识别标志以及电路基板的制造方法

专利名称：识别标志以及电路基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及在制造用于各种电子设备的电路基板时所使用的识别标 志，且本发明涉及使用了上述识别标志的电路基板的制造方法。
背景技术：
近年来，随着电子设备趋向于小型化、高密度化，搭载电子零件的电 路基板也从现有的单面基板发展到采用双面、多层基板，并已开发出能够 在基板上集成更多的电路以及零件的高密度基板。
特别是随着多层基板的高密度化，电路图案变得细微，人们需要更多 层的电路图案和更薄的基板。
在此种电路基板中，必须新开发利用导电膏并经由内部导通孔来将多 层的电路图案之间加以连接的连接方法、以及可靠性高的结构。
以下，以专利文献1所揭示的制造方法为示例，对现有的利用导电膏
实现内部导通孔连接的4层基板的制造方法加以说明。
首先，对作为多层基板的核心基板的双面基板的制造方法、与导电膏 的填充方法加以说明，其中上述多层基板是利用导电膏来通过内部导通孔 来连接的。
图10A 图IOH是表示现有的双面基板的制造方法的步骤的剖面图。 图10A所示的基板材料是由半固化片21以及脱模薄膜22a、 22b构成的己 经层压过的半固化片。
可使用由复合材料形成的基材来作为半固化片21，此复合材料例如是 使热固性环氧树脂含浸于无纺布的全芳香族聚酰胺纤维或玻璃纤维布而成 的。在半固化片21的正反面上贴附有具有脱模层部的塑料薄膜，例如由聚 对苯二甲酸乙二醇酯等形成的脱模薄膜22a、 22b。
作为将脱模薄膜22a、 22b粘接到半固化片21上的方法，已提出了使 用层压装置，通过使半固化片21的树脂成分熔融而连续地将脱模薄膜22a、 22b粘接于上述半固化片21的方法。其次，如图10B所示，利用激光加工法等来形成通孔23。此时，通过 激光加工法来形成用于层间连接的产品用通孔23，同时形成制造时所使用 的识别标志用通孔27a、 27b。
接着，如图10C所示，将导电膏24填充到产品用通孔23以及识别标 志用通孔27a、 27b中。
导电膏24是为了赋予导电性而在环氧树脂等热固性树脂中混和着铜等 的金属粒子而成的。对于填充方法而言，可采用利用了刮板26的印刷法等 众所周知的技术。
其次，如图10D所示，将脱模薄膜22a、 22b剥离。脱模薄膜22a、 22b 仅仅是通过使半固化片21表面上的树脂部分稍微熔融来进行粘接，因此可 以容易地被剥离。
图11是脱模薄膜剥离后的通孔的剖面图，如图11所示，在将脱模薄 膜22a、 22b剥离之后导电膏24成为如下突出形状，即突出的部分相当于 脱模薄膜22a、 22b的厚度。
接着，如图IOE所示，将铜等的金属箔25a、 25b配置在半固化片21 的正反面。然后，通过热压来对半固化片21与所述金属箔25a、 25b进行 加热加压，由此如图10F所示，使它们成型并固化，从而使半固化片21与 金属箔25a、 25b贴附，并且使导电膏24压紧。由此，通过设置在预定位 置的通孔23中所填充的导电膏24，对正反面的金属箔25a、 25b进行电连 接。
其次，使用X射线透过金属箔25a、 25b，对形成在半固化片21上的 识别标志用通孔27a、 27b进行检测，如图10G所示，使用钻孔器等在识别 标志用通孔27a、 27b的中心处形成曝光用通孔29a、 2%。
接着，对曝光用通孔29a、 29b与曝光薄膜进行定位(未图示)，并利 用感光显像法等来形成预定的抗蚀图案。然后，使用二氯化铜等的化学药 液来选择性地进行蚀刻，如图10H所示，可获得包括电路图案32a、 32b与 层压下一层时的层压用识别图案33a、 33b的双面基板30。
接着，对4层基板的制造方法加以说明。
首先如图12A所示，准备以上述方式制得的形成着内层导体电路(形 成在作为内层电路基板上的电路图案)32a、 32b与层压下一层时的识别图
6案33a、 33b的双面基板30、以及使用图10A 图10D的制造方法而制得的 两张半固化片21a、 21b。在两张半固化片21a、 21b中具备产品用通孔23 与识别标志用通孔27a、 27b，使用印刷法将导电膏24填充到上述通孔中。 产品用通孔23形成在与双面基板30上的电路图案32a、 32b的预定位置相 向的部分。识别标志用通孔27a、 27b形成在与双面基板30上的层压识别 用图案33a、 33b的位置相向的部分。
接着如图12B所示，首先，利用相机来对半固化片21b的识别标志用 通孔27a、 27b进行检测，并进行图像处理，以求出所填充的导电膏24的 孔径的重心。根据此结果，在X、 Y、 e方向上移动半固化片21b，将半固 化片21b定位到预定位置，并配置到金属箔25b上。然后，利用相机，对 形成在与半固化片21b相向的部分的双面基板30上的层压识别用图案33a、 33b进行检测，并进行图像处理以求出重心。根据此结果，在X、 Y、 e方 向上移动双面基板30，使此双面基板30对准半固化片21b的识别标志用通 孔27a、 27b，并将此双面基板30配置到半固化片21b上。
