率 ns。在所述第一介电层的折射率m等于所述基底层的折射率ns的一个实施方式中，由于所述 第一介电层对所述阻挡膜不能没有产生任何的光学贡献，其可相当于在本申请中不存在所 述第一介电层的情况。例如，当由于几十纳米以上的表面粗糙度而需要表面平坦化，或涉及 阻挡膜的制造工艺的原因而存在改变所述基底层的表面特性(如表面能、耐化学性、抗划伤 性）的需求时，可采用与所述基底层具有相同的折射率的第一介电层。基于以上原因，当所 述基底层的平坦度和其它表面特性不会有害地影响所述阻挡膜的特性或其制造工艺时，可 在所述基底层上直接形成所述无机层而不需要额外的第一介电层的形成。
[0028] 根据本申请的阻挡膜的第一和第二介电层的折射率的关系可根据各个层的材料 特性、它们的折射率的关系、所述无机层的特性或所述阻挡膜的各个介电层的厚度而被适 当地控制。
[0029] 在一个实例中，当m等于或大于n2(m 2 n2)时，cU可等于或小于ddcU < d2)，而当n2 等于或大于m(n2 2 ηι)时，d2可等于或小于di(d2 < di)。即，从所述第一介电层与所述第二介 电层之间的关系而言，高折射率层的厚度可不大于低折射率层的厚度。更具体地说，当所述 第一介电层的折射率大于所述第二介电层的折射率时，所述第一介电层的厚度可小于或等 于所述第二介电层的厚度，而当所述第二介电层的折射率大于所述第一介电层的折射率 时，所述第二介电层的厚度可小于或等于所述第一介电层的厚度。当所述第一和第二介电 层的折射率彼此相同时，它们的厚度关系不作特别的限定。如上所述，本申请可通过根据所 述介电层的折射率调节它们的厚度之间的关系而提供一种具有优异的光学特性和气体阻 隔性能的阻挡膜。
[0030] 在一个实例中，所述第一介电层或所述第二介电层可具有IOnm至ΙμL?、IOnm至 900nm、20nm 至800nm、30nm 至 700nm、35nm 至600nm、40nm 至 500nm 或 45nm 至400nm 的厚度。在本 申请的一个实施方式中，当m大于Π2时，所述第一介电层的厚度可小于450nm，而当Π2大于m 时，所述第二介电层的厚度可小于450nm。在两种情况下，具体地，所述第一介电层的厚度或 所述第二介电层的厚度可小于400nm或小于350nm。在一个实施方式中，在两种情况下，所述 第一或第二介电层的厚度可以是30nm至430nm，例如，40nm至400nm、55nm至380nm、95nm至 350nm或IOOnm至330nm。
[0031] 更具体地，在本申请中，只要所述阻挡膜满足表达式1和表达式2,当m大于或等于 Π2时，所述第一介电层可具有等于或大于IOOnm且小于450nm的厚度，而当Π2大于或等于m 时，所述第二介电层可具有等于或大于IOOnm且小于450nm的厚度。
[0032] 此外，在本申请的一个实施方式中，所述第一介电层的折射率m、所述第二介电层 的折射率1!2和所述无机层的折射率 m之间的关系不作特别的限定，只要它们满足表达式1或 表达式2。例如，所述第一介电层的折射率m可小于所述无机层的折射率m。此外，所述第二 介电层的折射率Π 2可小于所述无机层的折射率m。
[0033]在本申请的一个实施方式中，所述第一介电层的折射率m和所述无机层的折射率 m可满足以下表达式3。
[0034][表达式3]
[0035] 0.3< (ni-l)/(ru-l) <0.95
[0036] 如表达式3所示，所述第一介电层的折射率m与所述无机层的折射率m的比率(m-1 )/(m_l)可为0 · 3至0 · 95，优选0 · 3 至0 · 85、0 · 4至0 · 8、0 · 45 至0 · 75或0 · 45 至0 · 7。如此一来， 通过限定所述无机层与所述第一介电层的折射率的比率，可制得具有优异的透光率的膜。
[0037] 此外，在本发明的一个实施方式中，所述第二介电层的折射率1!2和所述无机层的 折射率m可满足以下表达式6。
[0038][表达式6]
[0039] 〇.3< (n2-l)/(ni-l) <0.95
