专利名称:固体摄像元件的驱动方法和摄像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及利用CCD移位寄存器受光来产生信息电荷的固体摄像元件，特别涉及一种减少曝光期间中的暗电流的技术。
背景技术：
帧转送方式的CCD映像传感器包括通过曝光在每个像素中生成并蓄积信息电荷的摄像部；和在由水平转送部逐行读出从摄像部高速转送来的信息电荷之前，对其进行保持的被遮光的蓄积部。
摄像部以及蓄积部分别由多个垂直CCD寄存器构成，该垂直CCD包括在垂直方向延伸且相互平行配置的多个电荷转送沟道区域、和在水平方向延伸且相互平行配置的多个转送电极。该CCD移位寄存器的各个位(bit)包括相邻配置的多个转送电极，根据施加在这些转送电极上的电压，在电荷转送沟道区域中逐一地形成蓄积信息电荷的电位阱。摄像部的CCD移位寄存器的各个位分别构成摄像元件的像素，接收来自被摄体的光，生成对应受光量的信息电荷，并将其蓄积在电位阱中。
图6是表示以往的驱动电路向帧转送方式的CCD映像传感器供给的时钟信号的模式时序图。在图6中，时间沿横轴方向经过。这里，摄像部和蓄积部分别设定为3相驱动，3相时钟_i1～_i3被施加在与摄像部的各个像素相互对应的相邻的3个转送电极上。驱动电路对于构成摄像部和蓄积部的CCD移位寄存器的各个转送电极，生成并供给在规定的导通电压VH和截止电压VL(VH＞VL)这2个电压状态之间迁移的时钟。
驱动电路在曝光时向被供给_i2的转送电极施加VH，形成电位阱，在该电位阱内蓄积基于曝光而产生的信息电荷，而对于相邻的转送电极通过施加作为_i1、_i3的VL，在电位阱之间形成电位势垒，从而能够实现按每个像素的信息电荷的蓄积。曝光期间E是从电子快门动作后(时刻t01)开始，在帧转送的开始(时刻t02)时结束。电子快门动作是将被施加在摄像部的各个转送电极的_i1～_i3设定为截止电压，而且，通过对基板电压Vsub施加比通常时高的电压VSH的脉冲2，将被蓄积在摄像部的电位阱中的信息电荷向基板排出。
而且，在从摄像部向蓄积部的帧转送、和从蓄积部向水平转送部的行转送中，通过将周期性地置换导通电压VH和截止电压VL的转送时钟4、6，在相邻的转送电极之间形成相位差进行提供，使电位阱向一定的方向移动。另外，由于转送时钟_i1～_i3除了相互的相位存在偏差之外，其他基本相同，所以在图6中只示出了_i1。
在电荷转送沟道区域中，例如，因为半导体基板表面附近的表面态等，会产生暗电流。曝光期间，在摄像部形成的电位阱中，与对应入射光而产生的信息电荷一同，在对应的区域产生的暗电流也被蓄积，因此存在着导致S/N比劣化的问题。
发明内容本发明为了解决上述的问题点而提出，其目的是提供一种能够减少在曝光期间混入被蓄积在摄像部的CCD移位寄存器的信息电荷中的暗电流，获得提高了S/N比的图像的固体摄像元件的驱动方法以及摄像装置。
本发明的固体摄像元件的驱动方法，用于驱动具备了由CCD移位寄存器受光，并将产生的信息电荷蓄积在该CCD移位寄存器的电位阱中的摄像部的固体摄像元件，该方法包括将通过曝光产生的所述信息电荷蓄积在所述电位阱中的曝光步骤；和通过施加转送时钟来驱动所述CCD移位寄存器，从所述摄像部读出所述信息电荷的转送步骤，所述曝光步骤包括对所述CCD移位寄存器的转送电极中与所述信息电荷的蓄积位置对应的蓄积电极施加导通电压，形成所述电位阱的蓄积步骤；和在所述蓄积步骤之前，对所述蓄积电极施加比所述转送时钟的截止电压低的蓄积前截止电压的蓄积前步骤。
