技术特征：
技术总结
在基板(20)上形成导体层(30)的导体层的制造方法具备在基板(20)上形成含有金属粒子以及金属氧化物粒子的至少一方的前驱体层(42、52、62)的第一工序(S21、S22、S31、S32、S41、S42)、向前驱体层(42、52、62)照射脉冲电磁波来形成烧结层(44、54、64)的第二工序(S23、S33、S43)以及压缩烧结层的第三工序(S24、S34、S44)，通过在基板的相同部位反复进行N次(N为2以上的自然数)第一至第三工序，从而形成导体层，第一次至第N－1次的第三工序包含将烧结层的表面形成为凹凸状的步骤。
技术研发人员：海津雅洋;市川雅照
受保护的技术使用者：株式会社藤仓
技术研发日：2015.12.17
技术公布日：2017.08.29