专利名称：单晶炉用温度过渡环的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及硅单晶炉所有型号的热系统，具体是在硅单晶炉热系统结构中加入了一个温度过渡环。
背景技术：
目前直拉硅单晶的热系统结构中没有温度过渡环，拉制的硅单晶棒从导流筒内部逐步上升，当上升到导流筒高度以外后，硅单晶棒周围直接就是硅单晶炉内壁，硅单晶炉内外壁之间有冷却水，以保证拉晶过程中炉壁温度不至于过高而损坏，这样硅单晶炉内壁温度就比较低。导流筒底部温度为800度左右，导流筒上部温度为500度左右，在导流筒这部分温度可以缓慢的由800度左右过渡到500度左右，一旦高出导流筒，由于周围直接是温度较低的硅单晶炉内壁，温度就会快速下降，这样当硅单晶棒升出导流筒以后，硅单晶棒的温度就会快速下降，硅单晶棒将承受巨大的热应力，影响硅单晶棒内部的位错等参数，降低硅单晶棒的质量，严重的时候可以引起硅单晶棒断线，降低硅单晶棒成品率。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是:在导流筒以外的区域实现温度缓慢降低，减少硅单晶棒由于快速降温而产生的热应力，提高硅单晶棒的质量和成品率。本实用新型解决起技术问题所采用的技术方案是:制作一个温度过渡环，放置在硅单晶炉热系统的保温盖上，保温盖的位置与温度过渡环的位置同心。所述的温度过渡环采用等静压`石墨制成。本实用新型的有益效果是:通过在硅单晶炉热系统中加入温度过渡环，使得在导流筒以上的区域温度降低的缓慢，这样当硅单晶棒升出导流筒以后，硅单晶棒的温度可以缓慢的下降，减小温度降低给硅单晶棒带来的热应力，提高硅单晶棒的质量和成品率。
图1为温度过渡环结构示意图图2为硅单晶炉和热场结构示意图图中1.硅单晶炉观察窗 2.硅单晶棒3.温度过渡环4.保温盖5.硅单晶炉主室 6.导流筒
具体实施方式
如图1所示，用等静压细料制作一个温度过渡环(3)，厚度为10mm，温度过渡环(3)的内径和高度在不影响硅单晶炉观察窗(I)视线的情况下，内径越小越好，高度越高越好，但内径不能小于保温盖(4)的内口径，高度不能高于硅单晶炉主室(5)的上沿高度。如图2所示，使用时，把温度过渡环(3)放置在硅单晶炉热系统的保温盖(4)上，保温盖(4)的位置与温度过渡环(3)的位置同心，这样在导流筒￠)以上部分形成一个温度缓慢下降区，当硅单晶棒(2)升出导流筒(6)后，由于温度过渡环(3)的作用，可以使硅单晶棒(2)的温度缓慢下降，减少硅单晶棒(2)内部位错，提高硅单晶棒(2)的质量和成品率，具有很好的推广价值。
权利要求1.一种单晶炉用温度过渡环，其特征是:所述温度过渡环厚度为10mm。
2.根据权利要求1所述的一种硅单晶炉用温度过渡环，其特征是:所述温度过渡环位置与保温盖位置同心放置。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉用温度过渡环，其特征是:所述温度过渡环的内径和高度在不影响硅单晶炉观察窗视线的情况下，内径越小越好，高度越高越好，但内径不能小于保温盖的内口径，高度不能高于硅单晶炉主室的上沿高度。
专利摘要本实用新型涉及单晶炉用热系统，具体是在单晶炉热系统结构中加入了一个温度过渡环，它在整个热系统中放置于保温盖上部，厚度为10mm，温度过渡环的内径和高度在不影响硅单晶炉观察窗视线的情况下，内径越小越好，高度越高越好，但内径不能小于保温盖的内口径，高度不能高于硅单晶炉主室的上沿高度，通过加入温度过渡环，可以使处于保温盖以外的单晶棒的温度更加缓慢的下降，减小由于温度变化太大给单晶棒带来的热应力，提高单晶棒的质量和成品率。
文档编号C30B15/00GK202913083SQ201220533280
公开日2013年5月1日 申请日期2012年10月18日 优先权日2012年10月18日
发明者梁仁和, 李宗仁, 赵婷玮 申请人:北京京仪世纪电子股份有限公司