弹性波元件、通信组件、以及通信装置的制作方法

专利名称：：弹性波元件、通信组件、以及通信装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及安装在移动电话终端、PHS(PersonalHandy-phoneSystem，个人手持式电话系统)终端、无线LAN系统等移动体通信设备(高频无线通信设备)中的弹性波元件。特别涉及在压电基板上形成有梳状电极(下面称为IDT电极。IDT:InterdigitalTransducer)、并使弹性表面波装置的温度特性和不需要波控制方法共存，所述弹性表面波装置以覆盖该梳形电极的方式形成有绝缘层。另外，涉及具有这样的弹性波元件的通信组件以及通信装置。
背景技术：
：在使用于移动体通信系统的双工器和RF滤波器中，要求同时满足宽频带和良好的温度特性。以往，在使用于双工器和RF滤波器的弹性表面波装置中，使用由Y切36。50°旋转X传播的钽酸锂(LiTa03)构成的压电基板。该压电基板的频率温度系数(TCF:Temperaturecoefficientoffrequency)是一40一30ppm/。C左右。另夕卜，公知以下方f去为了改善温度特性，在压电基板上以覆盖IDT电极的方式形成TCF为正的氧化硅(Si02)膜。另一方面，专利文献1公开了一种弹性表面波装置的制造方法，该弹性表面波装置出于与上述的改善频率温度系数的目的不同的另外目的，而以覆盖弹性表面波装置的IDT电极的方式形成有绝缘性或半导电性的保护膜。图15是表示专利文献1所记载的弹性表面波装置的示意截面图。在图15中，在弹性表面波装置100中，在压电基板101上形成有由铝(Al)或以Al为主成分的合金构成的IDT电极102。在形成有IDT电极102的区域以外的区域中形成有绝缘性或半导电性的电极爪间膜103。另外，形成有绝缘性或半导电性的保护膜104，以覆盖IDT电极102和电极爪间膜103。在专利文献1中记载有以下内容电极爪间膜103和保护膜104由Si02等绝缘体和硅等的半导电性物质构成。根据专利文献1所公开的结构，通过形成电极爪间膜103，抑制由于压电基板101所具有的热释电性而电极爪间的放电导致的特性劣化。另外，在专利文献2中公开了如下构成的单端口型弹性表面波谐振器在由晶体或铌酸锂(LiNb03)构成的压电基板上形成有由铝或金等金属构成的电极，并且在形成Si(^膜后，使该Si02膜平坦化。通过如此将Si02膜平坦化，能够得到良好的谐振特性。另外，在专利文献3中公开了以下结构，该结构包括压电基板，由机电耦合系数(k2)为0.025以上的LiNb(^构成；至少一个的电极，形成在压电基板上，并由密度比A1大的金属或以该金属为主成分的合金形成或者由层积膜形成，该层积膜由密度比Al大的金属或以该金属为主成分的合金和其他金属构成；第一绝缘体层，在除去形成有所述至少一个的电极的区域以外的剩余区域中形成为与电极大致相等的膜厚；以及第二绝缘体层，形成为覆盖电极和第一绝缘体层，其中，电极的密度是第一绝缘体层的1.5倍以上，第二绝缘体层的厚度当将表面波的波长设为A时处于O.18A0.34A的范围，第二绝缘体层的表面的凸部的突出高度当将表面波的波长设为A时处于0.03A以下。在专利文献3所公开的结构中，IDT电极的反射系数足够大，难以发生在谐振特性等中出现的波动导致的特性恶3化。专利文献1:日本专利文献特开平11-186866号公报；专利文献2:日本专利文献特开昭61-136312号公报；专利文献3:日本专利文献特许第3885824号公报。
