专利名称：Cof薄膜输送带及其制造方法
技术领域：
本发明是关于安装IC或LSI等的电子部件的COF薄膜输送带及其制造方法。
背景技术：
随着电子产业的发达，对安装IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等的电子部件所用的印刷电路板的需求急剧增加，但同时还要求电子机器的小型化、轻量化、高机能化，作为此等电子部件的安装方法，最近采用有利用TAB带、T-BGA带、ASIC带及COF带等的电子部件安装用薄膜输送带的安装方式。尤其是，在使用如个人计算机、行动电话等要求高精细化、薄型化、液晶画面的框边面积的狭小化的液晶显示组件(LCD)的电子产业中，其重要性越来越高。
作为该电子部件安装用薄膜输送带的制备方法，一般采用连续输送在宽度方向两侧具有定位孔的长绝缘层同时，于该绝缘层上形成多个配线图案等的方法。
另外，如此的电子部件安装用薄膜输送带，随着电子机器的小型化，其本身也要求薄型化，近年来，提出使用膜厚较薄的绝缘薄膜。
但是，如上述的电子部件安装用薄膜输送带，因为在连续输送绝缘层的同时形成配线图案等，因此，当绝缘层的膜厚薄时，存在输送过程中绝缘薄膜变形或断裂的问题。另外，还有无法充分确保定位孔的强度，因而在输送时导致定位孔变形，无法高精度地将配线图案及抗蚀图形等形成于指定的位置，或是无法高精度地安装电子部件的问题。
为了解决如此的问题，日本专利特开平2-91956号公报揭示有以包围定位孔周围的方式而设的补强用的虚设配线。另外，日本专利特开平11-297767号公报揭示有在设有铜箔的树脂薄膜的背面粘接补强用的基材薄膜的技术。另外，日本专利特开2000-223795号公报揭示有在基底薄膜设置补强薄膜，形成定位孔的同时并设置虚设配线后，将补强薄膜剥离的方法。
但是，根据上述的方法，通过粘接层而将补强薄膜粘接于基底薄膜上，但该情况下，当形成定位孔时，在该孔的边缘部剥离补强薄膜，于该剥离部位带入且残留其之后的化学处理过程的处理液，且导致化学处理过程和制品产生不良的问题。
另一方面，当为了防止形成定位孔时的在补强薄膜的孔边缘部的剥离而提升粘接层的强度时，于定位孔形成后剥离补强薄膜时，于基底薄膜残留着应力，因而有在制品产生弯曲的问题。
另外，作为补强薄膜，当使用较为廉价的聚酯薄膜等时，例如，具有在镀锡后的晶须(whisker)抑制步骤及抗焊剂的固化步骤等过程的热处理步骤中，将产生补强薄膜的热收缩及热变形，及在COF的制造加工上的定位异常，及翘曲而造成的流动异常的问题。
发明内容
本发明鉴于上述情况，其目的在于提供在制造步骤中可良好地输送绝缘薄膜，并可防止制品不良的发生的COF薄膜输送带及其制造方法。
为解决上述目的的本发明的第一方面提供一种COF薄膜输送带，在具有连续的绝缘层表面由导体层组成配线图案，以及设于该配线图案两侧的多个定位孔，且于上述配线图案上安装有电子部件的COF薄膜输送带中，其特征在于；在上述绝缘层的除了形成有上述多个定位孔的宽度方向两侧区域的中央部，于与上述配线图案的相反侧设有补强薄膜。
根据本发明的第一方面，因为在绝缘层的宽度方向中央部设有补强薄膜，因此，可防止绝缘层在制造步骤的输送时所发生变形或断裂，且因为在宽度方向两侧不存在补强薄膜，因此，亦可避免在形成定位孔时，补强薄膜在孔边缘部剥离时所产生的问题，另外，若可避免在宽度方向中央部的变形，则可十分稳定地进行通过链轮的输送。
本发明的第二方面提供一种COF薄膜输送带，其特征在于；于本发明的第一方面中，上述多个定位孔的周围设置虚设配线。