接着，如图12C所示，利用相机，对与形成在双面基板30上的识别图 案33a、 33b相向的部分上所形成的半固化片21a的识别标志用通孔27a、 27b进行检测，并进行图像处理，以求出所填充的导电膏24的孔径的重心。 然后，在X、 Y、 e方向上移动半固化片21a，使此半固化片21a对准双面基 板30的识别用图案33a、 33b，并将此半固化片21a配置到双面基板30上。
再者，利用电荷耦合器件(Charge Coupled Device, CCD)等的相机， 对上述的识别标志用通孔27a、27b以及层压识别用图案33a、33b进行检测， 采用此种检测方法的理由可列举装置成本较低，装置的结构简单且较为 流行，而且生产率高等。
接着，如图12D所示，将金属箔25a、 25b分别配置到半固化片21a、 21b的表面上，通过热压来对金属箔25a、 25b与半固化片21a、 21b进行加 热加压，由此使它们成型并固化，从而使半固化片21a、 21b与金属箔25a、 25b贴附。由此，将导电膏24压紧，正反面的金属箔25a、 25b通过设置在 预定位置的通孔23中所填充的导电膏24，与内层的双面基板30的电路图 案32a、 32b电连接。
其次，利用X射线透过金属箔25a、 25b，对形成在半固化片21a、 21b中的识别标志用通孔27a、 27b进行检测，如图12E所示，使用钻孔器等在 识别标志用通孔27a、 27b的重心处形成曝光用通孔29a、 29b。
接着，如图12F所示，对曝光用通孔29a、 29b与曝光薄膜进行定位(未 图示)，利用感光显像法等来形成预定的抗蚀图案。然后，使用二氯化铜等 的化学药液来进行选择性蚀刻，形成外层的电路图案32a、 32b，由此获得 4层基板40。
但是，在如上述的电路基板的制造方法中，当使用激光加工在半固化 片上形成识别标志时，会产生识别错误或重心偏移，对于要求定位精度的 电路基板是不利的，其中上述半固化片在正反面上贴附着脱模薄膜。
使用表示通孔加工后的半固化片21的剖面与平面的对应关系的图13 对上述情况进行说明。具体而言，构成半固化片的树脂成分、芳族聚酸胺 纤维或玻璃纤维织物，与作为脱模薄膜的基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯等 塑料类物质的加工能量不同。因此，例如当照射激光偏斜时，如图13所示， 有时会在入射侧(半固化片的21表面)的脱模薄膜22a相对于激光的射出 侧(半固化片21的背面)已变形的状态下，对通孔23进行加工。g卩，入 射侧的通孔23a的孔径变得大于射出侧的通孔23的孔径。
如果将导电膏24填充到己以所述方式变形了的通孔23中，那么如图 14所示，入射侧的导电膏24孔径的重心37a会偏离射出侧的导电24的重 心37b。
然后，当利用相机，并使用透射光以及反射光来对半固化片21上的识 别用标志进行检测时，选择入射侧的孔径。另一方面，当在热压之后，利 用X射线透过金属箔25a、 25b来对识别标志用通孔23进行检测时，选择 导电膏24浓度高的射出侧的孔径。因此，在两个步骤之间产生了识别标志 用通孔23的偏移。
图15是表示现有例中的其他识别标志的示例的俯视图。最近，如图15 所示，己提出了由多个通孔构成的识别标志27，即使识别标志27的一部分 已缺失，识别标志27的重心变成异常标志38，也可以利用其他识别标志 27来获得重心。但是，当在上述半固化片21上对识别标志27进行加工时， 如果激光偏斜，那么同一方向上的入射侧与射出侧的导电膏24的孔径会不 同，与形成单一通孔的情况相同地会产生重心偏移。因此，为了消除此种制造方法中的识别标志的重心偏移，人们需要如 下的识别标志、与使用此识别标志的电路基板的制造方法，上述识别标志 不会受到因激光偏斜而产生的入射侧、射出侧的导电膏孔径的差异的影响。
专利文献1:日本专利特开平6-268345号公报

发明内容
本发明的识别标志设置在半固化片上的至少两处以上，且由填充有导 电性填充材料的通孔、与未填充导电性填充材料的通孔或在通孔壁面上残 留有导电性填充材料的通孔所构成。
由此，具有在制造时不会因激光的偏斜而使识别标志的重心偏移，可 获得层压精度高的多层基板的效果。
而且，本发明的电路基板的制造方法包括在半固化片的正反面上贴 附脱模薄膜的步骤；在上述半固化片上形成多个用于层间连接的通孔以及 识别标志用通孔的步骤；将导电性填充材料填充到用于层间连接的通孔以 及多个识别标志用通孔中的一部分通孔的步骤；以及将脱模薄膜从半固化 片剥离的步骤。
由此，可以容易地获得层压精度高的识别标志，其结果，从而能够提 供一种内层基板与半固化片的一致性优异、利用导电性填充材料那样的层 间连接方法实现的电连接稳定、且高质量、高密度的电路基板。


图1A是表示本发明的一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的 剖面图。