发明内容(发明所要解决的问题)但是，在各专利文献所公开的结构中，在弹性波元件的导纳(s系数)的绝对值的频率响应中，如图16所示，存在以比作为目标的主响应A高的频率产生不需要波B的缺点。如图16所示的特性是对弹性波元件200使用表1所示的物理参数并通过有限元方法(FEM:FiniteElementMethod)进行仿真所得的结果，所述弹性波元件200如图17所示那样在压电基板203上具有周期A为2iim的IDT电极202，并且具有Si02膜201以覆盖IDT电极202。[表l]使用物理参数<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>如图16所示，如果存在无用响应(不需要波B)，则当使用弹性波元件形成了滤波器时，存在在通频带外的抑制变差的问题。不需要波的大小和SiOj莫的膜厚具有图18所示的关系，虽然为了抑制不需要波，优选使Si02膜的膜厚变薄，但是如果使Si02膜的膜厚变薄，则如图19所示那样产生温度特性恶化的问题。图19表示Si02膜的膜厚和TCF的关系。本发明的一目的在于实现能够在抑制不需要波的同时提高温度特性的弹性波元件。另外，本发明的一目的在于实现可靠性高的通信组件、通信装置。(解决问题的手段)本发明的弹性波元件包括压电基板；梳齿型的电极，形成在所述压电基板上；以及绝缘层，形成为覆盖所述电极；其中，还包括形成在所述绝缘层上的变位调整膜，所述变位调整膜通过音速比形成所述绝缘层的物质慢的物质形成。(发明的效果)根据本发明，可实现能够在抑制不需要波的同时提高温度特性的弹性波元件。另外，可实现可靠性高的通信组件、通信装置。图1是实施方式中的弹性波元件的截面图；图2A是表示变位调整膜的膜厚为lnm时的谐振频率的能量分布的分布图；图2B是表示变位调整膜的膜厚为lnm时的反谐振频率的能量分布的分布图；图2C是表示变位调整膜的膜厚为lnm时的不需要波的能量分布的分布图；图3A是表示变位调整膜的膜厚为10nm时的谐振频率的能量分布的分布图；图3B是表示变位调整膜的膜厚为10nm时的反谐振频率的能量分布的分布图；图3C是表示变位调整膜的膜厚为10nm时的不需要波的能量分布的分布图；图4A是表示变位调整膜的膜厚为30nm时的谐振频率的能量分布的分布图；图4B是表示变位调整膜的膜厚为30nm时的反谐振频率的能量分布的分布图；图4C是表示变位调整膜的膜厚为30nm时的不需要波的能量分布的分布图；图5是表示Si02膜的膜厚和TCF的关系的特性图；图6是表示图5所示的变位调整膜的各条件下的、Si02膜的膜厚和TCF的关系的特性图；图7是表示图5所示的变位调整膜的各条件下的、谐振频率的TCF和不需要波的强度的关系的特性图；图8是表示图5所示的变位调整膜的各条件下的、反谐振频率的TCF和不需要波的强度的关系的特性图；图9是表示由各种物质形成变位调整膜时的、变位调整膜的膜厚和不需要波的大小的关系的特性图；图10是表示由各种物质形成变位调整膜时的、变位调整膜的音速和不需要波的大小的关系的特性图；图11是表示由各种物质形成变位调整膜时的、变位调整膜的膜厚和不需要波的大小的关系的特性图；图12A是用于说明实施方式的弹性波元件的制造步骤的截面图；图12B是用于说明实施方式的弹性波元件的制造步骤的截面图；图12C是用于说明实施方式的弹性波元件的制造步骤的截面图；图12D是用于说明实施方式的弹性波元件的制造步骤的截面图；图12E是用于说明实施方式的弹性波元件的制造步骤的截面图；图12F是用于说明实施方式的弹性波元件的制造步骤的截面图；图13是表示具有实施方式的弹性波元件的通信组件的结构的框图；图14是表示具有实施方式的弹性波元件或通信组件的通信装置的结构的框图；图15是表示专利文献1所记载的表面波装置的示意截面图；图16是表示以往的弹性波元件的频率响应特性的特性图；图17是表示以往的弹性波元件的结构的截面图；图18是表示不需要波的大小和Si02膜的膜厚的关系的特性图；图19是表示Si02膜的膜厚和频率温度系数的关系的特性图。具体实施例方式本发明的弹性波元件的第一结构是包括压电基板、形成在所述压电基板上的梳齿型电极、以及以覆盖所述电极的方式形成的绝缘层的弹性波元件，还包括形成在所述绝缘层上的变位调整膜，所述变位调整膜是由音速比形成所述绝缘层的物质慢的物质形成的。通过这样的结构，能够在抑制不需要波的同时提高温度特性。本发明的弹性波元件以上述结构为基本而能够采取以下各种方式。S卩，在本发明的弹性波元件中，也可以是，所述电极通过金属或以该金属为主成分的合金构成，或者通过由金属和其他金属构成的积层膜构成。另外，本发明的弹性波元件也可以是以下结构，即所述绝缘层由Si02形成，所述变位调整膜通过音速比Si(V瞎的物质的单层膜形成，或者通过以音速比Si(V瞎的物质中的某一个物质为主成分的积层膜形成。