14和U形华司15之间通过斜面、尖角形的齿面、直角形的齿面、另一种直角形的齿面结合的截面结构示意图，其中e和f分别为所述U形铁14和U形华司15之间通过螺纹和卡扣方式结合的截面结构示意图。图26B所示为所述U形铁14和U形华司15之间通过螺纹方式结合的3D截面结构示意图。图26C所示为所述U形铁14和U形华司15之间通过卡扣方式结合的3D截面结构示意图。所述螺纹或者卡扣的结合方式可以解决作业时U形铁14和U形华司15因磁力排斥造成的作业不方便的问题。
[0055]本实用新型通过增加U形铁14和U形华司15形成放置第一磁体11、第二磁体12和T形铁13的容置空间17，使磁铁组件I的磁力线更均匀，且增加了磁力线，即增加了磁通量、减少了漏磁，扬声器发声不会失真，提升了扬声器的音质效果，如图9所示，本实用新型与图2和图4相比，穿过音圈的磁力线比图2所示的磁铁组件I多了2条，穿过音圈的磁力线比图4所示的磁铁组件I多了 3条。
[0056]为了提升磁场密度及减少漏磁，所述U形铁14的中部具有下凹的凹部、或者在U形华司15上设置有下凹部、或者在U形华司15上设置向上突起或者向下突起的台阶部、又或者使所述T形铁13的纵向部132伸出U形华司15的外侧、再或者在所述U形华司上，在所述第二通孔处开设导角。
[0057]本实用新型可对磁铁组件I做多种变形，以满足不同磁通密度的需要，具体如下:
[0058]请一并参阅图7，本实用新型的第一实施例中，所述第二磁体12的外径、T形铁13的外径和第一磁体11的外径依次变小，从而可进一步增强磁铁组件I的磁通密度及提供防漏磁的效果。
[0059]请一并参阅图8，本实用新型的第二实施例中，第一磁体11、第二磁体12和T形铁13也可设置为:所述第二磁体12的外径与第一磁体11的外径相同，并且大于T形铁13的外径，如图8所示，此结构可加大副磁，进一步增强磁通密度，而且磁力线均匀，其磁力线如图9所示，其磁场强度约为图1所示磁铁组件的1.4倍，磁场强度大大增强。
[0060]请一并参阅图10，本实用新型的第三实施例中，所述U形铁14的中部具有下凹的凹部140，通过该凹部140结构可以提升磁路效率，进一步增强磁通密度而且漏磁小，其磁图线如图11所示。在本实用新型的第三实施例中，U形铁14各个部分的厚度相同，即在中部下时U形铁14的上表面和下表面同时下凹。
[0061]请一并参阅图12A，本实用新型的第四实施例与第二实施例相比的区别仅在于，T形铁13的纵向部132伸出U形华司15的外侧，该结构可使磁力线更均匀，进一步降低扬声器失真，但会使漏磁变大，其磁力线如图12B所示。
[0062]请一并参阅图13，本实用新型的第五实施例与第三实施例相比的区别仅在于，T形铁13的纵向部132伸出U形华司15的外侧，该结构可提升磁场密度、减少漏磁，但漏磁依然相对较大，其磁力线如图14所示。
[0063]请一并参阅图15，本实用新型的第六实施例与第四实施例相比的区别仅在于，U形华司15上具有第一下凹部152，所述第一下凹部152位于U形华司15的底面两侧，且环绕所述纵向部132—周，可使磁力线更均匀，提升磁场密度，减少漏磁，其磁力线如图16所示。在本实用新型的第六实施例中，U形华司15各个部分的厚度相同，即在中部下凹时U形华司15的上表面和下表面同时下凹。
[0064]请一并参阅图17，本实用新型的第七实施例与第四实施例相比的区别仅在于，U形华司15上具有向上突起的第一阶梯部153，所述第一阶梯部153位于U形华司15的底面中心、且环绕所述纵向部132—周，可使磁力线更均匀，提升磁场密度，减少漏磁。在本实用新型的第七实施例中，U形华司15各个部分的厚度相同，即在中部上凸时U形华司15的上表面和下表面同时向上突起。
[0065]请一并参阅图18，本实用新型的第八实施例与第四实施例相比的区别仅在于，在所述U形华司15的底面内壁上设置有第二下凹部154，在所述U形华司15的底面外壁上设置有第二阶梯部155，即U形华司15的底面内壁为下面，U形华司15的底面外壁向下凸出一个台阶，且在所述第二通孔处设置有第一导角156，此结构可进一步提升磁场密度，进一步减少漏磁，其磁力线如图19所示。
[0066]请一并参阅图20，本实用新型的第九实施例与第四实施例相比的区别仅在于，在所述U形华司15的底面内壁上设置有第三阶梯部157，即U形华司15的底面内壁向上凸出一个台阶，且在所述第二通孔处设置有第二导角158，此结构同样可进一步提升磁场密度，减少漏磁。
[0067]请一并参阅图21，本实用新型的第十实施例为第五实施例和第六实施的结合，所述U形铁14的中部具有下凹的凹部140，通过该凹部140结构可以提升磁路效率，所述U形华司15上具有第一下凹部152，所述第一下凹部152位于U形华司15的底面两侧，且环绕所述纵向部132—周，，可提升磁场密度，减少漏磁，其磁力线如图22所示。在本实用新型的第十实施例中，U形华司15各个部分的厚度相同，即在中部上凸时U形华司15的上表面和下表面同时向上突起。
