本实用新型涉及集成电子电路技术，具体来说是一种新型SCR驱动电路。
背景技术：
SCR是晶闸管(Silicon Controlled Rectifier)的英文缩写，又可称为可控硅整流器。SCR属于双极型的器件，阻断电压高，通态压降低，电流容量大，使用大中容量变流设备，因此可控硅元件被广泛应用于各种电子设备和电子产品的电路中，多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。
SCR是电流型控制型器件，它的内部是PNP四层半导体结构，SCR相当于一种固态开关，很容易被施加于门极的窄脉冲触发导通，并且脉冲消失后仍能维持导通，一旦开通，就需要在某个时间点关断，需要外加电压或外电路的作用使其关断，因此，SCR驱动电路的基本要求是要保证SCR在需要的时刻由阻断转为导通，其输入端接入触发脉冲的宽度能保证SCR 的可靠导通且有足够的幅度，除此之外，SCR驱动电路还应具有良好的抗干扰性能、温度稳定性和主电路的电气隔离。
现有的SCR驱动电路有光导纤维隔离型驱动电路和集成驱动电路，光导纤维隔离型驱动电路主要是采用传输速度较快的光导纤维作为强弱电的隔离，虽然其可靠性高，传递能量小，但是成本很高，所以在一般工业场合很少用，集成驱动电路具有体积小、功耗低和调试方便等优点，但是成本很高、通用性差、抗干扰能力差、可靠性也较差。
技术实现要素：
为了克服现有的SCR驱动电路成本高、复杂度高和可靠性低，本实用新型提供一种变压器隔离型驱动电路，该SCR驱动电路结构比较简单，稳定性好，可靠性也比较高。
为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种新型SCR驱动电路，其特征在于包括驱动电源电路和PWM控制电路；
所述的驱动电源电路包括控制芯片IC1，MOS管Q1，隔离变压器TX1，电阻R1、R2、R3、 R4、R5，电容C1、C2、C3、C4、C5，二极管D1和D2，+12V输入电源分别接电容C1，IC1 的7脚，极性电容C4的正极，二极管D1的A极，电容C1连接到GND，极性电容C4负极连接到GND，二极管D1的K极连接到隔离变压器TX1的1脚，隔离变压器TX1的2脚连接到 MOS管Q1的D极，MOS管Q1的S极连接到GND，IC1的8脚分别连接到电阻R1和电容C2，电容C2连接到GND，电阻R1连接到电容C3，电容C3连接到GND，电阻R1和电容C3的连接端连接到IC1的4脚，IC1的2、3和5脚均接GND，IC1的6脚接到电阻R2，电阻R2连接到电阻R3和MOS管的G极，电阻R3连接到GND。隔离变压器TX1的3脚连接到二极管 D2的A极，二极管D2的K极连接到电阻R4，电阻R4分别连接到电阻R5、电容C5和晶闸管Q2的G极，隔离变压器TX1的4脚分别连接到电阻R5、电容C5和晶闸管Q2的K极；
所述的PWM控制电路包括NPN型三极管Q3，MOS管Q4和Q5，电阻R6、R7、R8、R9、 R10、R11、R12，电容C6和C7，PWM信号分别连接到电容C6、电阻R7、电阻R8，电容C6 连接到GND，电阻R7连接到电阻R6，电阻R6连接到GND，电阻R6和电阻R7的连接端连接到NPN型三极管Q3的B极，NPN型三极管Q3的E极分别连接到GND、电容C17、电阻R10、 MOS管Q4的S极、电阻R12、MOS管Q5的S极。NPN型三极管Q3的C极分别连接到电阻R9、电容C7、电阻R10、MOS管Q4的G极，电阻R9连接到电阻R8，电阻R9和电阻R8的连接端连接到电源+12V，MOS管Q4的D极分别连接到电阻R11、电阻R12和MOS管Q5的G极，电阻R11连接到电源+12V，MOS管的D极连接到IC1的1脚。
优选的，所述的驱动电源芯片IC1型号是UC3845。
优选的，所述的驱动电源MOS管Q1型号是2SK4017。