根据本发明，在曝光动作中，通过在形成作为信息电荷而蓄积电子的电位阱之前，向转送电极施加比转送时钟的截止电压低的蓄积前截止电压，可提高该转送电极下的半导体基板表面附近的自由空穴的浓度。
在上述的驱动方法中，可以将所述蓄积前截止电压设定为与在所述转送电极下的半导体表面形成反转层的钳位电压对应的值。
而且，上述的驱动方法应用于所述CCD移位寄存器是嵌入沟道型的固体摄像元件。
并且，上述的驱动方法，可以在所述固体摄像元件具有对应排出电压的施加，从所述CCD移位寄存器的电荷转送沟道区域将不需要的所述信息电荷排出的漏极构造的情况下，执行电荷排出步骤，即，在所述转送步骤的开始之前，向所述漏极构造供给所述排出电压，将蓄积在所述电位阱的所述信息电荷中超出所述CCD移位寄存器的基于所述转送时钟的转送能力的部分排出。
本发明的摄像装置包括具备了由CCD移位寄存器受光，并将产生的信息电荷蓄积在该CCD移位寄存器的电位阱中的摄像部的固体摄像元件；和生成向该CCD移位寄存器的转送电极施加的导通电压和截止电压，控制所述电位阱的形成以及移动的驱动电路，所述驱动电路，作为将通过曝光而产生的所述信息电荷蓄积在所述电位阱的曝光动作中的所述截止电压，生成比通过转送驱动所述CCD移位寄存器来从所述摄像部读出所述信息电荷的转送动作中的所述截止电压低的曝光时截止电压，在所述曝光动作时，在对所述转送电极施加所述导通电压来形成所述电位阱之前，施加所述曝光时截止电压。
在曝光动作的信息电荷的蓄积之前，通过施加低的截止电压(蓄积前截止电压)来提高基板表面附近的自由空穴的浓度，可提高在基板与栅极氧化膜之间的界面所产生的表面态捕获空穴的比例。因此，在之后的通过施加导通电压而形成的电位阱中蓄积信息电荷的过程中，从价电子带被激励到表面态的电子容易捕获空穴并再返回价电子带。即，表面态的介入使电子不容易被激励到传导带，从而减少了暗电流。另一方面，在转送动作中，截止电压比蓄积前截止电压高的部分，可相应地提高导通电压和截止电压在电荷转送沟道区域中的电位切换速度，来实现高速转送以及电力消耗的降低。
图1是表示本发明实施方式的摄像装置的概略构造的框图。
图2是摄像部的一部分的模式俯视图。
图3是摄像部的沿着CCD移位寄存器的电荷转送方向的模式剖面图。
图4是表示图3的剖面图所示的CCD移位寄存器在基板深度方向的电位曲线的模式图。
图5是表示时钟发生电路向映像传感器提供的各种电压信号的基本变化的模式时序图。
图6是表示以往的驱动电路向帧转送方式的CCD映像传感器供给的时钟信号的模式时序图。
图中10-映像传感器；10i-摄像部；10s-蓄积部；10h-水平转送部；10d-输出部；12-时钟发生电路；14-时序控制电路；16-模拟信号处理电路；18-A/D转换电路；20-数字信号处理电路；30c-沟道区域；30s-元件分离区域；32-转送电极；34-受光像素；40-n型半导体基板；42-p阱；44-n阱；46-栅极氧化膜；48-微透镜阵列。
具体实施方式下面，结合附图，对本发明的实施方式(以下称为实施方式)进行说明。
图1是表示本摄像装置的概略构造的框图。该摄像装置除了映像传感器10以外，还具有时钟发生电路12、时序控制电路14、模拟信号处理电路16、A/D转换电路18以及数字信号处理电路20。
