73介于缓冲电容器71与第二半导体开关62A、62B、62C之间。另外，由于第二半导体开关62A、62B、62C的集电极65c经由中性点NP2而相互连接，所以，在集电极65c侧不需要确保交流电力的相间绝缘。因此，不需要使多个第二二极管73分别介于缓冲电容器71与第二半导体开关62A、62B、62C之间。
[0051 ] 第一二极管72A、72B、72C和第二二极管73从集电极65(:侧朝向发射极63e侧通过电流。另一方面，第一半导体开关61A、61B、61C的二极管64和第二半导体开关62A、62B、62C的二极管66从发射极63e侧朝向集电极65c侧通过电流。因此，在包含第一半导体开关61A、61B、61C、第二半导体开关62A、62B、62C、第二二极管73、缓冲电容器71和第一二极管72A、72B、72C的闭合电路中，二极管64、66通过电流的方向与第一二极管72A、72B、72C和第二二极管73通过电流的方向相互一致。即，第一半导体开关61A、6IB、6IC和第二半导体开关62A、62B、62C在断开状态下通过电流的方向与第一二极管72A、72B、72C和第二二极管73通过电流的方向相互一致。
[0052]这样，缓冲电路7设置在第一半导体开关61A、61B、61C的发射极63e和第二半导体开关62A、62B、62C的集电极65c之间。
[0053]在第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C中的任意一方中切换接通/断开时，在该半导体开关的两端部间产生浪涌电压。与此相伴，在通过第一二极管72A、72B、72C中的任意一方、二极管64、二极管66、第二二极管73的路径Rl中产生电流(参照图3)。由此，上述浪涌电压被缓冲电容器71吸收。
[0054]另外，在第一半导体开关61A和第二半导体开关62A中的任意一方中产生浪涌电压的情况下，与此相伴的电流通过第一二极管72A。在第一半导体开关61B和第二半导体开关62B中的任意一方中产生浪涌电压的情况下，与此相伴的电流通过第一二极管72B。在第一半导体开关61C和第二半导体开关62C中的任意一方中产生浪涌电压的情况下，与此相伴的电流通过第一二极管72C。
[0055](反馈电路)
[0056]反馈电路8A连接缓冲电容器71的第二二极管73侧的电极和逆变器3的直流母线31A。反馈电路8B连接缓冲电容器71的第一二极管72A、72B、72C侧的电极和逆变器3的直流母线31B。
[0057]反馈电路8A、8B分别具有二极管81和电阻82。二极管81和电阻82相互串联连接。反馈电路8A的二极管81被设置成使得从缓冲电容器71侧朝向直流母线31A侧通过电流。反馈电路SB的二极管81被设置成使得从直流母线31B侧朝向缓冲电容器71侧通过电流。由此，缓冲电容器71中蓄积的电荷被放电至直流母线3IA、31B。
[0058]另外，通过设置反馈电路8A、8B，从逆变器3输出的电流(以下称为“输出电流”。)还流入反馈电路8A、8B。例如在逆变器3的半导体开关34B、34D、34F中的任意一方成为接通状态的情况下，构成路径R2，所述路径R2包含了接通状态的该半导体开关、反馈电路SB、第一二极管72A、72B、72C、第一半导体开关61A、61B、61C的二极管64、第一绕组21A、21B、21C(参照图4)。由此，输出电流流入反馈电路8B。
[0059]在逆变器3的半导体开关34A、34C、34E中的至少任意一方成为接通状态的情况下，构成路径R3，所述路径R3包含了接通状态的该半导体开关、第一绕组21A、21B、21C、第二半导体开关62A、62B、62C的二极管66、第二二极管73、反馈电路8A(参照图5)。由此，输出电流流入反馈电路8A。
[0060]当流入反馈电路8A、8B的输出电流较大时，可能对电动机2的驱动造成影响。与此相对，由于反馈电路8A、8B具有电阻82，所以，能够抑制输出电流向反馈电路8A、8B的流入，能够抑制对电动机2的驱动造成影响。
[0061 ](本实施方式的效果)
