专利名称：布线电路基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及布线电路基板，具体为涉及安装电子零部件带电路的悬置基板等布线电路基板。
背景技术：
在带电路的悬置基板等布线电路基板上，具有例如由不锈钢箔等构成的金属支持基板；形成于金属支持基板上并由聚酰乙胺等组成的基底绝缘层；形成于该基底绝缘层上并由铜箔等组成的导体图形；以及将该导体图形覆盖于基底绝缘层上的由聚酰乙胺树脂等组成的遮盖绝缘层。这种布线电路基板广泛用于各种电气设备或电子装置。
在这种布线电路基板上，为了防止所安装的电子零部件的因静电而损坏，曾经提出一种在遮盖层上形成导电的聚合物层，靠该导电的聚合物层消除所带静电的方法(例如，参照特開2004-158480号公报)。
但仅靠在上述特開2004-158480号公报所述的遮盖层上形成的导电聚合物层不能充分地消除所带的静电，所以有时不能可靠地防止所安装电子零部件因静电而损坏。
因此，例如有以下一种方案，即在带电路的悬置基板上，在导体图形、基底绝缘层及金属支持基板的各表面上连续地形成半导电层，试图靠这层半导电层消除导体图形所带的静电。
但是，当使半导电层和金属支持基板直接接触时，在高温高湿的环境中，使用该带电路的悬置基板时，有时会在金属支持基板上产生结露等，腐蚀金属支持基板。
本发明的目的在于提供一种布线电路基板，该布线电路基板能有效地消除所带的静电，并在高温高湿的环境下防止金属支持基板的腐蚀。
发明内容
本发明的布线电路基板的特点为包括金属支持基板；在所述金属支持基板上形成的基底绝缘层；在所述基底绝缘层上形成的导体图形；在所述基底绝缘层上形成为覆盖所述导体图形的半导电层；以及在所述金属支持基板上形成为与所述金属支持基板及所述半导电层接触的接地部。
本发明的布线电路基板上包括形成为覆盖所述导体图形的半导电层；以及在所述金属支持基板上形成为与所述金属支持基板及所述半导电层接触的接地部。
由此，导体图形通过半导电层和接地部与金属支持基板电气连接，因此能有效地消除导体图形上所带的静电。而且，半导电层不与金属支持基板直接接触，通过接地部与金属支持基板电气连接，因此能有效地防止金属支持基板的腐蚀。
其结果，能可靠地防止所安装的电子零部件因静电而损坏，而且能有效地防止在高温高湿的环境下金属支持基板的腐蚀。
另外，在本发明的布线电路基板上，在所述基底绝缘层上形成贯穿厚度方向的基底开口部，最好所述接地部设置在所述基底开口部内。
图1为表示本发明的布线电路基板一实施方式的带电路的悬置基板的概要俯视图。
图2为图1示出的带电路的悬置基板的A-A线的剖视图。
图3为表示图2示出的带电路的悬置基板的制造工序用的剖视图(a)为准备金属支持基板的工序、(b)为在金属支持基板上形成基底绝缘层的工序、(c)为同时形成导体图形及接地部的工序、(d)为在导体图形、接地部的上部、基底绝缘层、以及金属支持基板的表面上连续地形成半导电层的工序、(e)为在半导电层上形成遮盖绝缘层的工序、(f)表示靠腐蚀除去露出于遮盖绝缘层外的半导电层的工序、图4为半导电层和金属支持基板直接接触的比较例1的带电路的悬置基板的剖视图。
具体实施例方式
图1为表示本发明的布线电路基板一实施方式的带电路的悬置基板的概要俯视图。图2为图1示出的带电路的悬置基板的A-A线的剖视图。还有，在图1中，为了明确地示出导体图形4对于金属支持基板2的相对配置，将后述的基底绝缘层3、半导电层5、以及遮盖绝缘层6省略。