映像传感器10是帧转送方式的CCD映像传感器，其具有形成在半导体基板表面的摄像部10i、蓄积部10s、水平转送部10h以及输出部10d。摄像部10i和蓄积部10s由相互的沟道相互在列方向相连接的垂直CCD移位寄存器构成，在摄像部10i和蓄积部10s中，这些垂直CCD移位寄存器在行方向(图像上的水平方向)上被排列多个。这些垂直CCD移位寄存器具有作为转送电极的栅电极，该栅电极在基板上贯通行方向，并且在列方向并列配置多个，通过对这些转送电极施加错开了相位的时钟，在垂直CCD移位寄存器内，将每个像素的信息电荷垂直转送。在本映像传感器10中，摄像部10i和蓄积部10s的CCD移位寄存器被3相驱动，向摄像部10i供给3相时钟_i、向蓄积部10s供给3相时钟_s，控制各自中的信息电荷的蓄积、转送。
由摄像部10i的垂直CCD移位寄存器的各个位构成的受光像素，根据入射光生成并蓄积信号电荷。对于该摄像部10i中的信息电荷的蓄积动作将在后面进行说明。在经过了设定的曝光期间后，利用3相时钟_i、_s来驱动摄像部10i和蓄积部10s各自的垂直CCD移位寄存器，进行从摄像部10i向蓄积部10s的帧转送。由于蓄积部10s被遮光膜覆盖，来防止基于光的入射而引起的电荷产生，所以，能够原样地保持从摄像部10i被帧转送来的信号电荷。水平转送部10h由CCD移位寄存器构成，其各个位与蓄积部10s的多个垂直CCD移位寄存器的各个输出连接。被保持在蓄积部10s中的1个画面份的信号电荷通过行转送动作，以1行为单位被转送到水平转送部10h。被转送到水平转送部10h的信号电荷通过水平转送部10h的水平转送驱动被转送到输出部10d。输出部10d由在电路上独立的电容和取出其电位变化的放大器构成，其将从水平转送部10h输出的信号电荷以1比特单位由电容接收，并转换成电压值，将其作为时间系列的图像信号Y0(t)输出。
时钟发生电路12生成用于驱动摄像部10i的垂直移位寄存器的时钟_i、用于驱动蓄积部10s的垂直移位寄存器的时钟_s、用于驱动水平转送部10h的时钟_h、用于驱动输出部10d的复位门的时钟_r、和向n型半导体基板施加的基板电压Vsub，来驱动映像传感器10。另外，时钟发生电路12根据从时序控制电路14供给的时序信号进行生成。
时序控制电路14包括对一定周期的基准时钟CK进行计数的多个计数器，对基准时钟CK进行分频，生成时序信号，例如水平同步信号HD和垂直同步信号VD。
模拟信号处理电路16对图像信号Y0(t)实施取样保持(sample hold)、自动增益控制(AGCAuto Gain Control)等处理，生成规定格式的图像信号Y1(t)。
A/D转换电路18将从模拟信号处理电路16输出的图像信号Y1(t)转换成数字数据，输出图像数据D1(n)。
数字信号处理电路20从A/D转换电路18取得图像数据D1(n)，进行各种处理。例如，数字信号处理电路20根据图像数据D1(n)生成亮度数据和颜色数据，对生成的数据进行轮廓修正、伽马修正等的处理。而且，数字信号处理电路20包括自动曝光控制电路，对图像数据以1个画面单位进行积分，根据该积分值，进行伸缩控制曝光期间E的自动曝光控制。例如，自动曝光控制电路根据由1个计数表示1个水平扫描期间(1H)的曝光控制值Io，指定曝光时间E。
图2是摄像部10i的一部分的模式俯视图。受光像素与垂直移位寄存器的位对应，可蓄积1个像素的信息电荷。垂直移位寄存器的沟道区域30c之间被沟道分离区域30s分离。在分别沿列方向延伸的沟道区域30c之上，在列方向周期性地配置有转送电极G1～G3(转送电极32-1～32-3)。在各个受光像素34的上面，按组配置转送电极32-1～32-3。这里，转送电极32-2被配置在像素的中央部。转送电极32-1～32-3构成为从时钟发生电路12被分别施加时钟_i1～_i3。
