专利名称：压电器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及压电器件，特别涉及一种具有使用压电基板和压电薄膜之压电元件的压电器件，比如谐振器和滤波器。
背景技术：
近年来，已经开发出芯片尺寸封装(CSP)，其中如带压电基板的声表面波(SAW)滤波器和包含压电薄膜的体声波(BAW)滤波器的压电器件都被制成元件芯片尺寸。
例如，图5所示的压电器件2包括压电基板3，该基板具有多个压电元件，这些元件包括多个IDT(interdigital transducer-叉指型换能器，叉指型电极)4a和比如设在压电基板3的一个主表面3a上的垫片4b类的导电图样；覆盖主表面3a的覆盖层6，其间具有支撑层5；以及多个外部电极7，它们露出到所示覆盖层6的外面。压电器件2以正面向下对准的方式被安装在电路板1之布线图样1a的预定位置处(比如参见日本未审专利申请公开JP平11-251866)。
日本未审专利申请公开JP平11-251866中所述的压电器件2，通过所述覆盖层6中形成的孔使多个外部电极7与各垫片4b电连接，从而通过电解电镀或蒸镀嵌入所述的外部电极7。相应地，由于不能使IDT 4a周围的振动空间被充分地封闭，因而必须在将压电器件2安装在电路板1上之后，通过在二者之间使用带有缓冲树脂8的增强树脂9覆盖所述空间而密封整个压电器件2。
发明摘要为克服上述问题，本发明的优选实施例提供一种压电器件置，在使之小型化的同时能够提高防潮性能，在将其安装在电路板上以后无须密封；本发明还提供一种制造这种压电器件的方法。
本发明的第一优选实施例提供一种压电器件，它包括a)元件基板，该基板具有压电元件和与设在主表面上的压电元件电连接的导电图样；b)布置在元件基板主表面上的压电元件外部周缘的支撑层；c)延伸的覆盖层，用以在将所述覆盖层布置在所述支撑层上之后，通过除去元件基板外部周缘内的部分元件基板，从元件基板外部周缘的法线方向看，在所述元件基板的外部周缘内提供一个沟槽，所述沟槽分布于所述元件基板的整个外部周缘；d)绝缘增强材料，它整个地覆盖从覆盖层直到元件基板周缘表面的外周的覆盖层附近的所述元件基板的各部分；以及e)电连接件，它与导电图样电连接，从而通过所述的覆盖层以及增强材料。
按照上述结构，所述压电元件与所述覆盖层相对，其间插有支撑层，并在压电元件周围给出一个空间，以使压电元件自由地振动。由于可由增强材料封闭压电元件，所以压电器件具有明显提高的防潮性能，并且在将其安装于电路板上之后，无需用树脂密封。
从所述元件基板周缘表面的法线方向看，最好使所述覆盖层自支撑层周缘延伸到它的外部。
按照上述结构，将比所述支撑层大的覆盖件布置在所述支撑层上，并通过除去该支撑层的外部，只除去所述覆盖件，而不除去支撑层，从而以去掉的覆盖件而给出所述覆盖层。因此可以将去除工作量减到尽可能地少，从而提高处理的速度。另外，可使覆盖层与增强材料之间的接触面积增大，同时提高密封能力。
最好用聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂和有机硅树脂当中之一制成所述覆盖层或支撑层，而增强材料比如为环氧树脂或有机硅树脂。也可以将其它适宜的材料用于所述覆盖层或支撑层。
如果在树脂固化的过程中产生卤素气体，就会因压电元件或元件基板腐蚀以及气体附着于压电元件表面之故而引起特性变差。采用上述结构，由于使用这些不会产生卤素气体的树脂，可以避免这样的问题。
为解决上述问题，本发明的另一优选实施例提供一种有如下述构成的制作压电器件的方法。
一种同时制作多个压电器件的方法，它包括如下步骤，a)第一步在支撑层上布置覆盖层，同时在具有压电元件的元件基板上以及与压电元件相连的导电图样上设置第一导电元件，穿过所述覆盖层，所述元件基板和导电图样都设在主表面上；b)第二步至少在元件基板的外部周缘内，用激光束除去从所述覆盖层到元件基板的范围内各部分，以便从元件基板主表面的法线方向看，在压电器件的元件基板的外部周缘内部给出一个沟槽，该沟槽在元件基板的整个外部周缘上延伸；c)第三步在所述元件基板及覆盖层上布置绝缘增强材料，以便整个地盖住靠近自覆盖层到元件基板范围内的覆盖层的元件基板的各部分，同时提供第二导电元件穿过所述增强材料，与第一导电元件相连。