图1中，该带电路的悬置基板1装在硬盘驱动器上，并装上磁头(图中未示出)，对抗使该磁头在磁盘之间相对运动时产生的气流，在与磁盘间保持微小的间隔，并进行支持的金属支持基板2上，一体地形成和磁头及读/写基板(外部)连接用的导体图形4。
导体图形4一体地连续包括与磁头侧连接端子部8A、外部侧连接端子部8B、以及与所述磁头侧连接端子部8A及外部侧连接端子部8B连接用的布线9。
布线9沿金属支持基板2长度方向设置多根，并在金属支持基板2的宽度方向(与金属支持基板2长度方向正交的方向。以后有时简称为宽度方向)中互相隔开一定的间隔并排配置。
磁头侧连接端子部8A配置在金属支持基板2的前端，作为较宽的焊盘多个并排地设置，使其与各布线9的前端分别连接。该磁头侧连接端子部8A与磁头的端子部(图中未示出)连接。
外部侧连接端子部8B配置于金属支持基板2的后端，作为较宽的焊盘多个并排地设置，使其与各布线9的后端分别连接。该外部侧连接端子部8B与读/写基板的端子部(图中未示出)连接。
另外，安装磁头用的万向机构10设置于金属支持基板2的前端。通过切开金属支持基板2形成万向机构10，使其沿长度方向夹住磁头侧连接端子部8A。
而该带电路的悬置基板1如图2所示，包括金属支持基板2；在金属支持基板2上形成的基底绝缘层3；在基底绝缘层3上形成的导体图形4；在金属支持基板2上形成的接地部7在基底绝缘层3上形成为覆盖导体图形4及接地部7的半导电层5；以及在半导电层5上形成的遮盖绝缘层6。
金属支持基板2由与上述带电路的悬置基板1外形形状对应的沿长度方向平板状的薄板形成。
金属支持基板2的长度(长度方向的长度)及宽度(宽度方向的长度)可根据其目的及用途适当选择。
基底绝缘层3与形成导体图形4的部分对应，作为形成接地部7的部分和露出于金属支持基板2周围端部外的图形形成在金属支持基板2上。
更具体为，为了形成接地部7，在基底绝缘层3上并在其宽度方向的一侧，形成导体图形4宽度方向一侧最外侧的布线9、以及在宽度方向外侧隔开一定间隔，形成开口成贯穿厚度方向的基底开口部11。
基底开口部11开口呈沿长度方向延伸俯视实质上矩形的形状，形成与后述接地部7的下部12的形状相对应。
另外，基底绝缘层3的长度及宽度可根据其目的及用途如以上所述的形状那样适当选择。
导体图形4在基底绝缘层3上，如前所述地作为一体地具有互相隔开一定间隔并排配置的多根布线9、以及分别与各布线9的前端及后端分别连接的磁头侧连接端子部8A及外部侧连接端子部8B的布线电路图形。还有，以下，磁头侧连接端子部8A及外部侧连接端子部8B在不必特意作区别的情况下，简单地作为端子部8进行说明。
还有，导体图形4在基底绝缘层3上配置成能确保形成基底开口部11的区域。
各布线9的宽度例如为10～400μm，最好为20～100μm，各布线9间的间隔例如为10～400μm，最好为20～100μm。
另外，各端子部8的宽度例如为40～200μm，最好为50～120μm，各端子部8间的间隔例如为20～200μm，最好为40～120μm。
接地部7一体地连续具有如能充填在上述基底绝缘层3的基底开口部11内那样地形成的下部12；以及从下部12的上端开始在厚度方向上侧和长度方向两侧及宽度方向两侧上，如鼓出那样地形成的上部13。
在该接地部7，其下部12的下表面与金属支持基板2接触。
接地部7下部12的宽度例如为40～2000μm，最好为60～500μm，接地部7上部13的宽度例如为70～2060μm，最好为90～560μm。另外，接地部7的下部12及上部13的长度根据目的、用途，及产品的设计而相应地作适当选择。