图3是摄像部10i的沿着CCD移位寄存器的电荷转送方向的模式剖面图，表示沿着图2的直线A-A’的垂直断面。在n型半导体基板40上，形成有通过扩散p型杂质而形成的p阱42和通过扩散n型杂质而形成的比p阱42浅的n阱44。由此，CCD移位寄存器的电荷转送沟道被作为嵌入沟道而形成，而且，在基板的深度方向上形成npn型构造，由此，实现了纵型溢流漏极(VODVertical Overflow Drain)。在基板表面，按照中间隔着栅极氧化膜46的方式，在列方向上周期性地排列配置转送电极32-1～32-3。如上述那样，对转送电极32-1～32-3分别施加3相时钟_i1～_i3，根据该时钟电压，控制栅极氧化膜46下的半导体基板内的沟道电位。另外，在图3中还示出了微透镜阵列48。构成微透镜阵列48的各个透镜48’分别对应受光像素配置，将入射到各个透镜48’的光会聚到受光像素。
图4是表示图3的剖面图所示的CCD移位寄存器的在基板深度方向的电位曲线的模式图。图中，横轴表示距离基板表面的深度。另外，纵轴表示电位，下为正电位侧、上为负电位侧。曲线50(ABCD)、曲线52(A’B’CD)分别是在将各个像素的1个转送电极32作为被施加转送时钟的导通电压的导通电极，将剩余的2个转送电极32作为被施加转送时钟的截止电压的截止电极时的电位曲线，曲线50(ABCD)表示导通电极下的电位曲线，曲线52(A’B’CD)表示截止电极下的电位曲线。曲线50上的B点表示电位阱的电位，曲线52上的B’表示形成在电位阱之间的电位势垒的鞍点的电位。另一方面，曲线54(A’B”CD)表示在电位阱的移动过程中的截止电极下的电位曲线。在该电位阱的移动过程中，各个像素的2个转送电极32被设为导通电极，只将剩余的1个转送电极32设为截止电极。因此，利用短沟道效应，B”点的电位受到两侧的导通电极下的电位阱的电位的影响，成为比B’点的电位深的电位。
另外，在图4中，用虚线表示的曲线56(A’B’C’D’)表示电子快门动作时电位曲线。在电子快门动作中，对摄像部的全部转送电极施加截止电压，使基板电压Vsub成为比通常时的电压(点D)高的正电压(点D’)。通过提高Vsub，能够使通常位于C点的p阱42的电位加深到C’点，使基于p阱42的基板深度方向的电位势垒消失。由此，能够将基板表面侧的信息电荷越过p阱42向基板背面排出。
而且，如后述那样，通过在对与蓄积信息电荷的电位阱对应的转送电极施加了导通电压的状态下，使基板电压Vsub成为比通常时的电压(点D)高的正电压(点D’)，来进行以抑制图像浮散为目的的电荷排出动作(图像浮散抑制动作)。该图像浮散抑制动作中的导通电极下的电位曲线用曲线58(ABC’D’)表示，截止电极下的电位曲线用曲线56(A’B’C’D’)表示。由此，蓄积在电位阱中的信息电荷中，越过p阱42的电位(点C’)的部分被排出到基板背面。这里，将基板电压Vsub设定为使p阱42的电位(点C’)比点B”深。这样，通过将蓄积在电位阱中的信息电荷量在电位阱的移动过程之前，减少到该移动过程中的截止电极下的电位势垒(点B”)以下，能够在该移动过程中抑制图像浮散的产生。