根据本发明的第二方面，通过在定位孔形成后设置虚设配线，即可更为稳定地进行自此以后的输送。
本发明的第三方面提供一种COF薄膜输送带，其特征在于；于本发明的第二方面中，上述虚设配线是间隙性地设于上述多个定位孔各自的周围。
根据本发明的第三方面，可避免设置带状的虚设配线的情况下的强度不均匀及与定位孔的摩擦所引起的金属粉的落下等问题。
本发明的第四方面提供一种COF薄膜输送带，其特征在于；于本发明的第三方面中，在上述绝缘层的宽度方向端部与上述虚设配线之间具有指定的间隔。
根据本发明的第四方面，因为虚设配线未设置至宽度方向端部处，因此，可进一步防止与定位孔的摩擦所引起的金属粉的落下等问题。
本发明的第五方面提供一种COF薄膜输送带，其特征在于；于本发明的第一至第四方面中，上述补强薄膜的膜厚与上述绝缘层的厚度相同或比绝缘层的厚度薄。
根据本发明的第五方面，因为设置较绝缘层薄的补强薄膜，因此可避免因补强薄膜的变形收缩所引起的问题。
本发明的第六方面提供一种COF薄膜输送带，其特征在于；于本发明的第五方面中，上述补强薄膜的膜厚为25～50μm。
根据本发明的第六方面，因为补强薄膜较薄，因此即使产生热变形等仍不易影响到COF薄膜输送带本身。
本发明的第七方面提供一种COF薄膜输送带的制造方法，在具有连续的绝缘层表面由导体层组成的配线图案，以及设于该配线图案的宽度方向两侧的多个定位孔，且于上述配线图案上安装有电子部件的COF薄膜输送带的制造方法中，其特征在于；具备，在上述绝缘层的除了形成有上述多个定位孔的宽度方向两侧区域的中央部，于与上述配线图案的相反侧设有补强薄膜的步骤；在宽度方向两侧的区域形成上述定位孔的步骤；及在上述导体层上形成抗蚀图形，通过蚀刻形成上述配线图案，同时，于上述多个定位孔的周围形成虚设配线的步骤。
根据本发明的第七方面，因为在绝缘层的宽度方向中央部设有补强薄膜，因此，可防止绝缘层在制造步骤中的输送时发生变形或断裂，且因为在宽度方向两侧不存在补强薄膜，因此，亦可避免在定位孔形成时补强薄膜在孔边缘部剥离的问题，另外，若可避免在宽度方向中央部的变形，则可十分稳定地进行通过定位孔的输送。
本发明的第八方面提供一种COF薄膜输送带的制造方法，其特征在于；于本发明的第七方面中，于上述多个定位孔各自的周围间隙性地设置虚设配线。
根据本发明的第八方面，可避免设置带状的虚设配线的情况下的强度不均匀及与定位孔摩擦所引起的金属粉的落下等的问题。
本发明的第九方面提供一种COF薄膜输送带的制造方法，其特征在于；于本发明的第一至第八方面中，具备在形成上述虚设配线后将上述补强薄膜剥离的步骤。
根据本发明的第九方面，即使在形成虚设配线后将补强薄膜剥离，仍可稳定地进行电子部件安装时等的输送。
如上述说明，本发明中，因为于宽度方向两侧的定位孔形成区域以外的区域设有补强薄膜，因此可获得提供于制造步骤中可良好地输送绝缘薄膜，且可防止产生次品的COF薄膜输送带及其制造方法的效果。
图1为显示本发明的一个实施形态的COF用薄膜输送带的概略构成图，其中，图1(a)为俯视图，图1(b)及图1(c)为剖面图。
图2(a)～(d)为显示用于本发明的一个实施形态的COF用积层薄膜的一例的剖面图。
图3为显示本发明的一个实施形态的COF用薄膜输送带的其它例的概略剖面图。
图4(a)～(f)为显示本发明的一个实施形态的COF用薄膜输送带的制造步骤的一例的剖面图。
图5(a)、(b)为显示本发明的又一个实施形态的COF用薄膜输送带的概略构成图。