在覆盖遮盖绝缘层6的基底绝缘层3上形成半导电层5，使其覆盖导体图形4及接地部7。即，形成半导电层5，使其介于基底绝缘层3、导体图形4及接地部7，以及遮盖绝缘层6之间。
另外，形成半导电层5，使基底绝缘层3周围端部露出，更具体为，形成半导电层5，使其在导体图形4的上表面及侧面；接地部7的上部13的上表面及侧面；以及露出于导体图形4及接地部7的上部13外的基底绝缘层3的上表面上沿长度方向及宽度方向连续。
通过这样，半导电层5在其厚度方向下侧与导体图形4、接地部7的上部13、以及基底绝缘层3接触，在其厚度方向上侧与基底绝缘层6接触。
基底绝缘层6形成于半导电层5上，更具体为，在俯视图上设置在与半导电层5同一位置。
即在形成于导体图形4上表面及侧面的半导电层5的上表面及侧面；形成接地部7的上部13的上表面及侧面的半导电层5的上表面及侧面；以及形成于露出在导体图形4及接地部7的上部13外的基底绝缘层3的上表面的半导电层5的上表面上，基底绝缘层6沿长度方向及宽度方向连续地形成。
另外，在遮盖绝缘层6上虽然图中未示出，但敞开着与端子部8对应的部分，使导体图形4的端子部8露出来。
遮盖绝缘层6的长度及宽度根据目的及用途如成为上述形状那样作适当选择。
还有，在该带电路的悬置基板1上，端子部8的上表面形成图中未示出的金属镀层。
图3为表示图2示出的带电路的悬置基板的制造工序的剖视图。
以下，参照附图对该带电路的悬置基板1的制造方法进行说明。
首先，按照该方法，如图3(a)所示，准备金属支持基板2。例如可以采用不锈钢、42号合金、铝、铜、铜—铍、磷青铜等金属箔作为金属支持基板2。最好用不绣钢箔。金属支持基板2的厚度例如为10～51μm，最好为18～25μm。
接着，按照该方法，如图3(b)所示，将基底绝缘层3形成于金属支持基板2上与形成导体图形4的部分对应，而且作为形成基底开口部11的图形。
基底绝缘层3例如由聚酰乙胺树脂、聚酰胺亚胺树脂、丙烯树脂、聚醚腈树脂、聚醚二甲苯磺树脂、聚对苯二甲酸乙酯树脂、聚乙烯萘树脂、聚氯乙烯树脂等树脂组成，考虑到耐热性，最好由聚酰乙胺树脂组成。
对于以上述图形形成基底绝缘层3，无特别限制，可采用已知的方法。例如将感光树脂(感光聚酰胺酸树脂)的凡立水涂布于金属支持基板2表面，使所涂的凡立水干燥，形成基底薄膜。然后借助光掩模使基底薄膜感光后，在择需加热后，通过显像形成上述图形，此后，在减压，通过以大于等于250℃的条件下加热，使其固化(亚胺(イミド)化)。
这样形成的基底绝缘层3的厚度例如为1～35μm，最好为5～12μm。
然后，按照该方法，如图3(c)所示，在基底绝缘层3上形成导体图形4作为上述布线电路图形，同时，在露出于基底绝缘层3的基底开口部11外的金属支持基板2上形成接地部7，使其下部12充填入基底绝缘层3的基底开口部11内，并使其上部13覆盖基底开口部11的端部边缘。
导体图形4及接地部7均由同一导体形成，例如由铜、镍、金、焊锡、或它们的合金等的导体组成，最好由铜组成。另外，导体图形4及接地部7在基底绝缘层3及金属支持基板2(包括露出在基底绝缘层3的基底开口部11外的部分)的上表面，例如用叠加法、减去法等已知的制作布线图形方法，最好用叠加法形成导体图形4及接地部7作为上述图形。
用叠加法，首先在基底绝缘层3及金属支持基板2的表面上形成导体薄膜。导体薄膜利用溅射法最好利用铬溅射及铜溅射，层叠铬薄膜和铜薄膜。