所述压电元件与覆盖层相对，它们之间嵌入有支撑层，同时在压电元件周围给出一个空间，使压电元件得以自由地振动。由于可由增强材料使所述压电元件得以被密封，所以，压电器件具有明显被提高的防潮性，而且在将其安装在电路板上以后无需再用树脂覆盖。
用激光除去所述覆盖层时，如果没有沿各压电器件之间界面设置的支撑层，则只除去所述覆盖层，或者如果存在所述支撑层，它也会被除去。
当在增强材料附近设置多个外部电极时，在覆盖层中设置多个通孔，以便配置导线而使元件基板的导电图样和各外部电极电连接。通过使用激光形成通孔，也可以使覆盖层被除去。
所述激光束的波长最好比如为355nm或更短。
采用这种波长的激光束除去各种树脂，但不能除去金属。因此，当沿着各压电器件之间的界面，在所述元件基板上设有导电图样，如金属的供电线时，只有覆盖层被除去，而使金属供电线留下，以便在除去所述覆盖层之后，用于在电解电镀过程中供电，以及用于元件基板的热电接地。
所述方法最好还包括一个在第一步和第二步之间实行的步骤，沿着压电器件之间的界面除去设在元件基板主表面上的导电图样，其中每个器件是一个单独的压电器件。
在这种情况下，在元件基板与增强材料之间没有导电图样，因而可使所述器件大大提高防潮性能。
可将沿各压电器件之间界面设置的导电图样用作电解电镀的供电线，但在除去所述图样之后就不能再使用它，因此，难于通过这种电解电镀形成外部电极。既然这样，就通过化学镀来形成所述图样。作为另外的选择，在布置增强材料之前，可在覆盖层上设置金属柱，作为第二导电部件，使之与第一导电部件电连接，从而在布置增强材料之后，可使所述金属柱从所述增强材料露出。
第三步最好包括在减压氛围中固化在元件基板和覆盖层上所布置的增强材料。
即使在固化增强材料期间所产生的固化气体含有比如卤素气体等将会引起特性变差的有害影响成分，也能防止这种成分进入封闭着压电元件的密封空间，从而防止因固化气体中所含有害影响成分而引起的所述特性变差。
本发明一种优选实施例的压电器件于小型化的同时实现了使防潮性能被大大提高，并且在安装于电路板上以后无须密封。依照本发明优选实施例的制造压电器件的方法，在使器件小型化的同时其防潮性能得到很大提高，从而能够制成声表面波器件，这种器件被安装在电路板上以后无须密封。
从以下参考附图对本发明优选实施例的详细描述，将使本发明的其他特征、要素、步骤、特性及优点变得愈为清晰。
图1是声表面波滤波器第一种优选实施例的截面图；图2是本发明第一优选实施例声表面波滤波器的平面图；图3A-3J是描述本发明第一优选实施例声表面波滤波器制作过程的示例性示意图；图4A-4J是描述本发明第二优选实施例声表面波滤波器制作过程的示例性示意图；图5是传统声表面波滤波器的截面图。
具体实施例方式
以下将参考图1-4描述本发明的优选实施例。
如图1的截面视图所示，声表面波滤波器10包括压电基板12，该压电基板12一个上主表面14上具有最好由金属膜20形成的多个压电元件和导电图样，所述压电元件包括多个IDT 22，而所述导电图样包括多个垫片24。在所述上表面14上，覆盖层50被布置在中间支撑层30上，支撑层30介于它们二者之间，从而在各IDT 22周围形成一个振动空间26。支撑层30设在各IDT 22周围，声表面波通过压电基板12的振动空间26附近的支撑层30自由地传播。此外，绝缘增强材料70完全覆盖从覆盖层50到上表面14周围的部分。外部电极80从增强材料70露出，因而可以将声表面波滤波器10置于电子设备的电路板上。压电基板12的另一主表面15上(图中底部)布置保护树脂层16。
覆盖层50延伸至支撑层30的周缘表面34，从而覆盖支撑层30，而且，它还可以向着周缘表面34的外侧延伸。正如将要描述的那样，在覆盖层50和增强材料70中设置多个通孔，以使电线穿过，与垫片24和外部电极80相连。
增强材料70沿着压电基板12上表面14的外围延伸，并覆盖整个外围，从而封闭压电基板12的上表面14。这样，使振动空间26被严密地密封并与周围环境隔绝。