[0062]如以上说明的那样，驱动装置I包含:逆变器3、具有与逆变器3的输出部37A连接的第一绕组21A和与第一绕组21A连接的第二绕组22A的电动机2、具有与第一绕组21A连接的一端部和与第二绕组22A连接的另一端部的第一半导体开关61A、具有一端部以及与第一绕组21A和第一半导体开关61A连接的另一端部的第二半导体开关62A、设置在第一半导体开关61A的另一端部和第二半导体开关62A的一端部之间且具有缓冲电容器71和二极管72A的缓冲电路7。
[0063]根据该驱动装置I，第一半导体开关61A中的由于接通/断开的切换而产生的浪涌电压以及第二半导体开关62A中的由于接通/断开的切换而产生的浪涌电压被缓冲电容器71吸收。并且，来自缓冲电容器71的逆流被二极管72A阻断。因此，利用一个缓冲电路7来抑制由于各开关的接通/断开的切换而产生的浪涌电压。因此，能够以简易的电路结构抑制绕组切换时的浪涌电压。
[0064]缓冲电路7也可以具有介于第一半导体开关61A和缓冲电容器71之间的第一二极管72A、介于缓冲电容器71和第二半导体开关62A之间的第二二极管73。该情况下，能够更加可靠地阻断来自缓冲电容器71的逆流。
[0065]也可以针对三相交流电力的三相中的每一相设置第一绕组21A、21B、21C、第二绕组22A、22B、22C、第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C。缓冲电路7也可以具有分别介于一个缓冲电容器71和与三相交流电力的相数对应的三个第一半导体开关61A、61B、61C之间的三个第一二极管72A、72B、72C。该情况下，在第一绕组21A、21B、21C和第二绕组22A、22B、22C之间，利用三个第一二极管72A防止三相交流电力的相间的短路，并且，对于按照三相交流电力的每相而设置的第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C而言，能够共用一个缓冲电容器71。因此，能够以更加简易的电路结构抑制绕组切换时的浪涌电压。
[0066]缓冲电路7也可以具有介于一个缓冲电容器71和与三相交流电力的相数对应的三个第二半导体开关62A、62B、62C之间的一个第二二极管73。该情况下，在防止从一个缓冲电容器71朝向三个第二半导体开关62A、62B、62C的逆流时，能够共用一个第二二极管73。因此，能够以更加简易的电路结构抑制绕组切换时的浪涌电压。
[0067]第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C也可以构成为在接通状态下在两个方向上通过电流，在断开状态下在一个方向上通过电流。第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C在断开状态下通过电流的方向与第一二极管72A、72B、72C和第二二极管73通过电流的方向也可以相互一致。该情况下，能够将第一半导体开关61A、61B、61C和第二半导体开关62A、62B、62C自身活用为缓冲电路7的一部分。因此，能够以更加简易的电路结构抑制绕组切换时的浪涌电压。
[0068]也可以是，还具有一对反馈电路8A、8B，它们分别设置在缓冲电容器71的两端部和逆变器3的一对直流母线31A、31B之间且具有二极管81。该情况下，缓冲电容器71中蓄积的电荷被放电至直流母线31A、31B。由此，能够防止缓冲电容器71的不良情况或破损，能够更加可靠地抑制浪涌电压。
[0069]也可以是，反馈电路8A、8B分别还具有与二极管81串联配置的电阻82。该情况下，能够从缓冲电容器71进行放电，并且能够抑制输出电流流入反馈电路8A、8B。
[0070]另外，反馈电路8A、8B也可以具有能够由控制器5进行控制的开关83来代替二极管81和电阻82(参照图6)。该情况下，限定于从缓冲电容器71朝向直流母线31A、31B放电时使反馈电路8A、8B导通，由此，能够更加可靠地抑制输出电流流入反馈电路8A、8B。
