br> 步骤5、将荧光层对称固定于旋转支架上，且荧光层的荧光粉层相对设置，至少有一对荧光层的荧光粉层与放射源的放射面相对。
[0022]所述光伏半导体组件的受光面，即空气和组件的窗口层材料界面之间插入T12/Al2O3双层介质膜。
[0023]所述放射源为双面放射源或者块状、棒状体放射源。
[0024]所述荧光层通过如下方法制备，
步骤1、在硅酸钾溶液中加入荧光粉充分搅拌，再加入硝酸钡溶液，继续搅拌，然后将混合液引流至放有玻璃基底的玻璃器皿中，自然沉降；
步骤2、待玻璃基底上沉积荧光粉之后，将其取出并烘干，待其自然冷却至常温即可获得所需的荧光层。
[0025]步骤I中所述的硅酸钾溶液质量浓度为0.5% ;
所述的硝酸钡溶液质量浓度为0.1% ;
所述的硅酸钾溶液与硝酸钡溶液的容积比为10:1 ;
所述的自然沉降时间为I ;
步骤2中的烘干温度为200 °C，烘干时间为0.5h。
[0026]实施例2
一种荧光核电池的制备方法，包括如下步骤:
步骤1、在密封外壳内部设置一旋转支架，旋转支架的旋转轴过密封外壳的中心；
步骤2、将半导体光伏组件固定于密封外壳的内壁；
步骤3、将放射源通过旋转支架固定于密封外壳的中心；
步骤4、在半导体光伏组件与放射源之间设置荧光层；
步骤5、将荧光层对称固定于旋转支架上，且荧光层的荧光粉层相对设置，至少有一对荧光层的荧光粉层与放射源的放射面相对。
[0027]所述光伏半导体组件的受光面，即空气和组件的窗口层材料界面之间插入T12/Al2O3双层介质膜。
[0028]所述放射源为双面放射源或者块状、棒状体放射源。
[0029]所述荧光层通过如下方法制备，
步骤1、在硅酸钾溶液中加入荧光粉充分搅拌，再加入硝酸钡溶液，继续搅拌，然后将混合液引流至放有玻璃基底的玻璃器皿中，自然沉降； 步骤2、待玻璃基底上沉积荧光粉之后，将其取出并烘干，待其自然冷却至常温即可获得所需的荧光层。
[0030]步骤I中所述的硅酸钾溶液质量浓度为2% ;
所述的硝酸钡溶液质量浓度为0.5% ;
所述的硅酸钾溶液与硝酸钡溶液的容积比为20:1 ;
所述的自然沉降时间为5h;
步骤2中的烘干温度为300 °C，烘干时间为0.5h。
[0031]实施例3
一种荧光核电池的制备方法，包括如下步骤:
步骤1、在密封外壳内部设置一旋转支架，旋转支架的旋转轴过密封外壳的中心；
步骤2、将半导体光伏组件固定于密封外壳的内壁；
步骤3、将放射源通过旋转支架固定于密封外壳的中心；
步骤4、在半导体光伏组件与放射源之间设置荧光层；
步骤5、将荧光层对称固定于旋转支架上，且荧光层的荧光粉层相对设置，至少有一对荧光层的荧光粉层与放射源的放射面相对。
[0032]所述光伏半导体组件的受光面，即空气和组件的窗口层材料界面之间插入T12/Al2O3双层介质膜。
[0033]所述放射源为双面放射源或者块状、棒状体放射源。
[0034]所述荧光层通过如下方法制备，
步骤1、在硅酸钾溶液中加入荧光粉充分搅拌，再加入硝酸钡溶液，继续搅拌，然后将混合液引流至放有玻璃基底的玻璃器皿中，自然沉降；
步骤2、待玻璃基底上沉积荧光粉之后，将其取出并烘干，待其自然冷却至常温即可获得所需的荧光层。
[0035]步骤I中所述的硅酸钾溶液质量浓度为1% ;
所述的硝酸钡溶液质量浓度为0.3% ;
所述的硅酸钾溶液与硝酸钡溶液的容积比为15:1 ;
所述的自然沉降时间为3h;
步骤2中的烘干温度为250 °C，烘干时间为0.5h。
【主权项】
1.一种荧光核电池的制备方法，其特征在于:包括如下步骤: 步骤1、在密封外壳内部设置一旋转支架，旋转支架的旋转轴过密封外壳的中心； 步骤2、将半导体光伏组件固定于密封外壳的内壁； 步骤3、将放射源通过旋转支架固定于密封外壳的中心； 步骤4、在半导体光伏组件与放射源之间设置荧光层； 步骤5、将荧光层对称固定于旋转支架上，且荧光层的荧光粉层相对设置，至少有一对荧光层的荧光粉层与放射源的放射面相对。2.根据权利要求1所述的荧光核电池的制备方法，其特征在于:所述光伏半导体组件的受光面，即空气和组件的窗口层材料界面之间插入T12AI2O3双层介质膜。3.根据权利要求1所述的荧光核电池的制备方法，其特征在于:所述放射源为双面放射源或者块状、棒状体放射源。4.根据权利要求1所述的荧光核电池的制备方法，其特征在于:所述荧光层通过如下方法制备， 步骤1、在硅酸钾溶液中加入荧光粉充分搅拌，再加入硝酸钡溶液，继续搅拌，然后将混合液引流至放有玻璃基底的玻璃器皿中，自然沉降； 步骤2、待玻璃基底上沉积荧光粉之后，将其取出并烘干，待其自然冷却至常温即可获得所需的荧光层。5.根据权利要求4所述的荧光核电池的制备方法，其特征在于:步骤I中所述的硅酸钾溶液质量浓度为0.5-2% ; 所述的硝酸钡溶液质量浓度为0.1-0.5% ; 所述的硅酸钾溶液与硝酸钡溶液的容积比为10:1-20:1 ; 所述的自然沉降时间为l_5h。6.根据权利要求4所述的荧光核电池的制备方法，其特征在于:步骤2中的烘干温度为200-300 °C，烘干时间为0.5h。
【专利摘要】本发明公开了一种荧光核电池的制备方法，首先，在密封外壳内部设置一旋转支架，旋转支架的旋转轴过密封外壳的中心；其次，将半导体光伏组件固定于密封外壳的内壁；然后，将放射源通过旋转支架固定于密封外壳的中心；最后，在半导体光伏组件与放射源之间设置荧光层；将荧光层对称固定于旋转支架上，且荧光层的荧光粉层相对设置，至少有一对荧光层的荧光粉层与放射源的放射面相对。有效提高电池单位面积的输出功率，并延长电池的可持续使用寿命。
【IPC分类】G21H1/06
【公开号】CN105070342
【申请号】CN201510459913
【发明人】冯方敏
【申请人】苏州宏展信息科技有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月31日