[0040] 如表达式6所示，所述第二介电层的折射率η2与所述无机层的折射率m的比率(Μ-? )/(m_l)可为0 · 3至0 · 95 ，优选0 · 3 至0 · 85 、0 · 4至0 · 8、0 · 45 至0 · 75或0 · 45 至0 · 7 。如此一来， 通过将所述无机层的折射率与所述第二介电层的折射率的比率限定为特定的范围，可制得 具有优异的透光率的膜。
[0041] 在本申请的一个实施方式中，所述树脂层的折射率~可等于或小于所述基底层的 折射率ns。此外，所述树脂层的折射率~可小于所述第一介电层的折射率 m或所述第二介电 层的折射率n2。此外，所述树脂层的折射率办可小于所述无机层的折射率 m。如此一来，即使 当所述阻挡膜包括树脂层时，通过控制所述树脂层的折射率nP，可保持优异的光学性能和 气体阻隔性能。在一个实例中，所述树脂层的折射率可以是1.4至I. 7、1.35至1.65、1.4至 1·6、1·45至1·6、1·45至1·6或1·45至1·55。
[0042]此外，在本申请的实施方式中，所述基底层的折射率没有特别的限定，且其可以是 1.45至1.78、1.45至1.75或1.45至1.7。所述无机层的折射率可至少为1.65以上，例如，1.7 以上、1.75以上、1.8以上、1.85以上、1.9以上、1.95以上、1.96以上、1.97以上、1.98以上、 1.99以上或2.0以上。尽管没有确定所述无机层的折射率的具体上限，但是，例如，其可以是 3.0以下、2.5以下、2.4以下、2.3以下或2.2以下。本申请可通过控制所述相对高折射的无机 层、所述第一和第二介电层及所述树脂层的折射率而提供一种具有优异的光学特性和气体 阻隔性能的阻挡膜。
[0043]在另一方面，所述第一介电层的厚度Cl1可在IOOnm左右，且其与所述第二介电层的 厚度的关系可呈现出如表达式4和表达式5所示的变化。例如，当所述第一介电层的厚度为 IOOnm以上时，所述第二介电层可具有等于或小于所述第一介电层的厚度的厚度。此外，当 所述第一介电层的厚度di小于IOOnm时，所述第二介电层的厚度可等于或大于所述第一介 电层的厚度。
[0044]在一个实例中，当所述第一介电层的厚度为IOOnm以上时，所述阻挡膜可满足以下 表达式4。
[0045][表达式4]
[0046] 0.01 <d2/di< 1
[0047]在表达式4中，Cl1为所述第一介电层的厚度，以及d2为所述第二介电层的厚度。如上 所示，所述第二介电层的厚度d2与所述第一介电层的厚度Cl1的比率可以是0.01至1，或者等 于或大于0.01且小于1，例如，其可以是0.02至1.0、0.05至1.0、0.1至1.0、0.1至0.9、0.1至 0.8或0.1至0.7。如此一来，通过限定所述第一介电层的厚度与所述第二介电层的厚度的比 率为特定的范围，可制得不但具有优异的气体阻隔性能还具有优异的透光率的膜。
[0048]在本申请的另一个实例中，当所述第一介电层的厚度小于IOOnm时，所述阻挡膜可 满足以下表达式5。
[0049][表达式5]
[0050] 0.01 <di/d2< 1
[0051]在表达式5中，Cl1为所述第一介电层的厚度，以及d2为所述第二介电层的厚度。如上 所示，所述第一介电层的厚度Cl1与所述第二介电层的厚度d2的比率可以是0.01至1，或者等 于或大于0.01且小于1，例如，其可以是0.02至1.0、0.05至1.0、0.1至1.0、0.1至0.9、0.1至 0.8或0.1至0.7。如此一来，通过限定所述第一介电层的厚度与所述第二介电层的厚度的比 率为特定的范围，可制得不但具有优异的气体阻隔性能还具有优异的透光率的膜。
[0052] 在根据本申请的阻挡膜中，所述第一介电层的厚度与所述第二介电层的厚度之间 的关系可根据构成所述阻挡膜中各个层的材料的特性、它们的折射率的关系、所述无机层 的特性或所述第一介电层的厚度而被适当地控制，且如上所述，所述阻挡膜可满足表达式4 和表达式5。例如，通过满足上述厚度关系并包括高折射率的无机层，可实现优异的气体阻 隔性能和透光率。
[0053] 所述阻挡膜在可见光区可具有优异的透光率。在一个实例中