专利名称：带镀层结构的光学级模芯的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种制造衍射光学元件的模芯。
背景技术：
许多光学元件，如各种光学镜片等的制做，都是通过相互配合使用的模芯制造得 到的。因此模芯的该光学端面，特别是该端面的表面质量，直接关系和影响了所制做的光学 元件的质量。目前常用的由铍铜、高纯铝、不锈钢等直接制做的模芯，其模芯的光学端面表 面实际上部有较多的微细孔隙，导致模芯表面的光洁度差(达不到美军标60/40标准)，限 制了光学元件质量的提高，而且模芯表面光学级面形在高温高压条件下易变形、磨损，使用 寿命短。
实用新型内容针对上述情况，本实用新型将提供一种改进结构，即带有镀层结构的光学级模芯， 以解决上述问题。本实用新型带镀层结构的光学级模芯，其基本结构是至少在模芯体的光学端面的 表面被覆有一层表面达光学级的无孔隙缺陷镀层结构。所说的模芯体则可以为目前常规由 铍铜、高纯铝、不锈钢等制做，其中优选的是不锈钢模芯体。在上述结构基础上，进一步的优选方式，是使所说的该无孔隙缺陷镀层结构的被 覆范围至少覆盖至模芯体的光学端面转折边缘部位处。上述被覆有无孔隙缺陷镀层结构的所说光学端面表面，可以为目前常用的光学平 面面形、光学凸面面形或光学凹面面形等各种形式。特别是当所说的该光学端面表面为光 学凸面面形和/或光学凹面面形时，其弧顶(或底)与边缘间垂直距离的氏高值以< 20mm 时，更便于加工。为适应不同形式的模芯和/或对模芯的进一步修整，上述结构中的无孔隙缺陷镀 层结构的厚度一般可以为< 400 μ m。上述结构中所说的该无孔隙缺陷镀层结构，通常可以采用化学方式，即化学镀镍 方式，用镍盐溶液在强还原剂次磷酸盐的作用下，使镍离子还原成镍金属，同时次磷酸盐分 解析出磷，从而即可在该模芯体镀件表面形成一层表面面形无孔隙缺陷的精密光学级镍磷 合金沉积层。本实用新型上述带镀层结构的光学级模芯，由于表面面形无孔隙缺陷，表面光洁 度能达到美军标60/40标准，硬度可高300kg/mm2-600kg/mm2，且在高温/高压条件下不变 形，还可保证进一步切削加工的补偿等，且使用寿命长，有利于提高所制做光学元件的质 量，能够满足大批量工程化制造光学元件的需要。以下结合由附图所示实施例的具体实施方式
，对本实用新型的上述内容再作进一 步的详细说明。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实例。在不脱 离本实用新型上述技术思想情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段做出的各种替换或变更，均应包括在本实用新型的范围内。
图1是本实用新型带镀层结构的光学级模芯的一种结构示意图。图2是图1中A局部的放大结构示意图。图3是本实用新型带镀层结构的光学级模芯的另一种结构示意图。图4是本实用新型带镀层结构的光学级模芯的又一种结构示意图。
具体实施方式
图1和图2所示的是一种具有光学凸面面形的本实用新型带镀层结构的光学级模 芯。其结构是在模芯体1的光学端面的表面2及延续到其光学端面的转折边缘部位的表 面部位，均被覆有一层以化学镀镍方式，由镍盐溶液在强还原剂次磷酸盐的作用下形成的 表面面形无孔隙缺陷可达精密光学级的镍磷合金沉积层形式的镀层结构3，其厚度控制为 彡400 μ m，硬度可高300kg/mm2-600kg/mm2，其光学凸面的氏高值彡20mm。图3和图4是本实用新型带镀层结构的光学级模芯的其它形式，其被覆无孔隙缺 陷镀层结构3的光学端面表面2分别为光学凹面面形和光学平面面形，结构形式及制做方 式与图1的模芯相同。
权利要求带镀层结构的光学级模芯，其特征是至少在模芯体(1)的光学端面的表面(2)被覆有一层表面达光学级的无孔隙缺陷镀层结构(3)。
2.如权利要求1所述的带镀层结构的光学级模芯，其特征是所说的无孔隙缺陷镀层结 构(3)的被覆范围至少覆盖至模芯体(1)的光学端面转折边缘部位处。
3.如权利要求1所述的带镀层结构的光学级模芯，其特征是所说的无孔隙缺陷镀层结 构⑶的厚度为< 400 μ m。
4.如权利要求1所述的带镀层结构的光学级模芯，其特征是所说的无孔隙缺陷镀层结 构(3)为以化学方式在模芯体(1)的光学端面表面(2)形成的镍磷合金材料沉积层。
5.如权利要求1至4之一所述的带镀层结构的光学级模芯，其特征是所说的被覆无孔 隙缺陷镀层结构(3)的光学端面表面(2)为光学平面面形、光学凸面面形或光学凹面面形。
6.如权利要求5所述的带镀层结构的光学级模芯，其特征是所说的被覆无孔隙缺陷镀 层结构(3)的光学端面表面(2)为光学凸面面形和/或光学凹面面形时的氏高值< 20mm。
专利摘要带镀层结构的光学级模芯。至少在模芯体的光学端面的表面被覆有一层表面达光学级的无孔隙缺陷镀层结构，厚度一般可为≤400μm，可保证进一步切削加工的补偿等，且寿命长，能够充分满足大批量工程化制造衍射光学元件的需要。
文档编号C03B11/06GK201746444SQ20102028830
公开日2011年2月16日 申请日期2010年8月11日 优先权日2010年8月11日
发明者丁克前, 常伟, 石本文 申请人:成都奥晶科技有限责任公司