一种弱氧化单晶硅片的制绒方法
【专利摘要】本发明公开了一种弱氧化单晶硅片的制绒方法，先将清洗好的单晶硅片置于HF水溶液中去除硅片表面较厚的氧化层，然后将硅片放入H2O2水溶液中进行氧化，在硅片表面形成一层很薄的氧化层，最后将上述硅片置于制绒液中从而获得高质量的金字塔绒面。采用本发明方法可以制备出具有完整、独立、尺寸大小均匀的金字塔结构且金字塔密集的优质绒面，使单晶硅片表面的反射率显著降低。
【专利说明】—种弱氧化单晶硅片的制绒方法
【技术领域】
[0001]本发明属于晶硅太阳能电池生产制绒【技术领域】，具体涉及到一种弱氧化单晶硅片的制绒方法。
【背景技术】
[0002]在光伏产业中，如何实现太阳能电池转换效率的提高和成本的降低一直是研究的重点问题。对于单晶硅电池，提高太阳能电池转换效率的一个重要手段是降低太阳光在硅片表面的反射。为了减少反射损失，通常对硅片表面进行制绒或者在电池表面沉积减反射膜。其中简单、低成本的化学腐蚀法在硅片表面制绒备受青睐。
[0003]目前太阳能电池单晶硅片制绒是比较成熟的工艺，传统制绒工艺是以氢氧化钠、异丙醇和制绒添加剂为制绒液来制作绒面，其原理主要是利用碱性溶液对单晶硅片的各向异性腐蚀，在单晶硅片表面会形成金字塔状的绒面结构，使太阳光在硅片表面进行多次反射而提高太阳能电池对光的吸收，从而提高电池效率。但是用这种工艺得到的金字塔尺寸大小不太均匀，降低了绒面的减反效果。有鉴于此，为了进一步提高单晶硅太阳电池对光的吸收，有必要探索一种可以形成金字塔尺寸均匀的高质量绒面结构的方法。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种弱氧化单晶硅片的制绒方法，采用此方法能制备出具有完整、独立、尺寸大小均匀的金字塔结构且金字塔密集的优质绒面。
[0005]解决上述技术问题所采用的技术方案是:将清洗好的单晶硅片置于质量分数为10%的HF水溶液中，常温浸泡0.5~2分钟，去除硅片表面较厚的氧化层，然后将单晶硅片放入质量分数为2%~20%的H2O2水溶液中，50~70°C氧化2~12分钟，在硅片表面形成一层很薄的氧化层，再将氧化后的硅片置于制绒液中，得到金字塔绒面的单晶硅片，其中相应的反应方程式如下:
[0006]
【权利要求】
1.一种弱氧化单晶硅片的制绒方法，其特征在于:将清洗好的单晶硅片置于质量分数为10%HF水溶液中，常温浸泡0.5~2分钟，然后将单晶硅片放入质量分数为2%~20%的H2O2水溶液中，50~70°C氧化3~12分钟，再将氧化后的硅片置于制绒液中，得到金字塔绒面的单晶硅片。
2.根据权利要求1所述的弱氧化单晶硅片的制绒方法，其特征在于:将清洗好的单晶硅片置于质量分数为10%HF水溶液中，常温浸泡I分钟，然后将单晶硅片放入质量分数为5%的H2O2水溶液中，65°C氧化8分钟，再将氧化后的硅片置于制绒液中，得到金字塔绒面的单晶娃片O
3.根据权利要求1或2所述的弱氧化单晶硅片的制绒方法，其特征在于:所述的制绒液是质量分数为2%~3%的NaOH水溶液与异丙醇、制绒添加剂的体积比为730:20:1的混合液。
4.根据权利要求3所述的弱氧化单晶硅片的制绒方法，其特征在于:将氧化后的硅片置于制绒液中，80°C反应20~30分钟，得到金字塔绒面的单晶硅片。
【文档编号】C30B33/10GK103789839SQ201410058182
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2014年2月20日 优先权日:2014年2月20日
【发明者】高斐, 宋飞莺, 刘生忠, 武怡, 杨勇州, 王皓石, 陈彦伟 申请人:陕西师范大学