具体实施例方式
用于本发明的COF用积层薄膜的导体层与绝缘层的积层薄膜，可列举出将镍等的密接强化层溅镀在聚酰亚胺薄膜等的绝缘层后，再施以铜镀层的积层薄膜。另外，积层薄膜可列举出通过涂布法将聚酰亚胺薄膜积层于铜箔上的浇注型，或是经由热可塑性树脂、热固性树脂等将绝缘层热压接在铜箔上的热压接型积层薄膜。本发明中，可使用任一种方法。另外，作为导体层，除了铜以外还可使用金、银等，但一般使用铜箔。另外，铜箔可使用电解铜箔、轧制铜箔等的任一者。导体层的厚度一般为1～70μm，最好为5～35μm。
绝缘层除了聚酰亚胺外，还可使用聚酯、聚酰胺、聚醚砜、液晶聚合物等，但是尤其以使用具有联苯骨架的全芳香族聚酰亚胺为佳。在使用聚酰亚胺薄膜的情况，膜厚为5～50μm，最好为25～40μm。
另一方面，本发明所使用的补强薄膜，可使用聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜等。厚度最好与绝缘层相同或比绝缘层薄，最好使用25μm左右的薄膜，但也可使用5～50μm左右的薄膜。
另外，并未特别限定补强薄膜对于绝缘层的接合方法，可在将粘接层或接合层涂布于补强薄膜或绝缘层的至少一者后予以接合，也可粘贴预先具有粘接层或接合层的补强薄膜。另外，可在两者粘合后仅单纯地予以压接，也可予以热压接，并无特别的限定。
以下，基于实施形态来说明本发明的COF用积层薄膜及COF薄膜输送带。
图1显示一例实施形态的COF薄膜输送带，图2显示该COF用积层薄膜。图1(a)、图1(b)所示本实施形态的COF薄膜输送带20，如图2所示，为使用具备铜箔形成的导体层11、聚酰亚胺薄膜形成的绝缘层12、及在与绝缘层12的导体层11相反侧经由粘接层13而粘接的补强薄膜14的COF用积层薄膜10所制造者。图2为显示通过涂布法的COF用积层薄膜10的制造方法的一例，首先，在铜箔形成的导体层11上(图2(a))，涂布聚酰亚胺先质体或含有清漆的聚酰亚胺先质体树脂组成物以形成涂布层12a(图2(b))，使溶剂干燥并予以卷取。其次，在将氧气纯化后的固化炉内进行热处理，进行酰亚胺化后作为绝缘层12(图2(c))。然后，在与绝缘层12的导体层11相反侧粘贴具有粘接层13的补强薄膜14，并通过热压接等予以接合(图2(d))。在此，补强薄膜14是以较绝缘层12狭窄的宽度，仅设于宽度方向两侧端部以外的中央部。
COF薄膜输送带20具有将导体层11图案化而成的配线图案21及设于该配线图案21的宽度方向两侧的定位孔22。另外，配线图案21以分别大致对应于安装之电子部件的大小尺寸，连续设于绝缘层12的表面。另外，在定位孔22的周缘部设有与配线图案21电性独立的虚设配线23。另外，在配线图案21上具有通过丝网印刷法涂布抗焊剂材料涂布溶液而形成的抗焊剂层24。另外，在配线图案21的至少对应于内部导线21a的区域，形成可进行电子部件的金凸块与金-锡共晶接合或金-金热压接接合的镀层，例如锡镀层、锡合金镀层、金镀层、金合金镀层、或取代此等的镀层等。
在此，补强薄膜14是在如上说明的制造COF薄膜输送带20的步骤中，具有补强绝缘层12的宽度方向中央部的作用，但因为在设置定位孔22的位置并不存在，因此，于定位孔22形成时不产生局部剥离等的问题，也不产生带入且残留化学处理过程的处理液导致的在化学处理过程及制品产生不良的问题。
也可残留上述补强薄膜14而用以作为COF薄膜输送带20，但是亦可如图3所示，在剥离补强薄膜14的状态下供给电子部件安装步骤。