可以同时制作多个声表面波滤波器10，图2示出正在制造过程中的两个带有分界线的声表面波滤波器10。
如图2所示平面视图表示的那样，设置四个外部电极80a，80b，80c和80d，作为外部电阻80。外部电阻80a和80d是接地端，外部电阻80b是输入端，外部电阻80c是输出端。
在压电基板12的晶片上表面上，设置由图2中虚线所示意表示的金属薄膜图样。另外，图2右侧的声表面波滤波器10中未示出该金属膜。
声表面波滤波器10中，设置四个IDT22a、22b、22c和22d，作为IDT22；设置五个垫片24a、24b、24c、24d和24x，作为垫配24。另外，还设有导线，以便连接IDT 22a、22b、22c、22d和垫片24a、24b、24c、24d及24x。另一方面，在相邻的声表面波滤波器10的边界上设置导电线21。此外，设置短线25a、25b、25c和25d，用以使所述导电线21与声表面波滤波器10内的电线连接。在IDT 22a两侧、与IDT 22c相对的IDT 22b上以及与IDT 22c相对的IDT 22d上设置反射器。除了所述IDTs和反射器之外，金属图样不需要由支撑层所环绕。例如，使垫片24a、24b、24c、24d、24x与各IDT相连的部分导线可以从支撑层30露出。
布置在支撑层面30上的覆盖层50设有多个下安装通孔(透孔)，它们设在与那些垫片24a、24b、24c、24d和24x相应的位置处。在覆盖层50的上表面上，设有如图2右侧的声表面波滤波器10中的双点划线所示的接地线60。此外，图2左侧的声表面波滤波器10中，未示出接地线60。接地线60的两端60a和60b通过穿过覆盖层50和支撑层30的通孔与垫片24a和24d电连接。接地线60的中间点60x通过穿过覆盖层50和支撑层30的通孔使垫片24x与IDT 24x电连接。接地线60与热布线(hot witing)立体交叉，所述热布线使IDT 22a与IDTs 22b和22d连接，其间所夹的绝缘支撑层30和覆盖层50。
如图2右侧声表面波滤波器10中的虚线所示，最好使增强材料70带有实质上为矩形的孔72a、72b、72c和72d，并使外部电极80a、80b、80c和80d通过各孔72a、72b、72c和72d分别与垫片24a、24b、24c和24d电连接。此外，图2左侧声表面波滤波器10中，未示出增强材料70的实质上为矩形的孔。
接下去，将参考附图3描述声表面波滤波器10的制造方法。
如图3A所示，在压电基板12的晶片上表面14上设置金属薄膜20。例如，在厚度约为0.3mm、直径约为100mm的LiTaO基板上，利用沉积抬升工艺(deposition lift-off technology)由约100mm厚的Al膜形成IDT22、垫片24以及导电线21等部件(见图2)。导电线21的线宽最好比如约为20μm。进而，为在接下去的电镀过程中用作供电薄膜，通过沉积抬升工艺或其它适宜的方法，最好由厚度分别约为10nm和1μm的Al制成垫片24和导电线21部分(见图2)。
然后如图3B所示，在压电基板12的晶片上表面14上设置支撑层30。在与各IDT22和垫片24的开口对应的部分，所述支撑层30设有多个开口。相邻的声表面波滤波器10之间设有沟槽，并且导电线21上也设有开口(见图2)。例如，在压电基板12的晶片上表面14上涂上一层厚度比如约为20μm的负性感光聚酰亚胺，并使它干燥、曝光、后暴露烘焙(PEB)并显影，以便在声表面波滤波器10之间的部分具有多个开口，并与各IDT22和垫片24的开口对应的图样中形成支撑层30。与此同时，采用灰度可调光掩膜，在垫片24的开口中提供呈前向锥形的倾斜表面32，以利于在接下去的步骤中形成布线40。
继而如图3C所示，设置布线40，使从垫片24伸向支撑层30的上表面的垫片部分(线宽比如约为30μm)。考虑到接下去的电镀，最好用比如在厚度约为10nm的Ti膜上所形成的厚度约为3μm的Cu膜制成所述布线40。同时，还可在支撑层30的上表面上形成短线25a-25d(见图2)，用作电镀线(比如线宽约为30μm，膜厚约为3μm)，以便连接支撑层30上部表面的垫片部分(比如具有约为30μm的线宽)和导电线21(见图2)。另外，如果用Al代替Cu，虽然有利于在接下去的激光处理过程中减少损坏，但需要联合处理作为电镀的预处理，并增加制作的成本。