另外，在本发明的弹性波元件中，也可以是，所述变位调整膜通过Au、Ag、Pt、Ta、Cu、W、Ti、Ni中的某一个的单层膜形成，或者通过以Au、Ag、Pt、Ta、Cu、W、Ti、Ni中的某一个物质为主成分的积层膜形成。另外，本发明的弹性波元件的第二结构包括压电基板；梳齿型的电极，形成在所述压电基板上；第一绝缘层，在所述电极间形成为与所述电极大致相等的膜厚；以及第二绝缘层，形成为覆盖所述电极和第一绝缘层；其中，还包括形成在所述第二绝缘层上的变位调整膜，所述变位调整膜通过音速比形成所述第二绝缘层的物质慢的物质形成。通过这样的结构，能够抑制不需要波的，同时能够提高温度特性。另外，由于在制造时不需要抛光步骤，因此易于制造并且能够削减制造成本。另外，本发明的弹性波元件的制造方法中的所述弹性波元件包括压电基板；梳齿型的电极，形成在所述压电基板上；绝缘层，形成为覆盖所述电极；以及变位调整膜，形成在所述绝缘层上，并通过音速比所述绝缘层慢的物质构成，其中，所述弹性波元件的制造方法包括在所述压电基板上形成所述电极的步骤；在所述压电基板上以覆盖所述电极的方式形成所述绝缘层的步骤；以及在所述绝缘层上形成所述变位调整膜的步骤。根据这样的方法，由于在制造时不需要抛光步骤，因此易于制造并且能够削减制造成本。另外，本发明的通信组件包括上述弹性波元件。另外，本发明的通信装置包括上述通信组件。(实施方式)[1.弹性波元件的结构]图1表示实施方式1中的弹性波元件的结构。在图1中，弹性波元件1在压电基板14上形成有梳形的IDT电极13，并且以覆盖IDT电极13的方式形成有Si02膜12。在本实施方式中，还在SiOj莫12的上部形成有变位调整膜11。变位调整膜ll由音速比形成Si(^膜12的物质慢的物质的单层膜或以音速比形成SiOj莫12的物质慢的物质为主成分的积层膜形成。例如，变位调整膜11优选由金(Au)、银(Ag)、钼(Pt)、钽(Ta)、铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)中的任一个的单层膜或者以其中的任一物质为主要成分的积层膜形成。特别是，由于Ta和W具有靠近Si02音速的音速，优选谐振频率的变动少。另外，由于Ti与Si02的贴紧性优良，优选Ti。另外，SiOj莫12是绝缘层的一个示例。通常，物质的线膨胀系数为正，如果使用一般的制造方法形成弹性波元件，则该弹性波元件的TCF为负，当元件温度发生变化时特性发生变动。因此，通过与TCF为正的Si02组合，使TCF靠近O。但是，如果为了改善TCF而使SiOj莫的膜厚变厚，则如前述的图18所度变大。即，在TCF和不需要波的强度之间存在折衷选择(trade-off)的关系。图2A表示变位调整膜11由Au形成并将其厚度设为1mm时的主响应的谐振频率的能量分布。图2B表示同样结构中的反谐振频率的能量分布。图2C表示同样的结构中的不需要波在谐振频率中的能量分布。图3A图3C表示将变位调整膜11的膜厚设为10nm时的主响应的谐振频率(图3A)、反谐振频率(图3B)、不需要波在谐振频率中(图3C)的能量分布。图4A图4C表示将变位调整膜11的膜厚设为30nm时的主响应的谐振频率(图4A)、反谐振频率(图4B)、不需要波在谐振频率中(图4C)的能量分布。在各图中，区域21表示变位调整膜11中的能量分布、区域22表示Si02膜中的能量分布、区域23表示IDT电极13中的能量分布、区域24表示压电基板14中的能量分布。如图2A和图2B所示，在变位调整膜11薄的情况下，主响应在谐振频率和反谐振频率中能量高的区域到达至Si02膜12的区域22和压电基板14的区域24的边界近旁，但是如图4A和图4B所示，在变位调整膜厚的情况下，主响应在谐振频率和反谐振频率中能量高的区域集中到弹性波元件1的表面(变位调整膜11的区域21)。这是因为Au的音速比Si(^的音速慢。例如，当如碳化硅(SiC)那样由音速比Si(^音速快的物质形成了变位调整膜11时，反而能量高的区域移动到压电基板14的内部侧，压电基板14的线膨胀系数的影响度变高，TCF恶化。