然后，按照与导体图形4及接地部7的图形相反的图形在该导体薄膜上表面上形成电镀保护层后，在露出于电镀保护层外的导体薄膜的上表面，通过电解电镀形成导体图形4及接地部7，此后，除去电镀保护层及层叠该电镀保护层的部分的导体薄膜。
又用减去法，首先在基底绝缘层3及金属支持基板2的上表面，择需借助粘接剂层，层叠导体层，接着，在该导体层上形成与导体图形4及接地部7的图形相同图形的腐蚀保护层，该腐蚀保护层作为保护层，对导体层进行腐蚀，最后除去腐蚀保护层。
在这样形成的导体图形4上，其厚度例如为3～20μm，最好为3～17μm。另外，接地部7的上部13的厚度例如为3～20μm，最好为3～17μm。还有，接地部7的下部12的厚度和基底绝缘层3的厚度相同。
接着，按照该方法，如图3(d)所示，在导体图形4的表面、接地部7的上部13的表面、露出于导体图形4及接地部7的上部13外的基底绝缘层3的表面、以及露出于基底绝缘层3外的金属支持基板2的表面上连续地形成半导电层5。可以采用金属或树脂作为形成半导电层5的半导电材料。
金属，例如可采用金属氧化物等，例如，采用氧化铬、氧化镍、氧化铜、氧化钛、氧化锆、氧化铟、氧化铝、氧化锌等金属氧化物。最好用氧化铬。
形成由金属氧化物组成的半导电层5虽无特别的限制，但可以采用例如，将金属作为靶溅射后，择需通过加热进行氧化的方法、反应性溅射方法、将金属氧化物作为靶进行溅射的方法等。
按照将金属作为靶溅射后，择需通过加热进行氧化的方法，例如将铬等金属作为靶，利用导入氬气等惰性气体作为导入气体的溅射方法进行溅射后，择需利用加热炉等在大气中，通过以50～400℃、加热1分钟～12小时而氧化，形成由金属氧化物组成的半导电层5。
按照进行反应性溅射的方法，例如在溅射装置上，将铬之类的金属作为靶，导入含氧的反应性气体作为导入气体，通过溅射形成由金属氧化物组成的半导电层5。
按照将金属氧化物作为靶的溅射方法，例如在溅射装置上，将氧化铬等金属氧化物作为靶，通过导入氩气等惰性气体作为导入气体，进行溅射，从而形成由金属氧化物组成的半导电层5。
另外，这种半导电层5例如可遵照特開2004-335700号公报所述而形成。
作为树脂，可采用散布有导电粒子的半导电树脂组成物等。
半导电树脂组成物例如含有聚酰乙胺树脂或亚胺树脂前驱体导电粒子及溶媒。
作为亚胺树脂可用已知的亚胺树脂，例如，聚酰乙胺树脂、聚醚亚胺树脂、聚酰胺亚胺树脂等。
作为亚胺树脂前驱体例如可采用特開2004-35825号公报所述的亚胺树脂前驱体，例如采用聚酰胺酸树脂。
作为导电粒子，例如可采用导电聚合物粒子、碳粒子、金属粒子、金属氧化物粒子等。
作为导电聚合物粒子例如可以采用聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等粒子、或上述衍生物的粒子。最好采用聚苯胺粒子。还有导电性聚合物粒子靠掺杂剂的掺杂作用赋予导电性。
作为掺杂剂例如，可采用p-甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、聚苯乙烯磺酸、p-甲苯磺酸酚醛树脂、p-苯酚磺酸酚醛树脂、β-萘磺酸甲醛缩合物等。
掺杂可以预先将导电聚合物粒子调合在进行分散(溶解)的溶媒中，另外，也可以在形成半导电层5后，将形成半导电层5的正在制造中的带电路的悬置基板1浸泡在掺杂剂的溶液中。
作为碳粒子例如为碳黑粒子，例如可以采用碳纳纤维。
作为金属粒子例如可采用铬、镍、铜、钛、锆、铟、铝、锌等粒子。
