化学方式，例如采用硅烷偶联剂改性。在介电材料2、3中可添加涂料助剂，以提升性能，例如防沉剂，消泡剂等。
[0023](二)曝光、显影
在所述复合材料两侧的介电材料2上贴干膜4，在介电材料3上贴干膜5，然后进行曝光和显影。
[0024](三)制作电容
在显影后露出的介电材料2、3上进行沉铜和电镀铜后，再撕除曝光显影后的干膜6，即得到具有电容的复合板，如图1所示，介电材料2、3上都具有沉铜电镀后形成的电容一侧电极7。
[0025](四)压合
将所述复合板的两侧通过压合方式叠加半固化片(即绝缘层8和9)和铜箔10、11后，即可得到埋容电路板。
[0026]所述压合方式为一次双面压合方式或者两次单面压合方式。
[0027]—次双面压合方式的具体步骤为:将所述复合板的两侧都叠加半固化片(即绝缘层8和9)和铜箔10、11后通过一次压合固化后即可得到所述的埋容电路板。
[0028]两次单面压合方式的具体步骤为:先将所述复合板的一侧叠加半固化片，即绝缘层8，和铜箔10进行第一次压合固化，再将所述复合板的另一侧叠加半固化片，即绝缘层9，和铜箔11进行第二次压合固化后，得到所述的埋容电路板。
[0029](五)制作外层线路
以该埋容电路板为基础继续制作外层线路，从而获得多层印制线路板，在所述铜箔10、11的外侧通过贴干膜、曝光、显影、蚀刻和脱膜步骤得到外层线路；然后再通过在所述电容7的位置钻孔，在孔内沉铜和垂直连续电镀使所述外部线路与电容实现电连接。
[0030]实施例二
本实施例与实施例一的区别在于:本实施例中的陶瓷填料还含有导电粒子，即陶瓷填料为铁电陶瓷粉体和导电粒子的复合填料。所述导电粒子为金属纳米粒子、碳纳米棒(CNT)、导电石墨烯或导电聚合物的任意一种或其中至少两种的混合物；所述导电粒子占所述介电材料的体积百分率为10~20%。
[0031]以上实施例制作得到的埋容电路板，由于采用支撑材料为基础，在支撑材料两侧涂覆和固化介电材料后通过加成法制作电容，大大提高了埋容电路板的力学强度，而且中间的支撑材料涂覆介电材料后保证了电容上下两极的完全分离，绝缘性能也得以提升，减少了介电材料层被高压击穿和短路的现象。相较于现有技术，本发明制作的埋容电路板具有力学性能优异，介电材料层不易发生高压击穿、短路现象，使用性能可靠，相较于传统方法制作的埋容电路板具有显著的进步。
[0032]上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种埋容电路板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)在支撑材料的两侧侧面上涂覆一层介电材料，并烘干固化，得到复合材料； 2)在所述复合材料两侧的介电材料的外层贴上干膜，并进行曝光后显影； 3)在显影后露出的介电材料上依次进行沉铜和电镀铜后，再撕除干膜，即得到具有电容的复合板； 4)将所述复合板的两侧通过压合方式叠加半固化片和铜箔后，即可得到所述的埋容电路板。2.根据权利要求1所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述支撑材料为PI薄膜，FR-4薄膜或H)VF薄膜。3.根据权利要求1所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述介电材料为聚合物基陶瓷粉体复合涂料，所述聚合物基陶瓷粉体复合涂料的组分中包含高分子树脂，固化剂和陶瓷填料；所述高分子树脂为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或酚醛树脂中的任意一种或其中至少两种的混合物；所述固化剂为双胺，双酐或者酚树脂的任意一种或其中至少两种的混合物。4.根据权利要求3所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述介电材料固化后的Tg大于或等于150°C。5.根据权利要求3所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述陶瓷填料含有铁电陶瓷粉体，所述铁电陶瓷粉体为钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶钡、钛酸锶镁或钛酸铜钙的任意一种或其中至少两种的混合物。6.根据权利要求5所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述陶瓷填料的粒径为 0.1-1.0um。7.根据权利要求5所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述陶瓷填料还含有导电粒子，所述导电粒子为金属纳米粒子、碳纳米棒、导电石墨烯或导电聚合物的任意一种或其中至少两种的混合物；所述导电粒子占所述介电材料的体积百分率为10~20%。8.根据权利要求5所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述步骤1)中，固化温度为80~200°C，固化时间为0.5~5h。9.根据权利要求1所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述步骤4)中，所述压合方式为一次双面压合方式或者两次单面压合方式，所述一次双面压合方式的具体步骤为:将所述复合板的两侧都叠加半固化片和铜箔后通过一次压合固化后即可得到所述的埋容电路板；所述两次单面压合方式的具体步骤为:先将所述复合板的一侧叠加半固化片和铜箔进行第一次压合固化，再将所述复合板的另一侧叠加半固化片和铜箔进行第二次压合固化后，得到所述的埋容电路板。10.根据权利要求1至9任意一项所述的一种埋容电路板的制备方法，其特征在于:所述制备方法还包括步骤:5)在所述铜箔的外侧通过贴干膜、曝光、显影、蚀刻和脱膜步骤得到外层线路；然后再通过在所述电容的位置钻孔，在孔内沉铜和垂直连续电镀使所述外部线路与所述电容实现电连接。
【专利摘要】本发明提供一种埋容电路板的制备方法，包括以下步骤：1）在支撑材料的两侧侧面上涂覆一层介电材料，并烘干固化，得到复合材料；2）在所述复合材料两侧的介电材料的外层贴上干膜，并进行曝光后显影；3）在显影后露出的介电材料上依次进行沉铜和电镀铜后，再撕除干膜，即得到具有电容的复合板；4）将所述复合板的两侧通过压合方式叠加半固化片和铜箔后，即可得到所述的埋容电路板。本发明采用加成电镀法制作埋容电路板，为埋容电路板提供了一种全新的制造思路，采用本发明的制备方法制作得到埋容电路板具有力学强度优异，介电材料层不易被高压击穿和短路，使用更加可靠。
【IPC分类】H05K3/32
【公开号】CN105392302
【申请号】CN201510823192
【发明人】王锋伟, 张仕通, 崔成强, 王靖
【申请人】安捷利电子科技（苏州）有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月24日