专利名称：单晶炉热场托杆轴基座的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及高温炉用材料，具体涉及单晶炉热场托杆轴基座。
背景技术：
单晶硅主要采用直拉单晶制造法生产，这种生产エ艺需要用到单晶炉。将原材料放入坩埚中，在单晶炉中加热融化，在将棒状籽晶浸入熔液中。在合适的温度下，熔液中的硅原子会在固液交界面上形成规则的結晶，成为单晶体。吧籽晶微微旋转向上提升，熔液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续結晶，如此往复即可得到单晶硅锭。目前的提供升降动作的托杆轴连接装置结构上存在的问题为，托杆轴与托杆轴基座连接部位面积过小，导致运动传输不稳定，连接部位结构单薄，在高低温差下容易出现裂纹。
实用新型内容本实用新型的目的即在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单，稳固可靠，寿命长的单晶炉热场托杆轴基座。本实用新型的目的通过以下技术方案实现单晶炉热场托杆轴基座，它包括基座体，基座体上开设有圆形坩埚托盘安装槽，坩埚托盘安装槽内设置有凸台，坩埚托盘安装槽底面上均布减重孔，在基座体中间开设有托杆轴安装孔，以托杆轴安装孔圆周上的点为圆心，开设有固定销安装孔，固定销安装孔为半圆孔，沿托杆轴安装孔圆周均布，减重孔和托杆轴安装孔为通孔。本实用新型的优点是托杆轴安装孔为通孔，与托杆轴配合面积大；固定销安装在固定销安装孔中，以连接托杆轴，稳固可靠，不产生裂纹；设置有减重孔，降低了重量，节约了成本。
图1为本实用新型的结构示意图图2为本实用新型的俯视图图中，1-基座体，2-坩埚托盘安装槽，3-凸台，4-减重孔，5-托杆轴安装孔，6-固定销安装孔。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进ー步说明，本实用新型的保护范围不限于以下所如图1和图2所示，单晶炉热场托杆轴基座，它包括基座体1，基座体1上开设有圆形坩埚托盘安装槽2，坩埚托盘安装槽2内设置有凸台3，坩埚托盘安装槽2底面上均布减重孔4，在基座体1中间开设有托杆轴安装孔5，以托杆轴安装孔5圆周上的点为圆心，开设有固定销安装孔6，固定销安装孔6为半圆孔，沿托杆轴安装孔5圆周均布，减重孔4和托杆轴安装孔5为通孔。
权利要求1.单晶炉热场托杆轴基座，其特征在于，它包括基座体(1)，基座体(1)上开设有圆形坩埚托盘安装槽(2 )，坩埚托盘安装槽(2 )内设置有凸台(3 )，坩埚托盘安装槽(2 )底面上均布减重孔(4)，在基座体(1)中间开设有托杆轴安装孔(5)，以托杆轴安装孔(5)圆周上的点为圆心，开设有固定销安装孔(6)，固定销安装孔(6)为半圆孔，沿托杆轴安装孔(5)圆周均布，减重孔(4 )和托杆轴安装孔(5 )为通孔。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶炉热场托杆轴基座，它包括基座体(1)，基座体(1)上开设有圆形坩埚托盘安装槽(2)，坩埚托盘安装槽(2)内设置有凸台(3)，坩埚托盘安装槽(2)底面上均布减重孔(4)，在基座体(1)中间开设有托杆轴安装孔(5)，以托杆轴安装孔(5)圆周上的点为圆心，开设有固定销安装孔(6)，固定销安装孔(6)为半圆孔，沿托杆轴安装孔(5)圆周均布，减重孔(4)和托杆轴安装孔(5)为通孔。本实用新型的优点在于，结构简单，稳固可靠，不产生裂纹，寿命长。
文档编号C30B15/00GK202297851SQ20112042608
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月1日 优先权日2011年11月1日
发明者张庆 申请人:雅安恒圣高纯石墨科技有限责任公司