作为金属氧化物粒子，例如采用氧化铬、氧化镍、氧化铜、氧化钛、氧化锆、氧化铟、氧化铝、氧化锌等粒子或它们的复合氧化物的粒子。更具体为，氧化铟和氧化锡的复合氧化物的粒子(ITO粒子)、氧化锡和氧化磷的复合氧化物的粒子(PTO)等的粒子。
这些导电粒子可以单独使用或两种及两种以上同时使用。最好采用ITO粒子。
导电粒子的平均颗粒直径例如为10nm～1μm，最好为10nm～400nm，更理想为10nm～100nm。还有，在导电粒子为碳纳纤维时，例如其直径为100nm～200nm，其长度为5～20μm。若平均颗粒直径小于上述尺寸，则有时调整平均颗粒直径就变得困难，另外，若大于此，有时会对涂布不利。
溶媒只要能分散(溶解)亚胺树脂或亚胺树脂前驱体及导电粒子，无特别限制，但例如可以采用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基スルホキシド等非质子性极性溶媒。另外，上述溶媒可以单独使用或两种及两种以上同时使用。
因而，半导电树脂组成物可以通过将上述的亚胺树脂或亚胺树脂前驱物、导电粒子、及溶媒调合，从而制成。
导电粒子的调合比例对于亚胺树脂或亚胺树脂前驱物的100重量单位例如为1～300重量单位，最好为5～100重量单位。若导电粒子的调合比例少于此，则有时不能充分导电。而若多于此，则亚胺树脂或亚胺树脂前驱物的薄膜特性有时会损失。
另外，溶媒对于半导电树脂组成物上述亚胺树脂或亚胺树脂前驱物、及导电粒子的总量例如为1～40重量％(固体部分浓度)，最好为5～30重量％(固体部分浓度)，以此配比进行调合。固体部分浓度少于此或多于此，获得所要膜厚的控制有时会变得困难。
例如用滚筒涂布法、照相凹版印刷法、旋涂法、棒涂法等已知的涂布方法将上述调制成的半导电树脂组成物均匀地涂布于导体图形4表面、接地部7上部13的表面、露出于导体图形4及接地部7上部13外的基底绝缘层3表面、以及露出于基底绝缘层3外的金属支持基板2表面。其后，例如在60～250℃，最好在80～200℃下，例如加热1～30分钟、最好为3～15分钟后干燥。
另外，半导电树脂组成物在含有亚胺前驱体时，干燥后将该亚胺前驱体例如通过减压，加热到250℃及其以上，使其固化(亚胺化)。
通过这样，能在导体图形4表面、接地部7上部13的表面、露出于导体图形4及接地部7上部13外的基底绝缘层3表面、以及露出于基底绝缘层3外的金属支持基板2表面连续地形成半导电层5。
这样形成的半导电层5的厚度例如小于等于40μm，最好小于等于1μm，通常大于等于3μm。
另外，该半导电层5的表面电阻值例如设定在105～1013Ω/□，最好在105～1011Ω/□，更理想在106～109Ω/□的范围。若该半导电层5的表面电阻值小于此，有时所安装的电子零部件会产生误动作。另外，该半导电层5的表面电阻值若大于此，则有时无法防止静电引起的损坏。
然后，按照该方法，如图3(e)所示，按上述图形将遮盖绝缘层6形成于半导电层5上。
遮盖绝缘层6由和基底绝缘层3相同的树脂组成，最好为感光的合成树脂、更理想为感光的聚酰乙胺。
对于将遮盖绝缘层6作为上述图形形成无特别限制，可以采用已知的方法。例如将感光树脂(感光聚酰胺酸树脂)的凡立水涂布于半导电层5表面，使所涂的凡立水干燥，形成遮盖薄膜。接着通过光掩模对遮盖薄膜曝光后，再择需加热，靠显像形成上述图形，此后，例如，减压、通过以大于等于250℃加热，使其固化(亚胺化)。
这样形成的遮盖绝缘层6的厚度例如为1～40μm，最好为1～7μm。