然后如图3D所示，设置覆盖层50。比如通过辊压层压法，在整个晶片表面上结合一层由厚度为约15μm-30μm并涂敷有聚酰亚胺粘合剂的聚酰亚胺膜所制成的薄层，并在约200℃条件下使之固化。
接下去如图3E所示，在覆盖层50中形成多个通孔(透孔)52，并通过除去突出于支撑层30周缘表面34的部分覆盖层50，在相邻的声表面波滤波器10之间的界面中形成沟槽54。例如，使用THG(三次谐波发生)激光，在覆盖层50上形成多个直径约为10μm的通孔52以及沟槽54之后，通过O2灰化去除的激光加工残渣。
在使用THG激光(波长355nm)的情况下，由于覆盖层50的聚酰亚胺膜的激光吸收率约为99％，并且导电线21和短线25a-25d的Al的激光吸收率约为10％，于是，在通过去除覆盖层50的突出部分而形成沟槽54时，位于该突出部分之下的晶片上部表面14上形成的导电线21不会被激光去除。即使采用SHG(二次谐波发生)激光(波长532nm)或CO2激光(波长10.6μm)，只要适当选用激光工艺条件，如增粗导电线21，则经过一次切割后，仍可以在相邻的声表面波滤波器10之间形成所述沟槽54。
由于相邻声表面波滤波器10的支撑层30因周缘表面34的缘故而存在缝隙，所以，在短时间内只有覆盖层50能被激光去除。与此同时，当增大激光束直径时，为获得同样的能量密度(具有同等的加工速度和加工形状)，需要更大的输出功率。因此，必须通过尽可能小地减小加工宽度来提高加工速度，以增大能量密度。也就是说，最好使除去之后的覆盖层50伸向支撑层30的周缘表面34外面。再有，还可以增大覆盖层和增强材料之间的接触面积，同时提高密封性能。
接着如图3F所示，将导电材料嵌入多个通孔52。比如通过Cu电解电镀用导电线21作为供电膜嵌入各通孔52。
继而如图3G所示，在覆盖层50上形成接地线60和热配线65，用以连接各通孔52和外部电极80。比如，采用沉积抬升工艺形成所述接地线60和热配线65。与此同时，为使接下去的电镀容易，依序形成厚度约为100nm的Ti，厚度约为1μm的Al和厚度约为100nm的Cu。
接下去如图3H所示，在用增强材料70涂在压电基板12的晶片上表面14、支撑层30和覆盖层50上之后，如图3I所示那样，在已固化的增强材料70中形成多个通孔72，从而露出地线60和热配线65。例如，将环氧树脂、有机硅树脂、低温玻璃碎屑、聚酰亚胺树脂或丙烯酸酯树脂用作所述增强材料70，使得在覆盖层50上具有约30μm的厚度，这之后，形成多个直径约为100μm的通孔72。在使用光敏树脂时，最好采用平版印刷技术形成所述多个通孔72，而在采用非光敏树脂时，可以利用激光来形成各个通孔。
如果在所述增强材料70固化过程中有卤素气体产生，会因对IDT 22和压电基板12的腐蚀以及有气体附著在元件表面上的缘故，导致性能变差。所述覆盖层50和支撑层30最好采用聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂和有机硅树脂，而所述增强材料70采用环氧树脂或有机硅树脂，因为不会产生卤素气体。当在减低压力的氛围中固化所述增强材料70时，即使所用树脂有卤素气体产生，也可以避免卤素气体进入其中密封着所述IDT22的振动空间26内，同时防止性能的变差。
接着如图3J所示那样形成外部电极80，这些外部电极80经各通孔72与接地线60和热配线65连接，同时在所述压电基板12的下表面15上提供保护树脂层16。
具体地说，通过对所述接地线60和热配线65经所述通孔72露出的各部分进行电镀，相继形成厚度约为300nm的Ni和厚度约为100nm的Au，以此作为所述外部电极80的底膜(sub-film)。代替形成这种底膜，也可以通过用Cu嵌入各通孔72，而使外部电极80自身被镀以Ni和Au。然后，在所述压电基板12的整个晶片下表面涂上厚度约为10μm的环氧树脂以后，通过关于各通孔72部分对外部电极印制焊料，并在其上回流焊接，而形成圆珠状外部端子。
