1.一种功率半导体器件的过压保护电路，其特征在于，该过压保护电路包括：
一比较器，用于比较预先设置的一基准电压值与所述功率半导体器件的一关断电压的一采样值，其中当所述采样值大于所述基准电压值时，发送一控制信号；
一驱动模块，用于基于所述控制信号降低所述功率半导体器件的一关断速度。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的过压保护电路，其特征在于，
所述功率半导体器件为一绝缘栅双极型晶体管，所述关断电压为所述绝缘栅双极型晶体管被关断时一集电极与一发射极之间的电压；或
所述功率半导体器件为一金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述关断电压为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管被关断时一漏极与一源极之间的电压。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的过压保护电路，其特征在于，所述比较器为一滞回比较器；所述滞回比较器的一同相输入端与一输出端之间串联一可调电阻器。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件的过压保护电路，其特征在于，所述驱动模块与所述功率半导体器件的一门极连接。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件的过压保护电路，其特征在于，所述驱动模块为一推挽输出电路，所述推挽输出电路包括一NPN晶体管与一PNP晶体管。
6.根据权利要求5所述的功率半导体器件的过压保护电路，其特征在于，所述NPN晶体管的一基极和所述PNP晶体管的一基极分别与一电容器连接，该电容器与所述比较器的一输出端连接。
7.一种功率半导体器件的过压保护方法，其特征在于，该方法包括：
获取一功率半导体器件的一关断电压的一采样值；
比较预先设置的一基准电压值与所述采样值，其中当所述采样值大于所述基准电压值时，发送一控制信号；
基于所述控制信号降低所述功率半导体器件的一关断速度。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件的过压保护方法，其特征在于，所述基于控制信号降低功率半导体器件的关断速度包括：
基于所述控制信号提升所述功率半导体器件的门极电压。
9.根据权利要求7所述的功率半导体器件的过压保护方法，其特征在于，
所述功率半导体器件为一绝缘栅双极型晶体管，所述关断电压为所述绝缘栅双极型晶体管被关断时一集电极与一发射极之间的电压；或
所述功率半导体器件为一金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述关断电压为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管被关断时一漏极与一源极之间的电压。
10.根据权利要求7所述的功率半导体器件的过压保护方法，其特征在于，所述基准电压值是可调的。