图1B是表示同一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的剖面图。 图1C是表示同一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的剖面图。 图1D是表示同一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的剖面图。 图1E是表示同一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的剖面图。 图1F是表示同一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的剖面图。 图1G是表示同一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的剖面图。 图1H是表示同一实施方式中的电路基板的制造方法的步骤的剖面图。 图2是表示同一实施方式中的识别标志的位置的平面图。 图3A是表示同一实施方式中的识别用通孔的加工方法的平面图。
9图3B是表示同一实施方式中的识别用通孔的加工方法的剖面图。
图4是表示同一实施方式中的识别标志的平面图。
图5是表示同一实施方式中的通孔加工后的剖面以及平面的对应关系的图。
图6A是在同一实施方式中的通孔中填充导电膏后的剖面图。 图6B是同一实施方式中的未在通孔中填充导电膏的通孔的剖面图。 图7是同一实施方式中的使用了导电膏的其他通孔的剖面图。 图8A是表示同一实施方式中的多层电路基板的制造方法的步骤的剖 面图。
图8B是表示同一实施方式中的多层电路基板的制造方法的步骤的剖 面图。
图8C是表示同一实施方式中的多层电路基板的制造方法的步骤的剖 面图。
图8D是表示同一实施方式中的多层电路基板的制造方法的步骤的剖 面图。
图8E是表示同一实施方式中的多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图8F是表示同一实施方式中的多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图9A是表示同一实施方式中的填充多层电路基板的制造方法中所使
用的导电膏之前的识别标志的重心的剖面图。
图9B是表示同一实施方式中的填充多层电路基板的制造方法中所使
用的导电膏之后的识别标志的重心的剖面图。
图10A是表示现有例中的双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图10B是表示同一双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图10C是表示同一双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图10D是表示同一双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图10E是表示同一双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图10F是表示同一双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图10G是表示同一双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。图IOH是表示同一双面电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图11是将现有例中的脱模薄膜剥离之后的通孔的剖面图。
图12A是表示现有例中的多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图12B是表示同一多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图12C是表示同一多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图12D是表示同一多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图12E是表示同一多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图12F是表示同一多层电路基板的制造方法的步骤的剖面图。
图13是表示现有例中的通孔加工后的剖面以及平面的对应关系的图。
图14是表示现有例中的识别标志的剖面图。
图15是表示现有例中的另一个识别标志的平面图。
附图标记说明
1、 la、 lb半固化片
2a、 2b脱模薄膜
3、 3a通孔
4导电膏
5a、 5b金属箔
6刮板
7、 7a、 7b层压识别标志用通孔
8a、 8bx射线识别标志用通孔
9a、 9b曝光用通孔
10双面基板
11掩模
12a、 12b电路图案