下面，对本摄像装置中的映像传感器的驱动方法进行说明。图5是表示由时钟发生电路12向映像传感器10供给的各种电压信号的基本变化的模式时序图。在图5中，时间沿横轴右方向经过。图5中表示了向摄像部10i的转送电极施加的转送时钟信号_i1～_i3、基板电压信号Vsub、以及向蓄积部10s的转送电极施加的转送时钟信号_s1各自的模式波形和生成时序。转送时钟_s剩余的_s2和_s3，除了为了实现3相驱动被相对_s1进行了相位位移这一点以外，基本上与_s1相同，因此为了简单化而省略了图示。
这里，本摄像装置在帧转送动作中，将向摄像部10i的CCD移位寄存器的转送电极施加的时钟_i的截止电压设为VL1，而在曝光动作时设为比VL1低的负电压VL2。截止电压VL1基本上可以设定为与对于蓄积部10s的CCD移位寄存器的转送时钟_s的截止电压相同。另一方面，VL2例如被设定为钳位(pinning)被施加了该电压的转送电极下的基板表面的电位的电压。在钳位状态的基板表面上，形成蓄积了从沟道分离区域30s供给的空穴的反转层。在这样地由空穴被反转的状态下，抑制了与栅极氧化膜的界面的热激励电子的产生。例如，在反转状态下，由于界面的价电子带的自由空穴的浓度大，所以，在基板与栅极氧化膜的界面产生的表面态捕获空穴的比例增高，从价电子带向表面态激励的电子容易捕获空穴并且再次返回到价电子带。如该钳位状态那样，在施加了负的截止电压的转送电极下，电子不容易向传导带被激励，可抑制介入了表面态的暗电流。
另外，本摄像装置在曝光期间使信息电荷的蓄积位置在各个像素内移动。例如，在与1个受光像素34对应的转送电极G1～G3(参照图2)中，电位阱的形成位置随着时间按顺序进行G2、G1、G2、G3、G2、…的移动。通过在该曝光期间的电位阱的移动，在各个像素的范围内可实现针对暗电流的位置的平均化，抑制像素间暗电流成分的差异，从而可降低画面粗糙感。
下面，结合图5，对本驱动方法进行更详细的说明。在1个画面的摄影中，首先对摄像部10i进行曝光。曝光期间E通过电子快门动作进行控制。在电子快门动作中，将对被配置在摄像部10i中的转送电极G1～G3施加的时钟电压_i1～_i3在规定的期间全部设为截止电压VL2(期间t1～t2)，并且在该期间将基板电压Vsub设定为比在通常时施加的直流电压(基准直流电压VSL，相当图4的点D的电压)高的排出电压VSH(相当图4的点D’的电压)。由此，被蓄积在摄像部10i的沟道区域的信息电荷被排出到基板背面。
另外，在电子快门动作结束的时刻t2，_i的规定相位的时钟信号，例如_i2从截止状态的VL2被设为导通状态的VH，在转送电极G2下形成电位阱。曝光期间E从该时刻开始。另一方面，曝光期间E的结束时刻由帧转送的开始时刻t18所规定。
这里，转送电极G2在从时刻t2开始的电位阱的形成之前，在电子快门动作(期间t1～t2)时被施加截止电压VL2，在其下面的基板背面附近形成反转层。通过在该截止电压VL2的施加期间由转送电极G2下面的表面态捕获空穴，在接下来的从时刻t2开始的信息电荷向电位阱的蓄积动作中，可减少介入了表面态的暗电流。
如上述那样，曝光期间E中的电位阱的位置在像素内被移动，在转送电极G2下之后，接下来在转送电极G1下形成电位阱(时刻t4)。在转送电极G2下被蓄积的信息电荷移动到转送电极G1下的电位阱中，同时在该G1下蓄积新产生的信息电荷。该转送电极G1在时刻t4到被施加导通电压VH为止被施加截止电压VL2。由此，与上述转送电极G2中的信息电荷的蓄积同样，在转送电极G1的信息电荷的蓄积中也减少了暗电流。以后，在曝光期间结束之前，电位阱的位置被顺序地移动，但在任意的转送电极下形成电位阱的情况下，都是事前对该转送电极施加截止电压VL2。而且，由此，在各个转送电极下的信息电荷的蓄积中，可抑制暗电流的产生，能够减少被蓄积在各个像素的信息电荷中所包含的暗电流成分。