如图5所示，对以10nm的膜厚形成Au的情况和以10nm的膜厚形成SiC的情况进行比较可知，形成了Au的一方改善了TCF。S卩，当用Au形成了变位调整膜11时，由于响应时的谐振频率和反谐振频率的能量高的区域集中到弹性波元件1的表面，因此压电基板14的线膨胀系数的影响度变低，TCF得到改善。另夕卜，图5是表示用膜厚5nm的Au形成了变位调整膜11的情况、用膜厚10nm的Au形成了变位调整膜11的情况、用膜厚20nm的Au形成了变位调整膜11的情况、用膜厚10nm的SiC形成了变位调整膜11的情况、没有形成变位调整膜11的情况(以往公知例)下的、Si02膜12的膜厚与TCF之间的关系。在图5所示的图表中，横轴是Si02膜12的膜厚。但是，如图6所示，当将Si02膜12的膜厚设为相同后比较不需要波的强度时，由于在SiOj莫12上形成变位调整膜ll，不需要波的强度变大。这是因为能量高的区域移动到弹性波元件1的表面，容易产生不需要波。另外，图6表示图5所示的变位调整膜11在各个条件下的、Si02膜12的膜厚和不需要波的关系。但是，如图7和图8所示，以相同的TCF进行比较可知，由于能够使Si02膜12的膜厚变薄，因此能改善不需要波。在图示的例子中，由于TCF越靠近零越好，因此最好是以膜厚10nm形成Au的结构。另外，图7表示图5所示的变位调整膜11在各条件下的、谐振频率的TCF和不需要波的强度的关系。另外，图8表示图5所示的变位调整膜11在各条件下的、反谐振频率的TCF和不需要波的强度的关系。另外，将变位调整膜11的膜厚设为10nm并以表2所示的条件改变变位调整膜的杨氏模量和密度，而测量了不需要波的大小。谐振频率的TCF为Oppm广C时的不需要波的大小为图9图11所示的分布，可知越以音速慢的物质形成变位调整膜11越能够抑制不需要波。另外，可知变位调整膜ll的膜厚存在最佳值。[表2]7使用物理参数<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>另外，图9和图11表示由各种物质形成变位调整膜11的情况下的、变位调整膜11的膜厚和不需要波的大小的关系。图IO表示由各种物质形成变位调整膜11的情况下的、变位调整膜11的音速和不需要波的大小的关系。在得到了图9和图10所示的测量结果的测定中所使用的物质是WSST抗蚀剂、金(Au)、银(Ag)、钼(Pt)、钽(Ta)、铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)。在得到了图9所示的测量结果的测定中，除了上述物质之外，对Au和贴紧层(Til、Ti2、Ti3)的积层膜也进行了测定。另外，在得到了图ll所示的测量结果的测定中所使用的物质是Au、Ti、Au和Ti的积层膜。另外，对镍(Ni)也进行了测定，并确认了如表2所述那样音速比Si(V瞎的情况(省略了在图9和图11中的示出)。如上所述，通过在Si02膜12上形成具有比Si02膜12的音速慢的音速的变位调整膜ll，使能量集中到弹性波元件1的表面上。因此，压电基板14的线膨胀系数的影响变少，能够改善TCF。另外，由于能够使Si02膜变薄，因此能够抑制不需要波的产生。另外，在本实施方式中，Si0j莫12为单层，但是即使是形成为与IDT电极13大致相等的膜厚的第一绝缘层(例如Si0j莫)和形成为覆盖第一绝缘层的第二绝缘层(例如与第一绝缘层相同的SiOj莫)的积层结构，也能够得到相同的效果。通过如此构成，由于不需要制造时的抛光步骤，因此能够削减制造成本。[OO76][2.弹性波元件的制造方法]图12A图12F是表示本实施方式的弹性波元件的制造步骤的截面图。在图12A图12F所示的制造步骤中使用的变位调整膜11是Au和Ti的积层膜。首先，准备图12A所示的压电基板14。接着，如图12B所示，在压电基板14的表面上，隔着作为贴紧层的Ti膜13a而在Ti膜13a上形成Cu膜13b。另外，在本实施方式中，Ti膜13a的膜厚为20nm，Cu膜13b的膜厚为100nm。接着，如图12C所示，在Ti膜13a和Cu膜13b上形成用于电极图案形成的光致抗蚀剂(photoresist)，并通过照相平版印刷进行图案形成。