13a、 13b层压识别用图案
14a、 14bX射线识别用图案
15导电膏填充区域
16激光
17、 17a、 17b重心
18变质层
ii20 4层基板
具体实施例方式
本发明的识别标志设置在半固化片上的至少两处以上，且由填充有导 电性填充材料的通孔、与未填充导电性填充材料的通孔或在通孔壁面上残 留有导电性填充材料的通孔所构成。由此，具有在制造时不会因激光的偏 斜而使识别标志的重心偏移，可以获得层压精度高的多层基板的效果。
此外，未填充导电性填充材料的通孔或在通孔壁面上残留有导电性填 充材料的通孔，设置在填充有导电性填充材料的通孔的外侧，例如设置在 半固化片的端缘侧。由此，当将导电性填充材料填充到用于层间连接的通 孔中时，容易遮住未填充导电性填充材料的通孔。而且，可以在不影响到 用于层间连接的通孔的质量的情况下，形成在通孔壁面上残留有导电性填 充材料的通孔。并且，容易通过相机，使用透射光以及反射光来对未填充 导电性填充材料的通孔、或在通孔壁面上残留有导电性填充材料的通孔进 行检测。因此，在制造时不会因激光的偏斜而使识别标志的重心偏移，可 获得层压精度高的多层基板。
而且，在通孔的加工壁上形成有变质层。由此通孔的轮廓变得清晰， 可以容易地被检测出。
而且，未填充导电性填充材料的通孔或在通孔壁面上残留有导电性填 充材料的通孔的孔径，大于填充有导电性填充材料的通孔的孔径。由此， 可以防止因加工粉末或灰尘堵塞通孔等而引起通孔的重心偏移。
而且，未填充导电性填充材料的通孔、在通孔壁面上残留有导电性填 充材料的通孔、及填充有导电性填充材料的通孔中的至少一种通孔，是由 多个通孔所构成的。由此，即使通孔的加工位置精度降低，也可以根据多 个通孔的重心位置来得到，从而可以提高层压精度。
而且，在通孔壁面上残留有导电性填充材料的通孔是通过激光加工而 形成的，变质层是半固化片中的树脂成分经碳化而形成的。由此，可以高 效地形成变质层。
而且，未填充导电性填充材料的通孔或在通孔壁面上残留有导电性填 充材料的通孔，是通过多次照射激光而形成的。由此，可以在不使生产率 降低的情况下，高效地形成上述通孔。此外，本发明的电路基板的制造方法包括在半固化片的正反面上贴 附脱模薄膜的步骤；在上述半固化片上形成用于层间连接的通孔以及多个 识别标志用通孔的步骤；将导电性填充材料填充到用于层间连接的通孔以 及多个识别标志用通孔中的一部分通孔的步骤；以及将脱模薄膜从半固化 片剥离的步骤。
由此，可以容易地获得层压精度高的识别标志，其结构，从而能够提 供一种内层基板与半固化片的一致性优异、利用导电性填充材料的层间连 接方法实现的电连接稳定、且高质量、高密度的电路基板。
而且，本发明的电路基板的制造方法包括在半固化片的正反面上贴 附脱模薄膜的步骤；在上述半固化片上形成用于层间连接的通孔以及多个 识别标志用通孔的步骤；将导电性填充材料填充到用于层间连接的通孔以 及多个识别标志用通孔中的步骤；以及将脱模薄膜从半固化片剥离的步骤； 将导电性填充材料填充到多个识别标志用通孔中的步骤包括下述步骤导 电性填充材料从一部分通孔中掉落，导电性填充材料仅残存在通孔壁面上。
由此，可以容易地获得层压精度高的识别标志，而且因为在填充导电 性填充材料时，无须遮住一部分通孔，所以可以提高生产率，进而可以提 高半固化片等基板材料的有效面积的比率。
此外，导电性填充材料掉落的那一部分通孔的孔径，大于其他通孔的 孔径。由此，所填充的导电性填充材料会从通孔中掉落，导电性填充材料 仅残留在通孔壁面上，从而能够使通孔的轮廓变得清晰。
而且，本发明的电路基板的制造方法包括准备具有用于层间连接的
通孔及识别标志的半固化片的步骤，此用于层间连接的通孔是通过上述的 将脱模薄膜从半固化片剥离的步骤而制得且填充有所述导电性填充材料， 且此识别标志由填充有导电性填充材料的通孔、以及未填充导电性填充材
料的通孔或在通孔壁面上残留有导电性填充材料的通孔所构成；准备具有 电路图案以及层压识别用图案的内层基板与金属箔的步骤；对半固化片上 的识别标志中的填充有导电性填充材料的通孔、以及未填充导电性填充材 料的通孔或在通孔壁面上残留有导电性填充材料的通孔、以及内层基板的 层压识别用图案进行检测并进行定位，将所述半固化片配置到内层基板上 的步骤；将金属箔大致定位并配置到半固化片上之后，通过热压来进行加热加压的步骤；以及对识别标志中的填充有导电性填充材料的通孔进行检 测，形成曝光用通孔的步骤。由此，具有可获得层压精度高的多层电路基 板的效果。
而且，利用相机进行检测并进行图像处理，以此来对上述半固化片的 识别标志与内层基板上的层压识别用图案进行检测与定位。
由此，即使在已偏斜的状态下对半固化片上的识别标志进行加工，因 透射光的图像是通孔的孔径最小的部分，所以不会受到激光偏斜的影响。 其结果，可以容易地利用透射光来准确地对半固化片上的识别标志用通孔 以及内层基板的层压识别用图案进行正确的检测。此外，图像处理以及定 位操作快，生产率高。