另外，在将补强薄膜14剥离后，也可在对应于配线图案21的区域，通过激光加工等设置折弯用的薄壁部。
再者，参照图4来说明上述COF薄膜输送带的一种制造方法。
如图4(a)所示，准备COF用积层薄膜10，如图4(b)所示，通过冲孔等贯穿导体层11与绝缘层12，以形成定位孔22。该定位孔22可从绝缘层12的表面上开始形成，另外，也可从绝缘层12的背面开始形成。接着，如图4(c)所示，使用一般的光微影法，对在导体层11上形成配线图案21的区域全面地涂布形成光阻材料涂布层50，例如负型光阻材料涂布溶液。当然，也可使用正型光阻材料。另外，于定位孔22内插入定位销，以进行绝缘层12的位置定位后，经由光罩51进行曝光显像，将光阻材料涂布层50图案化后，形成如图4(d)所示的抗蚀图形52。此时，亦与配线图案一起形成虚设配线用的图案。接着，将抗蚀图形52作为屏蔽图案而利用蚀刻液溶解导体层11并予以除去，再利用碱溶液等溶解除去抗蚀图形52，藉以形成如图4(e)所示的配线图案21及虚设配线23。接着，如图4(f)所示，例如使用丝网印刷法在内部导线21a与外部导线21b以外的区域形成抗焊剂层24。
另外，在以上说明的制造步骤中，虽将虚设配线23设为带状，但并不限于此，也可于各定位孔沿着输送方向间隙性地设置，例如图5所示。该情况的COF薄膜输送带20A中，是在各定位孔22的周缘部间隙性地设置虚设配线23A。
另外，虚设配线在上述步骤中是以与配线图案21相同步骤所形成，但也可以与配线图案21不同的步骤形成，例如也可通过部分转印配线的转印法等来另外设置。
本发明中，因为在宽度方向两侧形成定位孔以外的区域设置补强薄膜，因而可避免伴随着薄膜本身的变形而引起的不良，同时，可防止形成定位孔时带来的补强薄膜剥离的问题。
另外，虽然补强薄膜当使用较为廉价的聚酯等时，具有例如在镀锡后的晶须抑制步骤及抗焊剂的固化步骤等过程的热处理步骤中，会产生补强薄膜的热收缩及热变形因在COF的制造加工上的定位异常及通过翘曲的流动异常而引起的不良的问题，但是因为较薄，例如通过使用较薄的绝缘膜即可避免热变形等的不良。
另外，若在制造步骤设置虚设配线，其后，即使剥离补强薄膜，仍不会对电子部件安装时等的输送产生不良。
另外，尤其是于每一定位孔间隙性地设置虚设配线，虽可提升可确实输送绝缘层的程度的刚性，但是，绝缘层的刚性不会增加得过大，从而不会产生折弯及变形等的不良。
另外，虚设配线未设置至端部，通过在虚设配线与绝缘层的宽度方向端部之间设置间隙，即可防止配线图案的短路等的产生。也就是说，可防止于制造时输送绝缘层之际，虚设配线接触于输送路径上所设的导引等而产生金属片，该金属片接触于配线图案引起短路等的不良。
另外，因为带全体的刚性不会增加得过大，因此即使在输送路径弯曲的情况下，带本身仍可自由随着输送路径，而可较佳地输送。
实施例1在市售的厚度为25μm的属聚酰亚胺薄膜的KAPTON-EN25(东丽.杜邦公司制商品名)组成的绝缘层上设置被溅镀的密接强化层及设于其上的铜镀层所组成的导体层，同时，设置厚度为50μm的作为补强薄膜的聚酯薄膜(东丽(股)制、RUMILOR50S10)。补强薄膜是设于宽度方向两侧的定位孔形成区域以外。其后，形成定位孔，并形成配线图案与虚设配线，同时，设置抗焊剂层，而制成COF薄膜输送带。
实施例2除了补强薄膜为厚度25μm的聚酯薄膜(东丽(股)制、RUMILOR25S10)外，其余均与实施例1相同，制成COF薄膜输送带。
