三维陶瓷电路基板的制作方法

【技术领域】

本技术：
涉及pcb的技术领域，具体来说是涉及一种三维陶瓷电路基板。

背景技术：

目前，随着电子技术在各应用领域的逐步加深，线路板高度集成化成为必然趋势，高度的集成化封装模块要求良好的散热承载系统，而传统线路板fr-4和cem-3在tc导热系数上的劣势已经成为制约电子技术发展的一个瓶颈。

近些年来发展迅猛的led产业，也对其承载线路板的tc指标提出了更高的要求。在大功率led照明领域，往往采用金属和陶瓷等具备良好散热性能的材料制备电路基板，高导热铝基板的导热系数一般为1-4w/m.k，而陶瓷基板的导热系数根据其制备方式和材料配方的不同，可达220w/m.k左右。

但是，现有的陶瓷线路板绝大多数是平面线路板，其满足不了现实对三维立体线路板的需求，为此，本领域技术人员亟需研发一种三维陶瓷电路基板。

技术实现要素：

本申请所要解决是针对的上述现有的技术问题，提供一种三维陶瓷电路基板。

为解决上述技术问题，本申请是通过以下技术方案实现：

三维陶瓷电路基板，包括陶瓷基体，所述陶瓷基体下部周侧且向外凸出的凸出部，所述凸出部上开设有金属化上下贯通孔；

所述陶瓷基体上部下侧面设有第一线路连接层，且其上部上侧设有第二线路连接层，以及在其上部上还开设有上下贯通并与所述第一线路连接层和所述第二线路连接层连接的金属化连接孔；

所述陶瓷基体中部周侧设有向下延伸连接所述金属化上下贯通孔以及向上延伸连接所述第一线路连接层的中间连接线路条。

如上所述的三维陶瓷电路基板，所述凸出部的数量为3个，所述中间连接线路条的数量为3个，且每一所述中间连接线路条的形状均为螺旋状。

如上所述的三维陶瓷电路基板，所述金属化上下贯通孔和所述金属化连接孔的内侧壁均由外向内依次设有碳化钛金属层和铜金属层。

如上所述的三维陶瓷电路基板，所述凸出部上侧面与所述陶瓷基体上部下侧面间的距离为8～16mm。

如上所述的三维陶瓷电路基板，所述陶瓷基体上沿其竖向方向开设有上下贯通以用于散热的上下贯通散热孔。

如上所述的三维陶瓷电路基板，所述陶瓷基体周侧上开设有与所述上下贯通散热孔相连通以用于周向通风散热的周向贯通散热孔。

如上所述的三维陶瓷电路基板，所述陶瓷基体的为氮化铝陶瓷，或为碳化硅陶瓷。

与现有技术相比，上述申请有如下优点：

本申请三维陶瓷电路基板通过所述金属化上下贯通孔连接电源，随之通过所述中间连接线路条连接所述第一线路连接层，而后在通过所述金属化上下贯通孔连通所述第二线路连接层以使所述陶瓷基体可实现三维立体的电路基板，继而方便在所述陶瓷基体上侧面连接电元器件，从而可达三维立体线路的应用需求。

【附图说明】

图1是本申请三维陶瓷电路基板的立体图。

图2是图1的局部放大视图ⅰ。

图3是本申请三维陶瓷电路基板上部的局部剖视示意图。

【具体实施方式】

下面通过具体实施方式结合附图对本申请作进一步详细说明。

如图1～3所示，三维陶瓷电路基板,包括陶瓷基体1，所述陶瓷基体1下部周侧且向外凸出的凸出部11，所述凸出部11上开设有金属化上下贯通孔111；

所述陶瓷基体1上部下侧面设有第一线路连接层12，且其上部上侧设有第二线路连接层13，以及在其上部上还开设有上下贯通并与所述第一线路连接层12和所述第二线路连接层13连接的金属化连接孔14；

所述陶瓷基体1中部周侧设有向下延伸连接所述金属化上下贯通孔111以及向上延伸连接所述第一线路连接层12的中间连接线路条15。

本申请三维陶瓷电路基板通过所述金属化上下贯通孔111连接电源，随之通过所述中间连接线路条15连接所述第一线路连接层12，而后在通过所述金属化上下贯通孔111连通所述第二线路连接层13以使所述陶瓷基体1可实现三维立体的电路基板，继而方便在所述陶瓷基体1上侧面连接电元器件，从而可达三维立体线路的应用需求。