然后，按照该方法，如图3(e)所示，靠腐蚀除去露出于遮盖绝缘层6外的半导电层5。腐蚀例如用氢氧化钾水溶液等硷性水溶液，利用浸泡法或喷雾法将遮盖绝缘层6作为腐蚀保护层进行湿法腐蚀。
由此，能将半导电层5形成于俯视和遮盖绝缘层6同一位置上。
此后，按照该方法，在端子部8上表面择需形成图中未示出的金属镀层后，如图1所示，利用化学腐蚀将金属支持基板2切开，形成万向机构10之同时，还通过外形加工，获得带电路的悬置基板1。
而且，在带电路的悬置基板1上具有形成覆盖导体图形4的半导电层5、以及形成与金属支持基板2及半导电层5接触的接地部7。
因此，导体图形4通过半导电层5和接地部7与金属支持基板2电气连接，所以，能有效地消除导体图形4所带的静电。而且，由于半导电层4与金属支持基板2不直接接触，借助接地部7与金属支持基板2电气连接，故而能有效地防止金属支持基板2的腐蚀。
其结果，能可靠地防止所安装的电子零部件因静电而损坏，而且能有效地防止在高温高湿的环境下金属支持基板的腐蚀。
再有，该带电路的悬置基板1，在基底绝缘层3的基底开口部11内能和导体图形4同时设置接地部7，所以能有效而可靠地设置接地部7。
还有，在上述说明中，沿布线9的宽度方向一侧设置1个接地部7，但其配置及数量并不限于此，可根据其目的及用途适当选择。
另外，在上述说明中将接地部7做成俯视略呈矩形的形状，但并不限于此形状，例如也可以形成俯视略呈圆形的形状等合适的形状。
实施例以下表示实施例及比较例，再对本发明进行具体说明。本发明不限于某个实施例及比较例。
实施例1准备好由厚20μm不锈钢箔组成的金属支持基板(参照图3(a))。
然后用旋涂机将感光聚酰胺酸树脂的凡立水均匀地涂布于该金属支持基板的表面，接着通过对所涂布的凡立水在90℃下加热15分钟，从而形成基底薄膜。此后，借助光掩模以700mJ/cm2对该基底薄膜曝光，在190℃下加热10分钟后，用碱性显像液显像。此后，再在减压至1.33Pa的状态下，通过在385℃下，使其固化，将由感光聚酰乙胺组成的基底绝缘层与形成导体图形的部分相对应形成于金属支持基板上，而且，使其形成基底开口部(参照图3(b))。该基底绝缘层的厚度为10μm。基底开口部为俯视呈矩形的形状，宽80μm、长300μm。
然后，利用叠加法，将由铜箔组成的厚10μm的导体图形作为布线电路图形形成于基底绝缘层的上表面之同时，还将由铜箔组成的接地部形成于露出在基底绝缘层的基底开口部外的金属支持基板上，使其下部充填入基底绝缘层的基底开口部内，而且其上部覆盖基底开口部的端部边缘(参照图(c))。接地部其上部及下部俯视均为矩形，下部宽80μm、长300μm，上部宽140μm、长360μm，厚10μm。
然后，利用将铬作为靶的溅射在导体图形、接地部、基底绝缘层及金属支持基板的各表面上形成由铬薄膜组成的溅射薄膜。
还有，溅射法为遵照特開2004-335700号公报所述的方法，按下述条件实施。
靶Cr达到的真空度1.33×10-3Pa导入气体流量(氩气)；2.0×10-3m3/h工作压力0.16Pa接地电极温度；20℃溅射时间3秒溅射薄膜厚度100nm然后，通过在大气中，125℃、加热12小时，由铬薄膜组成的溅射薄膜表面氧化，形成由氧化铬组成的半导电层(参照图3(d))。氧化铬层的厚度为100nm。
还有用ESCA确认由氧化铬组成的半导电层的形成。另外，用表面电阻测量装置(三菱化学(株)生产，Hiresta-up MCP-HT450)在温度25℃、湿度15％的条件下测量该半导电层的表面电阻值时，为1×107Ω/□。