接着，对Ti膜13a和Cu膜13b进行蚀刻处理，并去除光致抗蚀剂，形成IDT电极13。接着，如图12D所示，在压电基板11上形成Si02膜12，以覆盖Ti膜13a和Cu膜13b。在本实施方式中，关于Si0j莫12，使用CVD法(化学气相沉积法)来使膜厚成长到550nm从而形成膜。形成膜后的Si02膜12在IDT电极12的上部位置上形成突起部12a。接着，如图12E所示，去除Si0j莫12的突起部12a，使Si0j莫12的表面平坦化。另外，在本实施方式中，在平坦化处理上使用了CMP法(化学机械抛光法)。接着，如图12F所示，在Si02膜12的表面上形成作为贴紧膜的Ti膜llb，在Ti膜lib上通过气相沉积处理使Au膜lla成长，从而形成变位调整膜11。在本实施方式中，将Au膜11a的膜厚设为15nm，将Ti膜lib的膜厚设为5nm。另夕卜，当Si02膜12的膜厚为0.3m以上时，由于变位调整膜11的电位的影响小，因此由Au/Ti的积层膜构成的变位调整膜11在接地或悬浮任一个情况下在特性上不能看出差异。另外，如图9所示，即使是取代Au而使用Ag、Pt、Ta、Cu、W、Ti、WSST抗蚀剂、Ni等的结构，也能够通过与本实施方式相同的制造方法来制造。另外，在本实施方式中，对于形成由Au/Ti的积层膜构成的变位调整膜11的制造方法进行了说明，但是在形成单层的变位调整膜11的情况下也能够使用同样的制造方法。另外，在本实施方式中，SiOj莫12为单层，但是可以是形成为与IDT电极13大致相等的膜厚的第一绝缘层(例如SiOj莫)和形成为覆盖第一绝缘层的第二绝缘层(例如与第一绝缘层相同的SiOj莫)的积层结构。该情况下的制造方法是在形成图12C所示的IDT电极13后，在IDT电极13之间形成与IDT电极13的膜厚大致相等的第一绝缘层。此时，IDT电极13和第一绝缘层的表面大致是平面。接着，以覆盖IDT电极13和第一绝缘层的方式形成第二绝缘层。通过如此制造，由于不形成图12D所示那样的突起部12a，因此不需要去除突起部12a的去除步骤。因此，由于不需要抛光操作，制造变得容易且能够削减制造成本。[3.通信组件的结构]图13是表示具有本实施方式的弹性波元件的通信组件的一个例子。如图13所示，双工器52包括接收滤波器54和发送滤波器55。另外，在接收滤波器54上例如连接有对应平衡输出的接收端子62a和62b。另外，在发送滤波器55上连接有功率放大器63。在此，在接收滤波器54和发送滤波器55中包含本实施方式的弹性波元件1。在进行接收动作时，接收滤波器54仅使经由天线端子61输入的接收信号中的预定频带的信号通过，从接收端子62a和62b向外部输出。另外，在进行发送动作时，发送滤波器55仅使从发送端子64输入并在功率放大器63中放大了的发送信号中的、预定频带的信号通过，从天线端子61向外部输出。另外，图13所示的通信组件的结构是一个例子，即使在其他方式的通信组件中安装本发明的弹性波元件或者双工器，也能得到同样的效果。[4.通信装置的结构]图14示出移动电话终端的RF块，将其作为具有本实施方式的弹性波元件的通信装置的一个例子。另外，如图14所示的结构表示对应GSM(GlobalSystemforMobileCommunications,全球移动通信系统)通信方式禾口W-CDMA(WidebandCodeDivitionMultipleAccess,宽带码分多址)通信方式的移动电话终端的结构。另外，本实施方式中的GSM通信方式对应850MHz频带、950MHz频带、1.8GHz频带、1.9GHz频带。另外，移动电话终端除图14所示的结构以外还具有微音器、扬声器、液晶显示器等，但是由于在本实施方式中的说明中不需要，因此省略了图示。在此，接收滤波器54、76、77、78、79和发送滤波器55中包含本实施方式中的弹性波元件1。首先，经由天线71输入的接收信号根据其通信方式是W-CDMA还是GSM而通过天线开关电路72选择作为动作对象的LSI。当被输入的接收信号与W-CDMA通信方式对应时，进行切换以将接收信号输出给双工器52。输入到双工器52的接收信号被接收滤波器54中限制在预定的频带，平衡型的接收信号被输入到LAN73。