进一步的，所述凸出部11的数量为3个，分别可与电源的正极、负极、地极相连接，所述中间连接线路条15的数量为3个，且每一所述中间连接线路条15的形状均为螺旋状。其优点在于方便与电源连接。

更进一步的，所述金属化上下贯通孔111和所述金属化连接孔14的内侧壁均由外向内依次设有碳化钛金属层和铜金属层。采用所述碳化钛金属层的目的在于为沉覆所述铜金属层所做的过渡层，其优点在于不仅可方便沉覆上所述铜金属层，且还可改善所述铜金属层的焊接导电能力。

更进一步的，所述凸出部11上侧面与所述陶瓷基体1上部下侧面间的距离为8～16mm，其优点在于此区间距离可有效降低电子干扰。

更进一步的，所述陶瓷基体1上沿其竖向方向开设有上下贯通以用于散热的上下贯通散热孔16。其优点在于实现通风散热效果。

更进一步的，所述陶瓷基体1周侧上开设有与所述上下贯通散热孔16相连通以用于周向通风散热的周向贯通散热孔17。其优点在于进一提高通风散热的使用效果。

更进一步的，所述陶瓷基体1的为氮化铝陶瓷，或为碳化硅陶瓷。其优点在于现有所述氮化铝陶瓷或所述碳化硅陶瓷的技术制备成熟，方便应用。

综上所述对本申请的实施方式作了详细说明，但是本申请不限于上述实施方式。即使其对本申请作出各种变化，则仍落入在本申请的保护范围。

技术特征：

1.三维陶瓷电路基板，包括陶瓷基体(1)，其特征在于：所述陶瓷基体(1)下部周侧且向外凸出的凸出部(11)，所述凸出部(11)上开设有金属化上下贯通孔(111)；

所述陶瓷基体(1)上部下侧面设有第一线路连接层(12)，且其上部上侧设有第二线路连接层(13)，以及在其上部上还开设有上下贯通并与所述第一线路连接层(12)和所述第二线路连接层(13)连接的金属化连接孔(14)；

所述陶瓷基体(1)中部周侧设有向下延伸连接所述金属化上下贯通孔(111)以及向上延伸连接所述第一线路连接层(12)的中间连接线路条(15)。

2.根据权利要求1所述的三维陶瓷电路基板，其特征在于：所述凸出部(11)的数量为3个，所述中间连接线路条(15)的数量为3个，且每一所述中间连接线路条(15)的形状均为螺旋状。

3.根据权利要求2所述的三维陶瓷电路基板，其特征在于：所述金属化上下贯通孔(111)和所述金属化连接孔(14)的内侧壁均由外向内依次设有碳化钛金属层和铜金属层。

4.根据权利要求3所述的三维陶瓷电路基板，其特征在于：所述凸出部(11)上侧面与所述陶瓷基体(1)上部下侧面间的距离为8～16mm。

5.根据权利要求1所述的三维陶瓷电路基板，其特征在于：所述陶瓷基体(1)上沿其竖向方向开设有上下贯通以用于散热的上下贯通散热孔(16)。

6.根据权利要求5所述的三维陶瓷电路基板，其特征在于：所述陶瓷基体(1)周侧上开设有与所述上下贯通散热孔(16)相连通以用于周向通风散热的周向贯通散热孔(17)。

7.根据权利要求1所述的三维陶瓷电路基板，其特征在于：所述陶瓷基体(1)的为氮化铝陶瓷，或为碳化硅陶瓷。

技术总结
本申请公开了三维陶瓷电路基板，包括陶瓷基体，陶瓷基体下部周侧且向外凸出的凸出部，凸出部上开设有金属化上下贯通孔；陶瓷基体上部下侧面设有第一线路连接层，且其上部上侧设有第二线路连接层，以及在其上部上还开设有上下贯通并与第一线路连接层和第二线路连接层连接的金属化连接孔；陶瓷基体中部周侧设有向下延伸连接金属化上下贯通孔以及向上延伸连接第一线路连接层的中间连接线路条。本申请通过金属化上下贯通孔连接电源，随之通过中间连接线路条连接第一线路连接层，而后在通过金属化上下贯通孔连通第二线路连接层以使陶瓷基体可实现三维立体的电路基板，继而方便在陶瓷基体上侧面连接电元器件，从而可达三维立体线路的应用需求。

技术研发人员：成国梁;姚丽俊
受保护的技术使用者：深圳市江霖电子科技有限公司
技术研发日：2020.01.07
技术公布日：2020.05.26