然后，用旋涂机将上述感光聚酰胺酸树脂的凡立水均匀地涂布于半导电层的表面，通过在90℃下加热15分钟，形成7μm厚的遮盖薄膜。此后，借助光掩模以700mJ/cm2曝光，在180℃下加热10分钟后，通过用碱性显像液显像，从而制作遮盖薄膜的图形。此后，再在减压于1.33Pa的状态下，以385℃使其固化，由此，将由感光聚酰乙胺组成的遮盖绝缘层按照上述图形形成于半导电层上(参照图3(e))。遮盖绝缘层的厚度为5μm。
然后，将遮盖绝缘层作为腐蚀保护层，通过用氢氧化钾的水溶液作湿法腐蚀除去露出于遮盖绝缘层外的半导电层(参照图3(f))。
然后，在端子部表面形成金属镀层后，靠化学腐蚀切开，形成万向机构之同时，还通过外形加工，获得带电路的悬置基板(参照图1)。
比较例1在制造实施例1的带电路的悬置基板中，不设接地部，除将半导电层设置成直接与金属支持基板接触外，其余与实施例1一样，制造带电路的悬置基板(参照图4)。
即，半导电层在宽度方向上，形成于导体图形的上表面及侧面、露出于导体图形外的基底绝缘层的上表面及侧面、以及覆盖遮盖绝缘层的金属支持基板的的上表面上。
(评价)耐腐蚀性在85℃、85％RH的气氛中，将3V电压外加于由实施例1及比较例1得到的带电路的悬置基板的导体图形上500小时。其后利用断面DEX(EnergyDispersive X-ray能量分散X射线分光)观察金属支持基板的腐蚀状态。
其结果，在比较例1中，检测出铁、镍、铬等出来自金属支持基板的元素。而另一方面，在实施例1未检测出来自金属支持基板的元素。
在比较例1的带电路的悬置基板上，半导电层和金属支持基板直接接触，在高温高湿环境中，在半导电层和金属支持基板间的连接部分金属支持基板上有电流流动。因此，可以推测一旦在金属支持基板上产生结露，由于在上述接触部分流动的电流的作用，产生电流腐蚀，从而析出上述元素。
但是，在实施例1的带电路的悬置基板上，半导电层与金属支持基板不直接接触，仅通过接地部半导电层与金属支持基板电气连接。因此，可以推测例如即使在金属支持基板上产生结露，该结露也不至于到接地部，由于是只在接地部流动的电流，所以不会产生电流腐蚀，从而无上述元素析出。
还有，上述说明均作为本发明示例性的实施方式进行提供，这些都仅是示例而已。从事这项技术的人员所理解的本发明的变形例也包括在后述的权利要求范围内。
权利要求
1.一种布线电路基板，其特征在于，包括金属支持基板；在所述金属支持基板上形成的基底绝缘层；在所述基底绝缘层上形成的导体图形；在所述基底绝缘层上形成为覆盖所述导体图形的半导电层；以及在所述金属支持基板上形成为与所述金属支持基板及所述半导电层接触的接地部。
2.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，在所述基底绝缘层上形成贯穿厚度方向的基底开口部，将所述接地部设置在所述基底开口部内。
全文摘要
一种布线电路基板，包括金属支持基板；在金属支持基板上形成的基底绝缘层；在基底绝缘层上形成的导体图形；在基底绝缘层上形成为覆盖导体图形的半导电层；以及在金属支持基板上形成为与金属支持基板及半导电层接触的接地部。
文档编号H05F3/02GK101060756SQ20071010135
公开日2007年10月24日 申请日期2007年4月19日 优先权日2006年4月20日
发明者大薮恭也, 石井淳 申请人:日东电工株式会社