在曝光期间E的最后被蓄积在G3下的电位阱中的信息电荷，通过从时刻t18开始的帧转送，被高速地移动到蓄积部10s。时钟发生电路12在帧转送中，作为转送时钟_i(_i1～_i3)以及_s(_s1～_s3)，以与摄像部10i的列方向的像素数对应的循环，生成振幅为从VL1到VH的相互同步的高速时钟(期间t18～t19)。由此，能够将摄像部10i的所有像素的信号电荷在短时间内全部移送到具备了遮光膜的蓄积部10s。
帧转送中的时钟周期比曝光动作中的导通电压VH与截止电压VL2的切换周期短。这里，在转送动作中，不需要形成反转层，另外，如果增大时钟的振幅，则上升时间和下降时间延长，难以进行高速转送。因此，在帧转送中，通过使时钟的截止电压不是VL2，而是VL1，来减小时钟振幅。此外，在帧转送中，时钟频率变得极高，容易造成发热和电力消耗增大的问题。对此，降低时钟振幅可有效地抑制发热和电力消耗。
在这样地将帧转送中的时钟振幅减小到比曝光期间中的振幅小时，会使得曝光期间E时蓄积在电位阱中的信息电荷量超过在帧转送中的CCD移位寄存器的处理电荷量，由此容易产生图像浮散。在本摄像装置中为了解决该问题，在帧转送之前进行上述的图像浮散抑制动作。即，在帧转送的开始(时刻t18)之前的时刻t17，在Vsub的基准直流电压VSL上叠加脉冲72，对基板施加排出电压VSH。由此，p阱42的电位成为比通常时的电位(图4中的点C)深的电位(图4中的点C’)，蓄积在电位阱的信息电荷中的越过p阱42的电位(点C’)的部分被排出到基板背面。通过这样地在帧转送的开始之前减少被蓄积在电位阱中的信息电荷量，可抑制在帧转送动作中产生图像浮散。
另外，在曝光期间E内的上述电位阱的移动时，在与移动起点对应的转送电极和与移动终点对应的转送电极双方被施加导通电压的期间β中，只在1个转送电极上形成电位阱之间的电位势垒。此时，如上述那样，由于电位势垒低，所以容易产生图像浮散。在本摄像装置中，作为其对应措施，也进行上述的图像浮散抑制动作。图5的例中，在期间β开始的时刻t4、t6、t8、t10、t12、t14、t16之前，在Vsub的基准直流电压VSL上叠加脉冲70，并向基板施加排出电压VSH，来抑制图像浮散(时刻t3、t5、t7、t9、t11、t13、t15)。
而且，在上述的图像浮散抑制动作中，由于利用叠加在Vsub的脉冲70、72来抑制图像浮散，所以，能够相对于图像浮散抑制而独立地设定基准直流电压VSL。这里，p阱42的电位、以及电位阱(点B)至基板背面的深度，与Vsub连动地变化。具体而言，在降低Vsub时，p阱42的电位变浅，电位阱接近基板表面侧。由此，会使得转送电极32和电荷转送沟道之间的电容增加，相对转送时钟的沟道的电位变化增大，能够增大电荷转送能力。因此，本摄像装置能够一方面通过调整脉冲70、72的排出电压VSH来抑制图像浮散，而另一方面通过设定低的基准直流电压VSL，来确保在以小于曝光期间的振幅进行驱动的帧转送和行转送中所必要的电荷转送能力。另外，在本实施方式中，是将脉冲70的基板电压Vsub和电子快门动作时的基板电压Vsub一同作为VSH而设定为相等，但也可以是相互不同的电压。