本实用新型与现有技术相比其有益效果是，可以由弱电PWM信号控制SCR开通，有效降低了SCR驱动电路的复杂度，实现了SCR的快速，安全的导通，提高了电路的可靠性和稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的一种新型SCR驱动电路的电路图。
具体实施方式
为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：
一种新型SCR驱动电路，其特征在于包括驱动电源电路和PWM控制电路；
所述的驱动电源电路包括控制芯片IC1，MOS管Q1，隔离变压器TX1，电阻R1、R2、R3、 R4、R5，电容C1、C2、C3、C4、C5，二极管D1和D2，+12V输入电源分别接电容C1，IC1 的7脚，极性电容C4的正极，二极管D1的A极，电容C1连接到GND，极性电容C4负极连接到GND，二极管D1的K极连接到隔离变压器TX1的1脚，隔离变压器TX1的2脚连接到MOS管Q1的D极，MOS管Q1的S极连接到GND，IC1的8脚分别连接到电阻R1和电容C2，电容C2连接到GND，电阻R1连接到电容C3，电容C3连接到GND，电阻R1和电容C3的连接端连接到IC1的4脚，IC1的2、3和5脚均接GND，IC1的6脚接到电阻R2，电阻R2连接到电阻R3和MOS管的G极，电阻R3连接到GND。隔离变压器TX1的3脚连接到二极管 D2的A极，二极管D2的K极连接到电阻R4，电阻R4分别连接到电阻R5、电容C5和晶闸管Q2(SCR)的G极，隔离变压器TX1的4脚分别连接到电阻R5、电容C5和晶闸管Q2(SCR) 的K极；
所述的PWM控制电路包括NPN型三极管Q3，MOS管Q4和Q5，电阻R6、R7、R8、R9、 R10、R11、R12，电容C6和C7，PWM信号分别连接到电容C6、电阻R7、电阻R8，电容C6 连接到GND，电阻R7连接到电阻R6，电阻R6连接到GND，电阻R6和电阻R7的连接端连接到NPN型三极管Q3的B极，NPN型三极管Q3的E极分别连接到GND、电容C17、电阻R10、 MOS管Q4的S极、电阻R12、MOS管Q5的S极。NPN型三极管Q3的C极分别连接到电阻R9、电容C7、电阻R10、MOS管Q4的G极，电阻R9连接到电阻R8，电阻R9和电阻R8的连接端连接到电源+12V，MOS管Q4的D极分别连接到电阻R11、电阻R12和MOS管Q5的G极，电阻R11连接到电源+12V，MOS管的D极连接到IC1的1脚。
本实施例中，所述PWM控制电路是由PWM信号来控制芯片IC1工作状态，其工作原理：当PWM信号是高电平时，NPN型三极管Q3导通，那么Q3的C极被拉低至GND，也即MOS管 Q4的G极电压是0V，所以Q4关断，Q4的D极被上拉至+12V，那么MOS管Q5的G极电压是 +12V，Q5导通，Q5的D极电压拉低到GND，从而IC1的1脚被拉低至GND；当PWM信号是低电平时，NPN型三极管Q3截止，那么Q3的C极被上拉至+12V，也即MOS管Q4的G极电压是+12V，所以Q4导通，Q4的D极被上拉低至GND，那么MOS管Q5的G极电压是OV，Q5 关断，Q5的D极悬空，从而IC1的1脚也是悬空的。
本实施例中，所述驱动电源电路是用来产生SCR驱动所需的电压，具体的是带隔离变压器的正激电路，IC1芯片型号是UC3845，MOS管Q1型号是2SK4017，当IC1的1脚是虚空时，IC1的6脚输出高占空比信号，驱动MOS管Q1导通，原边通过隔离变压器TX1向副边传递能量，给电容C5充电，当达到SCR Q2的阈值电压和电流，Q2就导通，IC1的6脚输出低占空比信号，驱动MOS管Q1关断，原边不向副边传递能量，电容C5通过电阻R5快速放电，Q2的驱动电压降到0V，但由于SCR的特性，Q2不会关断，只有当Q2的A、K之间有反向电压，Q2才会关断，当IC1的1脚是低电平时，IC1的6脚不输出占空比，MOS管 Q1一直关断，电容C5电压也一直为0V，Q2管的驱动电压为0V，Q2管关断。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。