LNA73放大被输入的接收信号并输出给LSI75。在LSI75基于被输入的接收信号进行对声音信号的解调处理，或者对移动电话终端内的各个部进行动作控制。另一方面，在发送信号的情况下，LSI75生成发送信号。被生成的发送信号在功率放大器74中被放大并输入到发送滤波器55。发送滤波器55仅使被输入的发送信号中的预定频带的信号通过。从发送滤波器55输出的发送信号经由天线开关电路72从天线71输出到外部。另外，在输入的接收信号是对应GSM通信方式的信号的情况下，天线开关电路72根据频带选择接收滤波器7679中的某一个，并输入接收信号。被接收滤波器7679中的某一个进行了频带限制的接收信号被输入到LSI82中。LSI82基于被输入的接收信号进行对声音信号的解调处理，或者对移动电话终端内的各个部进行动作控制。另一方面，在发送信号的情况下，LSI82生成发送信号。被生成的发送信号在功率放大器80或者81中被放大，经由天线开关电路72从天线71输出到外部。[5.实施方式的效果、其他]根据本实施方式，在Si02膜12上形成由音速比形成Si02膜12的物质慢的物质构成的变位调整膜ll，由此能够抑制不需要波的产生，同时能够提高TCF。因此，能够实现可靠性高的弹性波元件、通信组件、通信装置。另外，能够应用本发明的弹性波元件或具有该弹性波元件的通信组件的通信装置有移动电话终端、PHS终端等，但是并不限于这些。产业上的可用性本发明可用于作为应用弹性波的设备之一的弹性表面波元件(SAW设备SurfaceAcousticWaveDevice)等弹性波元件。另外，可用于具有这样的弹性波元件的通信组件、通信装置。权利要求一种弹性波元件，包括压电基板；梳齿型的电极，形成在所述压电基板上；以及绝缘层，形成为覆盖所述电极；其中，还包括形成在所述绝缘层上的变位调整膜，所述变位调整膜通过音速比形成所述绝缘层的物质慢的物质形成。2.如权利要求l所述的弹性波元件，其中，所述电极通过金属或以该金属为主成分的合金构成，或者通过由金属和其他金属构成的积层膜构成。3如权利要求2所述的弹性波元件，其中，所述绝缘层由Si(^形成，所述变位调整膜通过音速比Si(V瞎的物质的单层膜形成，或者通过以音速比Si(V瞎的物质中的某一个物质为主成分的积层膜形成。4.如权利要求3所述的弹性波元件，其中，所述变位调整膜通过Au、Ag、Pt、Ta、Cu、W、Ti、Ni中的某一个的单层膜形成，或者通过以Au、Ag、Pt、Ta、Cu、W、Ti、Ni中的某一个物质为主成分的积层膜形成。5.—种弹性波元件，包括压电基板；梳齿型的电极，形成在所述压电基板上；第一绝缘层，在所述电极间形成为与所述电极大致相等的膜厚；以及第二绝缘层，形成为覆盖所述电极和第一绝缘层；其中，还包括形成在所述第二绝缘层上的变位调整膜，所述变位调整膜通过音速比形成所述第二绝缘层的物质慢的物质形成。6.—种弹性波元件的制造方法，所述弹性波元件包括压电基板；梳齿型的电极，形成在所述压电基板上；绝缘层，形成为覆盖所述电极；以及变位调整膜，形成在所述绝缘层上，并通过音速比所述绝缘层慢的物质构成，其中，所述弹性波元件的制造方法包括在所述压电基板上形成所述电极的步骤；在所述压电基板上以覆盖所述电极的方式形成所述绝缘层的步骤；以及在所述绝缘层上形成所述变位调整膜的步骤。7.—种通信组件，包括权利要求1至5中任一项所述的弹性波元件。8.—种通信装置，包括权利要求7所述的通信组件。全文摘要本发明的弹性波元件包括压电基板(14)；梳齿型的电极(13)，形成在所述压电基板(14)上；以及SiO2膜(12)，形成为覆盖所述电极(13)，其中，还包括形成在SiO2膜(12)上的变位调整膜(11)，变位调整膜(11)通过音速比形成SiO2膜(12)的物质慢的物质形成。根据该结构，能够抑制不需要波，通过能够提高温度特性。另外，通过将这样的弹性波元件安装在通信组件和通信装置上，能够提高可靠性。文档编号H03H9/145GK101796724SQ20078010042公开日2010年8月4日申请日期2007年12月17日优先权日2007年12月17日发明者井上将吾,佐藤良夫,松田隆志,藁科卓申请人:太阳诱电株式会社