最后，在相邻声表面波滤波器10之间边界处切割所述压电基板12的晶片，将所述压电基板12分为单块的声表面波滤波器10。此时，通过仅切割所述增强材料70，防止所述支撑层30和覆盖层50因这种切割而露出。不过，短线25a-25d的切割面会从已分割的声表面波滤波器10的侧表面露出(见图2)。
制作如上所述之声表面波滤波器10时，省去对准结合的过程，并用廉价的辊压层压法制造所述覆盖层50，因此可以降低制造成本。采用THG激光，可以形成所述直径约为10μm的各通孔52，从而使元件小型化。由于不使用光敏树脂，所以能使对于覆盖层50和增强材料70的材料选择自由度增大。所述覆盖层50和各配线均被增强材料70所覆盖，因而不会露到外面，确保可靠性。由于通过电镀形成所述各配线，其通路导通的无缺陷率极佳。把电镀和焊接结合起来，可使外部电极80的强度增强。对于增强材料70和保护树脂层16而言，可以确保它们抵抗安装冲击的强度。由于支撑层30、覆盖层50和增强材料70均为树脂，以及由于它们的缓冲效果，就能可靠地防止比如因安装冲击及热冲击所引起的布线断裂等缺陷。
接下去将参照图4A-4J描述第二优秀实施例的声表面波滤波器10a。
按照本发明的第二优秀实施例，一部分制作的过程与第一优秀实施例不同，致使短线25a-25d(见图2)的切割表面不再从声表面波滤波器10a的侧表面露出。下面将主要描述与第一优秀实施例不同的各点。
如图4A-4D所示，在压电基板12的晶片上表面14上形成金属膜20之后，以与第一优秀实施例同样的方式形成支撑层30。然后在形成从各垫片24延伸到支撑层30表面的布线40之后，由覆盖层50覆盖所述布线40。
继而如图4E所示，在覆盖层50中形成多个通孔52，并以导电材料嵌入各通孔52。譬如，在利用THG激光于覆盖层50上形成直径约为10μm的各通孔52之后，通过O2灰化除去激光处理的残渣。然后在使用导电线21作为供电膜的同时(见图2)，通过Cu电解电镀埋入各通孔52。
接着有如图4F所示，在覆盖层上形成接地线60和热配线65，用以使各通孔52与各外部电极80相连。例如，通过沉积抬升工艺形成接地线60和热配线65。这时，考虑到接下去的电镀，相继形成厚度约为100nm的Ti、厚度约为1μm的Al和厚度约为100nm的Cu。
然后再如图4G所示，在覆盖层50上形成沟槽54。这时，还除去与导电线21及各垫片24a-24d连接的短线25a-25d(见图2)。譬如，在用THG激光处理之后，通过O2灰化除去激光处理的残渣。
接下去如图4H所示，以增强材料70涂敷晶片的上表面14，以便由增强材料70覆盖支撑层30和覆盖层50，然后再如图4I所示，在固化的增强材料70中形成各通孔72，以便露出所述接地线60和热配线65。例如，最好将环氧树脂、有机硅树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸酯树脂用作所述增强材料70，使得在覆盖层50上具有约30μm的厚度，并形成多个直径约为100μm的通孔72。在使用光敏树脂时，采用平版印刷技术形成所述多个通孔72，而在采用非光敏树脂时，利用激光形成各个通孔。
然后如图4J所示，形成各个外部电极80，它们经各通孔72连到接地线60和热配线65，同时在压电基板12的下表面15上形成保护树脂层16。
具体地说，在通过电解电镀而由各通孔72露出的接地线60和热配线65的各部分上，相继形成厚度约为300nm的Ni和厚度约为100nm的Au，以此作为所述外部电极的底膜。代替形成这种底膜，也可以通过用Cu电镀嵌入各通孔72，而使外部电极自身被电解电镀以Ni和Au。然后，在所述压电基板12的整个晶片下表面涂上厚度约为10μm的环氧树脂以后，通过关于各通孔72部分对外部电极印制焊料，并在其上回流焊接，从而形成圆珠状外部端子。
最后，通过切割位于相邻声表面波滤波器10a之间边界处的压电基板12的晶片，将压电基板12分割为单个的声表面波滤波器10a。此时，通过仅切割增强材料70，使支撑层30和覆盖层50不会因为切割而暴露出来。
当在覆盖层50上形成沟槽54时，除去短线25a-25d(见图2)，使短线25a-25d的布线不会从增强材料70外侧露出，同时提高声表面波滤波器10a的可靠性。