[0071]也可以是，反馈电路8A、8B除了开关83以外还具有与其串联连接的电阻82。该情况下，能够更加可靠地抑制输出电流流入反馈电路8A、8B。
[0072]驱动装置I能够用作各种设备、机械的动力源。作为驱动装置I的利用例，图7示出了搭载驱动装置I作为动力源的输送机械9。输送机械9例如是汽车、铁道车辆等。
[0073]以上对实施方式进行了说明，但是，本公开不限于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。例如，逆变器3输出的交流电力的相数不限于三相，只要能够构成行进磁场(旋转磁场、直线行进磁场等)即可，可以是任意相。并且，晶体管63、65不限于IGBT，例如也可以是M0S_FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)。该情况下，晶体管63、65在断开状态下也仅在一个方向上通过电流，所以能够省略二极管64、66。
【主权项】
1.一种驱动装置，其具有: 逆变器； 电动机，其具有与所述逆变器的输出部连接的第一绕组以及与所述第一绕组连接的第二绕组； 第一半导体开关，其具有与所述第一绕组连接的一端部以及与所述第二绕组连接的另一端部； 第二半导体开关，其具有一端部以及与所述第一绕组和所述第一半导体开关连接的另一端部；以及 缓冲电路，其设置在所述第一半导体开关的所述另一端部和所述第二半导体开关的所述一端部之间，具有电容器和二极管。2.根据权利要求1所述的驱动装置，其中， 所述缓冲电路具有介于所述第一半导体开关和所述电容器之间的第一二极管、以及介于所述电容器和所述第二半导体开关之间的第二二极管。3.根据权利要求2所述的驱动装置，其中， 针对交流电力的多相中的每一相设置了所述第一绕组、所述第二绕组、所述第一半导体开关和所述第二半导体开关， 所述缓冲电路具有分别介于一个所述电容器和与所述交流电力的相数对应的多个所述第一半导体开关之间的多个所述第一二极管。4.根据权利要求3所述的驱动装置，其中， 所述缓冲电路具有介于一个所述电容器和与所述交流电力的相数对应的多个所述第二半导体开关之间的一个所述第二二极管。5.根据权利要求2所述的驱动装置，其中， 所述第一半导体开关和所述第二半导体开关构成为在接通状态下在两个方向上通过电流，在断开状态下在一个方向上通过电流， 所述第一半导体开关和所述第二半导体开关在断开状态下通过电流的方向与所述第一二极管和所述第二二极管通过电流的方向相互一致。6.根据权利要求3所述的驱动装置，其中， 所述第一半导体开关和所述第二半导体开关构成为在接通状态下在两个方向上通过电流，在断开状态下在一个方向上通过电流， 所述第一半导体开关和所述第二半导体开关在断开状态下通过电流的方向与所述第一二极管和所述第二二极管通过电流的方向相互一致。7.根据权利要求4所述的驱动装置，其中， 所述第一半导体开关和所述第二半导体开关构成为在接通状态下在两个方向上通过电流，在断开状态下在一个方向上通过电流， 所述第一半导体开关和所述第二半导体开关在断开状态下通过电流的方向与所述第一二极管和所述第二二极管通过电流的方向相互一致。8.根据权利要求1?7中的任意一项所述的驱动装置，其中， 所述驱动装置还具有一对反馈电路，所述一对反馈电路分别设置在所述电容器的两端部和所述逆变器的一对直流母线之间且具有二极管。9.根据权利要求8所述的驱动装置，其中， 各个所述反馈电路还具有与二极管串联配置的电阻。10.根据权利要求1?7中的任意一项所述的驱动装置，其中， 所述驱动装置还具有一对反馈电路，所述一对反馈电路分别设置在所述电容器的两端部和所述逆变器的一对直流母线之间且具有开关。11.一种输送机械，其具有权利要求1?10中的任意一项所述的驱动装置。
【文档编号】H02H9/04GK105871289SQ201610055592
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月27日
【发明人】真田朋彦, 东川康儿, 矶部祐, 樋口爱子, 池田史亮, 山田健二
【申请人】株式会社安川电机