比较例除了将补强薄膜与绝缘薄膜设为同宽度以外，与实施例1相同，制成COF薄膜输送带。
试验例在各实施例和比较例中，观察在补强薄膜与绝缘层之间是否残留有化学处理过程中所使用的液体。
另外，将设置抗焊剂层后的带长与化学处理过程初期的带长比较，测定带收缩率(％)。
另外，测定薄膜输送带的翘曲。翘曲是测定将补强薄膜面向上而将长度100mm的薄膜输送带载放于基台上时，长度方向两端部离基台的高度h(mm)，若为5mm以上则评价为大，而不大于5mm则评价为小。表1显示此等结果。
表1
如上述说明，在实施例1、2中，因为在定位孔形成区域未设置补强薄膜，因而在化学处理过程中无剥离，也无液体残留，但在比较例中，于定位孔形成时补强薄膜剥离，并于剥离的部份存在液体的残留物。该残留物因输送带经由除水步骤及干燥步骤，因而观察到干燥的白色粉末状的残留物。
另外，补强薄膜的热收缩率较大，当厚度从50μm而设为25μm时，热收缩率的影响显著减小，带的翘曲也减小。
权利要求
1.一种COF薄膜输送带，具有在连续的绝缘层表面由导体层组成的配线图案，以及设于该配线图案两侧的多个定位孔，且于上述配线图案上安装有电子部件的COF薄膜输送带中，其特征在于；在上述绝缘层的除了形成有上述多个定位孔的宽度方向两侧区域的中央部，在与上述配线图案的相反侧设有补强薄膜。
2.如权利要求1所述的COF薄膜输送带，其特征在于；于上述多个定位孔的周围设置虚设配线。
3.如权利要求2所述的COF薄膜输送带，其特征在于；上述虚设配线是间隙性地设于上述多个定位孔的各自周围。
4.如权利要求3所述的COF薄膜输送带，其特征在于；在上述绝缘层的宽度方向端部与上述虚设配线之间具有指定的间隔。
5.如权利要求1至4项中任一项所述的COF薄膜输送带，其特征在于；上述补强薄膜的厚度与上述绝缘层的厚度相同或比上述绝缘层的厚度薄。
6.如权利要求5所述的COF薄膜输送带，其特征在于；上述补强薄膜的厚度为25～50μm。
7.一种COF薄膜输送带的制造方法，具有在连续的绝缘层表面由导体层组成的配线图案，以及设于该配线图案两侧的多个定位孔，且于上述配线图案上安装有电子部件的COF薄膜输送带的制造方法中，其特征在于；具备，在上述绝缘层的除了形成有上述多个定位孔的宽度方向两侧区域的中央部，在与上述配线图案的相反侧设有补强薄膜的步骤；在宽度方向两侧的区域形成上述定位孔的步骤；及在上述导体层上形成抗蚀图形，通过蚀刻形成上述配线图案的同时，于上述多个定位孔的周围形成虚设配线的步骤。
8.如权利要求7所述的COF薄膜输送带的制造方法，其特征在于；于上述多个定位孔各自的周围间隙性地设置虚设配线。
9.如权利要求7所述的COF薄膜输送带的制造方法，其特征在于；具备在形成上述虚设配线后将上述补强薄膜剥离的步骤。
全文摘要
本发明提供一种在制造步骤中可良好地输送绝缘薄膜，并可防止产生次品的COF薄膜输送带及其制造方法。本发明的COF薄膜输送带，在具有连续的绝缘层(12)表面由导体层(11)组成的配线图案(21)，以及设于配线图案的两侧的多个定位孔(22)，且于上述配线图案(21)上安装有电子部件的COF薄膜输送带中，在绝缘层(12)的除了形成有多个定位孔(22)的宽度方向两侧区域的中央部，在与配线图案(21)的相反侧设有补强薄膜(14)。
文档编号H05K3/00GK1663037SQ0381495
公开日2005年8月31日 申请日期2003年6月23日 优先权日2002年6月26日
发明者井口裕 申请人:三井金属矿业株式会社