而且，对识别标志中的填充有导电性填充材料的通孔进行检测，形成 曝光用通孔的步骤，是以如下方式进行的，即利用X射线来对通孔进行检 测，并在通孔的重心进行钻孔加工。
由此，可对重心进行检测而不会受到填充在入射侧的导电性填充材料 的影响，从而能够形成位置精度高的曝光用通孔，其中在上述入射侧，半 固化片上的识别标志在已偏斜的形状下受到加工。
如上所述，具体而言在本发明中，设置如下的两个识别标志， 一个识 别标志是在将内层的基板定位并层压到内层电路基板以及半固化片上时所 使用的识别标志，另一个识别标志是在热压之后透过金属箔而受到X射线 的检测的识别标志，利用未填充导电性填充材料的通孔、或在内壁上形成 有导电性填充材料的通孔来形成设置在半固化片上的层压时的识别标志， 且利用填充有导电性填充材料的通孔来形成受到X射线的检测的识别标志。
因此，根据本发明，能够改善内层电路基板与将要定位并层压到内层 电路基板的正反面上的半固化片的定位精度，并能够容易地实施高精细的 电路基板的制造方法。
以下， 一面参照附图， 一面对本发明的实施方式中的识别标志以及电 路基板的制造方法加以详细说明。 (实施方式)
在本实施方式中，使用导电膏作为导电性填充材料。首先，对作为多
14层基板中的内层基板的双面电路基板的制造方法加以说明，其中上述多层 基板是利用导电膏来进行内部导通孔连接的。
图1A 图1H是表示本发明的一实施方式中的电路基板的制造方法的
步骤的剖面图。图1A 图1H也是本发明的电路基板的制造方法的工序剖 面图。
百先卯图1A所不，便用层比装置，将貺悮溥腺2a、 2b贴附到半固化 片1的正反面上。
半固化片1使用由复合材料形成的基材，此复合材料例如是使热固性 环氧树脂含浸于无纺布的全芳香族聚酰胺纤维或玻璃纤维布而成的。使用 层压装置来在半固化片1的正反面上粘接形成有脱模层部的塑料薄膜，例 如由聚对苯二甲酸乙二醇酯等形成的脱模薄膜2a、 2b。
其次，如图1B所示，利用激光加工法等来形成作为内部导通孔的通孔 3。此时，在形成产品用(即用于层间连接)通孔3的同时，利用激光加工 法形成未填充下述导电膏4的层压识别标志用通孔7a、 7b，以及用于热压 后的位置识别的填充有导电膏4的X射线识别标志用通孔8a、 8b。
图2是表示本实施方式中的识别标志的位置的平面图。在本实施方式 中，如图2所示，在下述导电膏4的填充区域15内，形成有孔径约为150 pm 的X射线识别标志用通孔8a、 8b，在导电膏4的填充区域15的外侧，即 在从中心观察时作为外侧的半固化片1的端缘侧，形成有孔径约为300 , 的层压识别标志用通孔7a、 7b。
图3A以及图3B是表示本实施方式中的识别用通孔的加工方法的平面 图以及剖面图。在本实施方式中，为了防止生成加工粉末或灰尘，在进行 激光加工时多次照射激光16，并使激光16的孔径以图3A的方式重叠，以 此方式对层压识别标志用通孔7a、 7b进行加工，使孔径约为300 pm。如图 3B所示，在层压识别标志用通孔7a、 7b的加工壁上形成有变质层18，此 变质层18是利用激光16的热量来使半固化片1中的树脂成分碳化而成的。 此处，通过多次照射上述激光16来使层压识别标志用通孔7a、 7b的孔径 为300 pm，但此孔径也可以与产品用通孔3或X射线识别标志用通孔8a、 8b的孔径相同。
图4是表示本实施方式中的识别标志的平面图。在本实施方式中，层压识别标志用通孔7a、 7b以及X射线识别标志用通孔8a、 8b分别设为1 个通孔，但如图4所示，也可由多个通孔7、 8来形成识别标志，可任意地 设定通孔7、 8的个数。
而且，当制作4层时的半固化片1时，层压识别标志用通孔7a、 7b以 及X射线识别标志用通孔8a、 8b是必需的。但是，在双面基板的情况下， 因为使金属箔5a、 5b大致定位并配置在半固化片1的正反面，所以也可以 仅形成X射线识别标志用通孔8a、 8b。
图5是表示本实施方式中的通孔加工后的剖面以及平面的对应关系的 图。在激光加工时激光产生偏斜的情况下，如图5所示，偏斜部分的激光 的能量较小，因此，通孔3a形成在作为激光入射侧的半固化片1的上侧脱 模薄膜2a处。但是，半固化片1并未被上述通孔3a贯穿而是成为一部分受 到加工的状态。因此，上侧脱模薄膜2a的通孔3a的孔径大于半固化片1 的孔径，并且形成偏斜的状态。另一方面，作为激光射出侧的半固化片1 的下侧脱模薄膜2b侧，仅供能量大的部分的激光通过而形成通孔3，因此， 此通孔3在未偏斜的状态下受到加工。
接着，如图1C所示，使用众所周知的印刷法，将导电膏4填充到产品 用通孔3以及X射线识别标志用通孔8a、 8b，此通孔8a、 8b是构成识别标 志用通孔的一部分。在利用掩模11覆盖层压识别标志用通孔7a、 7b的状 态下，利用刮板6填充导电膏4，由此，能够阻止导电膏4侵入到层压识别 标志用通孔7a、 7b中。因此，能够不将导电膏4填充到层压识别标志用通 孔7a、 7b中，而是将导电膏4填充到未被板框覆盖的X射线识别标志8a、 8b中。
填充到通孔3中的导电膏4，与贴附在半固化片1的正反面上的铜等的 金属箔5a、 5b电连接。导电膏4是为了赋予导电性而在环氧树脂等热固性 树脂中混和铜等的金属粒子而成的。