[0068]请一并参阅图23，本实用新型的第^^一实施例是第五实施例和第六实施的结合，所述U形铁14的中部具有下凹的凹部140，通过该凹部140结构可以提升磁路效率，所述U形华司15的底面内壁上设置有第二下凹部154，在所述U形华司15的底面外壁上设置有第二阶梯部155，即U形华司15的底面内壁为下面，U形华司15的底面外壁向下凸出一个台阶，且在所述第二通孔处设置有第一导角156，此结构可进一步提升磁场密度，使磁力线密集、漏磁小，其磁力线如图24所示，其磁场强度为第二较佳实施例的1.2倍左右，相比现在技术，磁场强度大大增强。
[0069]请一并参阅图25，本实用新型的第十二实施例是在第一至第^^一实施例的基础上设置一贯通孔20，该贯通孔20依次贯穿U形铁14、第一磁体11、T形铁13和U形华司15，起到泄放空气和散热的作用。
[0070]本实用新型还相应提供一种扬声器，所述扬声器为高频喇叭、平板喇叭、或共振喇口八。如图27、图28和图29，所述扬声器包括音圈和所述的磁铁组件，所述音圈套设于所述磁铁组件的T形铁的纵向部上。其中，图27为高频喇叭，图28为平板喇叭，图29为共振喇叭，共振喇叭的共振介质包括:木质、玻璃、塑胶、金属等材料制作的桌面或门。三种喇叭的磁铁组件I相同，而喇叭的其它组成部分为现有技术，此处不作详述。
[0071]综上所述，本实用新型通过增加U形铁和U形华司形成放置第一磁体、第二磁体和T形铁的容置空间，使磁铁组件的磁力线更均匀，且增加了磁力线，即增加了磁通量、减少了漏磁，扬声器发声不会失真，提升了扬声器的音质效果。
[0072]可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种扬声器的磁铁组件，包括第一磁体、第二磁体和T形铁，所述T形铁具有横向部和纵向部，所述第二磁体上设置有第一通孔，所述T形铁的纵向部插入所述第一通孔中、并伸出第二磁体外，所述T形铁的横向部贴于所述第二磁体上，所述第一磁体设置于所述T形铁的横向部上；其特征在于，所述磁铁组件还包括用于增加磁通密度及减少漏磁的U形铁和U形华司，所述U形铁和U形华司盖合，其内部形成用于容纳第一磁体、第二磁体和T形铁的容置空间，所述U形铁和U形华司的结合面为平面，所述U形华司设置有第二通孔，所述T形铁的纵向部插入所述第二通孔中；所述磁铁组件还包括音圈，所述音圈插入第二通孔，并伸出第二通孔，且插入第一通孔。2.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述T形铁的纵向部伸出U形华司的外侧。3.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述U形铁的中部具有下凹部。4.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述U形华司上设置有下凹部。5.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述U形华司上设置向上突起或者向下突起的台阶部。6.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，还包括用于散热及泄放空气的贯通孔，所述贯通孔依次贯穿U形铁、第一磁体、T形铁和U形华司。7.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述U形华司上，在所述第二通孔处设置有导角。8.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述第二磁体的外径、T形铁的外径和第一磁体的外径依次变小;或者所述第二磁体的外径与第一磁体的外径相同，并且大于T形铁的外径。9.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述U形铁和U形华司的结合面为斜面或齿形面。10.根据权利要求1所述的扬声器的磁铁组件，其特征在于，所述的扬声器的磁铁组件中，所述U形铁和U形华司通过螺纹或者卡扣方式结合。
【专利摘要】本实用新型公开了扬声器及其磁铁组件。其中，磁铁组件包括第一磁体、第二磁体和T形铁，T形铁具有横向部和纵向部，第二磁体上设置有第一通孔，T形铁的纵向部插入第一通孔中、并伸出第二磁体外，T形铁的横向部贴于第二磁体上，第一磁体设置于T形铁的横向部上。磁铁组件还包括U形铁和U形华司，U形铁和U形华司盖合，其内部形成用于容纳第一磁体、第二磁体和T形铁的容置空间。磁铁组件还包括音圈，所述音圈插入第二通孔，并伸出第二通孔，且插入第一通孔。本实用新型通过增加U形铁和U形华司形成放置第一磁体、第二磁体和T形铁的容置空间，使磁铁组件的磁力线更均匀，且增加了磁力线，即增加了磁通量、减少了漏磁，扬声器发声不会失真。
【IPC分类】H04R9/06, H04R9/02
【公开号】CN205378207
【申请号】CN201620076276
【发明人】贺舒芬, 闫辽飞, 张少波
【申请人】深圳市赛音微电子有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年1月26日