此外，第二优选实施例的声表面波滤波器10a也能达到第一优选实施例声表面波滤波器10同样的优点。
如上所述，通过用增强材料70密封IDT22周围的振动空间26，使声表面波滤波器10和10a的防潮性大大提高，同时使其小型化，并且在将它安装在电路板上以后不再需要密封。
此外，本发明并不限于上述优选实施例，以致可以作出各种改型。
本发明并不限于声表面波滤波器，以致本发明也可以包括那些具有利用声表面波的元件的压电器件和其它压电器件，如体声表面波滤波器，它的基板上有用压电薄膜形成的压电元件。
虽然说明已描述过本发明的一些优选实施例，但对于那些熟悉本领域的人能够理解，各种变化和改型都将是显然的。因此，本发明的范围将由下述各权利要求各自确定。
权利要求
1.一种压电器件，它包括元件基板，该基板具有压电元件和与所述元件基板主表面上的压电元件连接的导电图样；支撑层，它布置在所述元件基板主表面上的压电元件周缘处；覆盖层，它覆盖所述支撑层，并被布置成在所述元件基板的外部周缘内提供沟槽，所述沟槽围绕所述元件基板的整个外部周缘伸展；绝缘增强材料，它被布置成整个覆盖元件基板靠近所述覆盖层的各部分，并在从覆盖层直到元件基板主表面的外部周缘的范围；以及电连接件，它与导电图样电连接，从而通过所述覆盖层和增强材料。
2.如权利要求1所述的器件，其中，从所述元件基板主表面的法线方向看，所述覆盖层延伸至所述支撑层的周缘表面的外面。
3.如权利要求1所述的器件，其中，用聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂和有机硅树脂当中之一制成所述覆盖层或支撑层，而增强材料是环氧树脂或有机硅树脂。
4.一种同时制作多个压电器件的方法，包括如下步骤设置元件基板，所述元件基板具有压电元件和导电图样，所述导电图样与所述元件基板主表面上的压电元件连接；还设置位于所述压电元件周围的支撑层；以及第一步，在所述支撑层上布置覆盖层，再形成穿过所述覆盖层的第一导电元件，以便与导电图样相连；第二步，至少在元件基板的外部周缘内，去除从所述覆盖层到元件基板的范围内的覆盖层，以便在元件基板的外部周缘内形成沟槽，该沟槽围绕着元件基板的整个外部周缘延伸；第三步，在所述元件基板及覆盖层上布置绝缘增强材料，以便整个盖住靠近自覆盖层到元件基板范围内的覆盖层的元件基板的各部分。
5.如权利要求4所述的方法，其中，用激光束实行所述的去除步骤，激光束的波长约为355nm或更短。
6.如权利要求4所述的方法，其中，从所述元件基板主表面的法方向看，所述沟槽使一个压电器件与另一个分开。
7.如权利要求6所述的方法，其中，在所述第一步与第二步之间还实行一个步骤，沿各压电器件之间的界面去除所述元件基板主表面上的导电图样，使每个压电器件成为单独的器件。
8.如权利要求4所述的方法，其中，所述第三步包括在降低气压的氛围中使被布置在元件基板和覆盖层上的增强材料固化。
9.如权利要求4所述的方法，其中，所述第三步包括形成嵌入增强材料以与第一导电元件相连的第二导电元件。
10.如权利要求4所述的方法，其中，用聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂和有机硅树脂当中之一制成所述覆盖层或支撑层，而增强材料是环氧树脂或有机硅树脂。
全文摘要
一种压电器件包括元件基板，该基板具有压电元件和与压电元件连接的导电图样；布置在压电元件周缘内的支撑层；覆盖层，它伸展成在元件基板的外部周缘内提供沟槽，在将覆盖层布置在支撑层上之后，通过除去元件基板外部周缘内的部分覆盖层和/或支撑层，所述沟槽在元件基板的整个外部周缘范围；绝缘增强材料，它整个盖住从覆盖层直到元件基板主表面的外部周缘范围内的元件基板的各部分；以及电连接件，它与导电图样电连接，从而通过所述覆盖层和增强材料。
文档编号H03H3/08GK1839543SQ20058000072
公开日2006年9月27日 申请日期2005年6月17日 优先权日2004年7月14日
发明者岩本敬, 越户义弘 申请人:株式会社村田制作所