其次，如图1D所示，将脱模薄膜2a、 2b剥离。在将脱模薄膜2a、 2b 剥离之后，导电膏4成为如下的突出形状，即突出的部分相当于脱模薄膜 2a、 2b的厚度。
图6A是在本实施方式中的通孔中填充导电膏后的剖面图，图6B是同 一未填充导电膏的通孔的剖面图。上侧脱模薄膜2a的加工面是在进行激光加工时，孔径大幅地偏斜的状态下加工的。因此，在进行激光加工后填充
入导电膏4的产品用通孔3及X射线识别标志用通孔8a、 8b成为如图6A 的状态。即，由于激光发生偏斜的部分的能量，作为激光入射侧的半固化 片1表面上所出现的导电膏4的孔径变大。另一方面，半固化片1的下侧 脱模薄膜2b侧的导电膏4的孔径变小，此下侧脱模薄膜2b侧作为激光偏 斜的影响较小的射出侧。因此形成如下状态，即表面的导电膏4的重心17a 与背面的导电膏4的重心17b偏离。
另一方面，未填充导电膏4的层压识别标志用通孔7a、 7b如图6B所 示，在作为激光入射侧的半固化片1的上侧会观察到轻微熔融的痕迹，但 在利用透射光进行观察时，未穿通的半固化片1的熔融痕迹部分的影响不 会显现出来，上述通孔7a、 7b均为具有中心17的通孔的形状(圆形)。
图7是本实施方式中的使用导电膏的另一个通孔的剖面图。在本实施 方式中，直接使用由激光加工而形成的通孔来作为层压识别标志7a、 7b。 但是，如图7所示，当填充导电膏4时，导电膏4会残留在层压识别标志 用通孔7a、 7b周边与通孔壁面上，由此，通孔的轮廓变得清晰。而且，当 利用激光加工来形成变质层18时，通孔的轮廓也会变得清晰。
为了使导电膏4仅残留在图7所示的部位，在填充区域内，设置具有 容易使导电膏4掉落的孔径的层压识别标志用通孔7a、 7b。由此，即使与 其他的产品用通孔3或X射线识别标志用通孔8a、8b同时地填充导电膏4， 层压识别标志用通孔7a、 7b中的导电膏4也会掉落，从而可获得图7所示 的层压识别标志用通孔7a、 7b。如果通孔孔径超过半固化片1厚度的1.5 倍，那么容易使导电膏4掉落，孔径越大就越容易使上述导电膏4掉落。 因此，可根据将要使用的导电膏4及填充方法等来设定通孔孔径。再者， 在将导电膏填充到层压识别标志用通孔7a、 7b中之后，放置规定时间，由 此，能够使导电膏仅残存在通孔壁面上。
其次，如图1E所示，使用半固化片1的层压识别标志用通孔7a、 7b， 将铜等的金属箔5a、 5b配置到正反面上。当制作作为内层基板的双面基板 时，对金属箔5a、 5b加以大致定位即可，因此，定位精度要求不高，可使 用填充有导电膏4的X射线识别标志用通孔8a、 8b。
接着，如图1F所示，之后，通过热压机加热加压，成型并固化，以使半固化片l与金属箔5a、 5b粘接，并且使导电膏4压紧。由此，正反面的 金属箔5a、 5b与设置在预定位置的产品用通孔3中所填充的导电膏4电连接。
其次，利用X射线检测器，透过金属箔5a、 5b来对形成在半固化片l 上的X射线识别标志用通孔8a、 8b进行检测。然后，如图1G所示，使用 钻孔器等，在X射线识别标志用通孔8a、 8b的重心处形成曝光用通孔9a、 9b。在X射线识别标志用通孔8a、 8b的重心处，因受到半固化片l的受激 光偏斜的影响而在偏斜状态下加工的入射侧的导电膏4的孔径较大，但导 电膏4的厚度会相应减少，减少的厚度等于脱模薄膜2a的厚度，且浓度降 低。因此，选择在激光射出侧的导电膏4的孔径的重心，上述激光射出侧 的导电膏4的浓度高且导电膏4的孔径小。
接着，如图1H所示，对曝光用通孔9a、 9b与曝光薄膜进行定位(未 图示)，并利用感光显像法等来形成预定的抗蚀图案。然后，使用二氯化铜 等的化学药液来进行选择性蚀刻，形成电路图案12a、 12b、 4层用的层压 识别用图案13a、 13b、以及X射线识别用图案14a、 14b，由此，可获得用 作内层基板的双面基板10。此处，仅在双面基板的表面上形成层压识别用 图案13a、 13b与X射线识别用图案14a、 14b，但也可根据检测方法而将上 述图案设置在背面侧。
再者，在本发明中，未填充导电性填充材料的通孔、在通孔壁面上残 留有导电性填充材料的通孔、及填充有导电性填充材料的通孔中的至少一 种通孔，可由多个通孔所构成。
其次，对本发明的4层基板的制造方法加以说明。图8A 图8F是本 发明的4层基板的制造工序剖面图。
首先如图8A所示，准备以上述方式制得的包括内层导体电路12a、 12b 与层压下一层时的识别图案13a、 13b的双面基板10、以及使用图1A 图 1D的制造方法而制得的两张半固化片la、 lb。在两张半固化片la、 lb上， 在双面基板10的电路图案12a、 12b的预定位置上形成填充有导电膏4的 产品用通孔3。而且，在与X射线识别用图案14a、 14b的位置相向的部分 上形成填充有导电膏4的X射线识别标志用通孔8a、 8b。并且，在与层压 识别用图案13a、 13b的位置相向的部分上形成未填充导电膏4的层压识别