被转送到蓄积部10s的信息电荷，通过行转送而被转送到水平转送部10h。时钟发生电路12在与时序控制电路14所生成的水平同步信号HD同步的各个时刻，生成1个循环的转送时钟_s，并执行行转送。该行转送中的_s的各个时钟的振幅被设定为从VL1到VH。水平转送部10h通过水平转送将信息电荷转送到输出部10d，输出部10d将信息电荷转换成图像信号Y0(t)，并顺序输出。
另外，在上述的构造中，示出了在曝光期间E使电位阱移动的例子。关于介入了基于截止电压VL2的施加的暗电流的抑制效果，在导通电压VH的施加后，随着时间而逐渐减弱。对于这一点，进行电位阱的移动的驱动方法，通过在电位阱的每次移动时进行截止电压VL2的施加效果的更新，可有效地减少暗电流成分。另一方面，即使是在曝光期间E不移动电位阱，而在固定形成的电位阱中进行信息电荷的蓄积的驱动方法，通过先行施加截止电压VL2，也可以减少暗电流。
权利要求
1.一种固体摄像元件的驱动方法，用于驱动具备了由CCD移位寄存器受光，并将所产生的信息电荷蓄积在该CCD移位寄存器的电位阱中的摄像部的固体摄像元件，其特征在于，包括将通过曝光产生的所述信息电荷蓄积在所述电位阱中的曝光步骤；和通过施加转送时钟来驱动所述CCD移位寄存器，从所述摄像部读出所述信息电荷的转送步骤，所述曝光步骤包括对所述CCD移位寄存器的转送电极中与所述信息电荷的蓄积位置对应的蓄积电极施加导通电压，形成所述电位阱的蓄积步骤；和在所述蓄积步骤之前，对所述蓄积电极施加比所述转送时钟的截止电压低的蓄积前截止电压的蓄积前步骤。
2.根据权利要求
1所述的固体摄像元件的驱动方法，其特征在于，所述蓄积前截止电压是与在所述转送电极下的半导体表面上形成反转层的钳位电压对应的值。
3.根据权利要求
1或2所述的固体摄像元件的驱动方法，其特征在于，所述CCD移位寄存器是嵌入沟道型。
4.根据权利要求
1至3中任意一项所述的固体摄像元件的驱动方法，其特征在于，所述固体摄像元件具有对应排出电压的施加，从所述CCD移位寄存器的电荷转送沟道区域将不需要的所述信息电荷排出的漏极构造，所述驱动方法还包括电荷排出步骤，在所述转送步骤的开始之前，向所述漏极构造供给所述排出电压，将蓄积在所述电位阱的所述信息电荷中超出所述CCD移位寄存器的基于所述转送时钟的转送能力的部分排出。
5.一种摄像装置，包括具备了由CCD移位寄存器受光，并将所产生的信息电荷蓄积在该CCD移位寄存器的电位阱中的摄像部的固体摄像元件；和生成向该CCD移位寄存器的转送电极施加的导通电压和截止电压，控制所述电位阱的形成以及移动的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路，作为将通过曝光而产生的所述信息电荷蓄积在所述电位阱的曝光动作中的所述截止电压，生成比通过转送驱动所述CCD移位寄存器来从所述摄像部读出所述信息电荷的转送动作中的所述截止电压低的曝光时截止电压，当所述曝光动作时，在对所述转送电极施加所述导通电压来形成所述电位阱之前，施加所述曝光时截止电压。
专利摘要
一种固体摄像元件的驱动方法和摄像装置。可抑制帧转送型CCD映像传感器因在受光像素中产生的暗电流而导致S/N比的低下。当曝光期间时，在开始对转送电极施加导通电压V
文档编号H04N5/369GK1992822SQ200610163726
公开日2007年7月4日 申请日期2006年12月4日
发明者冈田吉弘, 逸见一隆 申请人:三洋电机株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan