铟锡氧化物靶材的制作方法
【专利摘要】一种铟锡氧化物靶材的制作方法，包括：提供ITO粉料；采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用热等静压工艺对所述第二包套进行处理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。本发明突破了ITO粉料不易成型，易分解，会被还原等特点带来的加工ITO靶材的局限，能形成具有优良的致密度、内部组织结构的均匀性的ITO靶材。
【专利说明】铟锡氧化物靶材的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铟锡氧化物(ITO)靶材的制作方法。
【背景技术】
[0002]ITO (铟锡氧化物)薄膜是一种η型半导体陶瓷薄膜，由于其导电性好，对可见光透明，对紫外光具有吸收性，对红外光具有高反射性等优异性能，因而被广泛应用于光学、电学等领域。现有工艺多数采用磁控溅射法制备的ITO薄膜，这样方法具有工艺控制性好，成膜质量高等优点而被广泛应用于工业生产。磁控溅射法制备高质量ITO薄膜的前提是制备高纯度、高密度、密度均匀的ITO靶材。
[0003]现在通常制造ITO靶材的方法有烧结法和热压法等，由于氧化铟和氧化锡在高温下容易分解，以及氧化铟和氧化锡粉料为瘠性粉料，不易加工成型等特性的局限，现有技术对ITO靶材的制作仍有不同程度的缺陷:
[0004]烧结法制ITO靶材是将ITO粉料经过冷压或者浇注成型形成ITO靶材坯料后，在氧化气氛中高温烧结。热压法中，在高温下(特别是在温度高于1200°c时)，ΙΤ0粉料容易分解，形成气态物质从烧结状态下的ITO固溶体中逃逸，形成的靶材会具有很多气体通道和孔隙，阻碍了 ITO靶材密度的提高。
[0005]热压法制ITO靶材是利用ITO粉料在加热到一定温度后，所具有的热塑性和流动性，在一个工序中同时完成成型和烧结两个过程。一种热压法制ITO靶材的方法可参考
【发明者】姚力军, 相原俊夫, 大岩一彦, 潘杰, 王学泽, 宋佳 申请人:宁波江丰电子材料有限公司