18标志用通孔7a、 7b。
接着如图8B所示，利用相机并以透射光来对半固化片lb的未填充导 电膏4的层压识别标志用通孔7a、 7b进行检测，进行图像处理以求出重心，
在x、 y、 e方向上移动半固化片lb，将此半固化片lb定位到预定位置，
接着将此半固化片lb配置到金属箔5b上。然后，利用相机，从上方对形 成在与半固化片lb相向的部分的双面基板10上表面的层压识别用图案 13a、 13b进行检测，并进行图像处理以求出重心，在X、 Y、 e方向上移动 双面基板10，使此双面基板10对准半固化片lb的层压识别标志用通孔7a、 7b，并将此双面基板IO配置到半固化片lb上。
在未填充导电膏4的层压识别标志用通孔7a、 7b的加工壁上形成有变 质层，通孔的轮廓变得更加清晰，可稳定地对层压识别标志用通孔进行检 测，在所制作的1000张样品中，未出现误识别。
在本实施方式中，利用相机，从上方对双面基板10上表面的层压识别 用图案13a、 13b进行检测，但也可利用相机，从下方对双面基板10下表 面的层压识别用图案13a、 13b进行检测。
并且，如图8C所示，求出半固化片la的层压识别标志用通孔7a、 7b 的重心，此层压识别标志用通孔7a、 7b形成在与双面基板10上所形成的 层压识别用图案13a、 13b相向的部分上，且未填充导电膏4。然后，在X、 Y、 e方向上移动半固化片la，使此半固化片la对准双面基板10的层压识 别用图案13a、 13b，将此半固化片la配置到双面基板10上。
其次，如图8D所示，将金属箔5a配置到半固化片la上，通过热压机 进行加热加压，成型固化以使半固化片la与金属箔5a、 5b贴附，并且使导 电膏4压紧。由此，正反面的金属箔5a、 5b通过设置在预定位置的通孔3 中所填充的导电膏4，与双面基板10的电路图案12a、 12b电连接。
接着，使用X射线透过金属箔5a、 5b，对形成在半固化片la、 lb上的 X射线识别标志用通孔8a、 8b进行检测，如图8E所示，使用钻孔器等， 在X射线识别标志用通孔8a、 8b的重心处形成曝光用通孔9a、 9b。
接着，如图8F所示，对曝光用通孔9a、 9b与曝光薄膜进行定位(未 图示)，并利用感光显像法等来形成预定的抗蚀图案，使用二氯化铜等的化 学药液来进行选择性蚀刻而形成电路图案12a、 12b，由此可获得4层基板20。
图9A以及图9B是表示本实施方式中的多层电路基板的制造方法中所 使用的导电膏填充前、以及导电膏填充后的识别标志的重心的剖面。如图 9A所示，利用未填充导电膏4的通孔7a、 7b来形成层压识别标志，由此， 即使在激光偏斜的状态下对层压识别标志用通孔7a、 7b进行加工，透射光 的图像是通孔中孔径最小的部分，因此不会受到激光偏斜的影响。因此， 入射侧与射出侧的重心不会偏移，此重心偏移现象在现有的填充导电膏4 来形成识别标志时成为问题。
而且，热压后所使用的X射线识别标志用通孔8a、 8b形成在层压识别 标志附近，由此，可以防止对于层压识别标志的位置精度的降低。并且， 如图9A、图9B所示，求出的层压识别标志用通孔7a、 7b的重心17a、与 受到X射线检测的X射线识别标志用通孔8a、8b的重心17b在通孔的同一 位置，因此，，也能够改善在进行层压时和利用X射线来进行检测时的重心 偏移。
而且，因为并未在层压识别标志用通孔7a、 7b中填充导电膏4，所以 当通孔孔径变小时，灰尘或半固化片的树脂粉等容易留在通孔中。因此， 当使用相机利用透射光来进行检测时，孔径变小，且重心位置发生偏移， 从而存在定位精度降低的情况。因此，优选将层压识别标志用通孔3a、 3b 的孔径设为容易使灰尘或半固化片的树脂粉掉落的孔径。
因此，在本实施方式中，半固化片的厚度设为100 pm，而通孔孔径设 为约300 pm。但是，可根据半固化片的特性或激光加工法来设定通孔孔径。 而且，在激光加工时，多次对层压识别标志用通孔照射激光，将激光直径 加以重叠对一个通孔进行加工，半固化片中的树脂成分因激光加工的热量 而碳化等的变色层得以形成，因此，容易检测出层压识别标志的轮廓。
而且，在本实施方式中，已对4层基板的制造方法进行了说明，但进 一步将己完成的基板20作为内层基板，将本发明所制得的半固化片la、 lb 与金属箔5a、 5b加以定位并配置到上述内层基板的正反面上，重复热压以 及形成电路的过程，由此可获得任意的多层基板。
而且，本实施方式的结构为，在电路基板10的正反面上配置半固化片 la、 lb与金属箔5a、 5b，但在半固化片la、 lb的正反面上配置电路基板10，也可以获得本发明的效果。
此外，对使用导电膏作为层间连接方法的结构进行了说明，但作为导 电膏，除了可使用在包含固化剂的热固性树脂中混和铜粉等的导电性粒子 而成的物质之外，还可使用多种组成，例如对导电性粒子及热压时可以排 出到基板材料中的适当粘度的高分子材料、或者溶剂等进行混和而成的物 质等。
工业利用可能性
如上所述，内层基板与半固化片的一致性优异，能够稳定且高质量地 利用导电膏那样的层间连接材来实现电连接，因此，本发明对于电路基板 的制造方法等是有用的。
权利要求
1、一种识别标志，其特征在于其设置在半固化片上的至少两处，且由填充有导电性填充材料的通孔、以及与未填充所述导电性填充材料的通孔或在通孔壁面上残留有所述导电性填充材料的通孔所构成。
2、 根据权利要求1所述的识别标志，其特征在于从中心观察，在所述填充有导电性填充材料的通孔的外侧，设置有所 述未填充所述导电性填充材料的通孔、或所述在通孔壁面上残留有所述导 电性填充材料的通孔。
3、 根据权利要求1所述的识别标志，其特征在于 在所述通孔的加工壁上形成有变质层。
4、 根据权利要求1所述的识别标志，其特征在于所述未填充所述导电性填充材料的通孔或所述在通孔壁面上残留有所 述导电性填充材料的通孔的孔径，大于所述填充有所述导电性填充材料的 通孔的孔径。
5、 根据权利要求1所述的识别标志，其特征在于所述未填充所述导电性填充材料的通孔、所述在通孔壁面上残留有所 述导电性填充材料的通孔、及所述填充有所述导电性填充材料的通孔中的 至少一种所述通孔，是由多个通孔所构成的。
6、 根据权利要求3所述的识别标志，其特征在于所述在通孔壁面上残留有所述导电性填充材料的通孔是通过激光加工 而形成的，所述变质层是半固化片中的树脂成分经碳化而成的。
7、 根据权利要求4所述的识别标志，其特征在于所述未填充所述导电性填充材料的通孔或所述在通孔壁面上残留有所 述导电性填充材料的通孔，是通过多次照射激光而形成。
8、 一种电路基板的制造方法，其特征在于包括在半固化片的正反面上贴附脱模薄膜的步骤；在正反面上贴附有所述 脱模薄膜的所述半固化片上形成用于层间连接的通孔以及多个识别标志用 通孔的步骤；将导电性填充材料填充到所述用于层间连接的通孔以及所述 多个识别标志用通孔中的一部分通孔的步骤；以及将所述脱模薄膜从所述半固化片剥离的步骤。
9、 一种电路基板的制造方法，其特征在于包括-在半固化片的正反面上贴附脱模薄膜的步骤；在正反面上贴附有所述 脱模薄膜的所述半固化片上形成用于层间连接的通孔以及多个识别标志用 通孔的步骤；将导电性填充材料填充到所述用于层间连接的通孔以及所述 多个识别标志用通孔的步骤；以及将所述脱模薄膜从所述半固化片剥离的 步骤；将所述导电性填充材料填充到所述多个识别标志用通孔中的步骤包 括下述步骤:所述导电性填充材料从一部分所述通孔中掉落，所述导电性 填充材料仅残存在通孔壁面上。
10、 根据权利要求9所述的电路基板的制造方法，其特征在于 所述导电性填充材料掉落的那一部分所述通孔的孔径，大于其他所述通孔的孔径。
11、 一种电路基板的制造方法，其特征在于包括 准备具有下述的用于层间连接的通孔及识别标志的半固化片的步骤，所述用于层间连接的通孔通过权利要求8或权利要求9所述的将所述脱模 薄膜从所述半固化片剥离的步骤而制得且填充有所述导电性填充材料，所 述识别标志由填充有所述导电性填充材料的通孔、以及未填充所述导电性 填充材料的通孔或在通孔壁面上残留有所述导电性填充材料的通孔所构 成；准备具有电路图案以及层压识别用图案的内层基板与金属箔的步骤； 对所述半固化片上的识别标志中的所述填充有所述导电性填充材料的通 孔、以及所述未填充所述导电性填充材料的通孔或所述在通孔壁面上残留 有所述导电性填充材料的通孔、以及所述内层基板的层压识别用图案进行 检测并进行定位，将所述半固化片配置到所述内层基板上的步骤；将所述 金属箔大致定位并配置到所述半固化片上之后，通过热压半固化片进行加 热加压的步骤；以及对所述识别标志中的所述填充有所述导电性填充材料 的通孔进行检测，形成曝光用通孔的步骤。
12、 根据权利要求ll所述的电路基板的制造方法，其特征在于 利用相机进行检测并进行图像处理，以此来对所述半固化片上的识别标志与所述内层基板的层压识别用图案进行检测以及定位。
13、根据权利要求ll所述的电路基板的制造方法，其特征在于对所述识别标志中的所述填充有所述导电性填充材料的通孔进行检 测，形成所述曝光用通孔的步骤是以如下方式进行的，即利用X射线来对 所述通孔进行检测，并在所述通孔的重心进行钻孔加工。
全文摘要
本发明涉及一种电路基板的制造方法，在正反面贴附有脱模薄膜(2a、2b)的半固化片(1)上，形成产品用通孔(3)、层压识别标志用通孔(7a、7b)、以及X射线识别标志用通孔(8a、8b)，遮住层压识别标志用通孔(7a、7b)，并将导电膏(4)填充到产品用通孔(3)以及X射线识别标志用通孔(8a、8b)中之后，将脱模薄膜(2a、2b)剥离，从而制造电路基板，因为并未在层压识别标志用通孔(7a、7b)中填充导电膏(4)，所以可容易地获得层压精度高的识别标志，从而可获得层压精度高、密度高且质量优异的电路形成基板。
文档编号H05K1/02GK101543144SQ20088000033
公开日2009年9月23日 申请日期2008年3月12日 优先权日2007年3月14日
发明者冈本孝雄, 平石幸弘, 竹中敏昭, 马田督也 申请人:松下电器产业株式会社