掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺的制作方法
【专利摘要】本发明揭示了一种掩膜板固化方法，该方法包括：将掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化。本发明还揭示了一种掩膜板处理工艺，该工艺包括：制备具有图形的掩膜板；将所述掩膜板进行等离子体工艺处理，使所述掩膜板固化以形成固化掩膜板；以及将所述固化掩膜板进行湿法清洗。本发明采用等离子体对掩膜板进行固化，使掩膜板在湿法清洗去除缺陷的过程中不会损坏到掩模板，提高良率。
【专利说明】掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺。
【背景技术】
[0002]在半导体制造中，光刻工艺是最重要的步骤之一，光刻确定了半导体器件的关键尺寸。光刻工艺主要作用是将掩膜板(Mask)上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备，当掩膜板存在缺陷时，掩膜板的缺陷会在光刻工艺中转移到硅片(Wafer)上，最终可转化为对半导体器件的电特性产生影响，所以掩膜板的质量需要严格的控制。
[0003]在现有技术中，在掩膜板上制备出图形后，需要将掩膜板放到紫外光下用紫外光照射，从而使掩膜板固化。但图形化的掩膜板在紫外光固化前往往会存在一些缺陷(Defect)，该缺陷在紫外光下会发生化学反应，发生化学反应的缺陷时无法通过湿法刻蚀的方法去除的。所以，一旦图形化的掩膜板在紫外光固化前存在缺陷，该存在缺陷的掩膜板只能报废，然而掩膜板的成本很高，报废掩膜板就会造成极大的浪费。 [0004]因此，如何提供一种掩膜板固化方法，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除，已成为本领域技术人员需要解决的问题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，提供一种掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除，降低掩膜板的报废率，节约成本。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜板固化处理方法，对掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化。
[0007]进一步的，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为 1: 20 ~1: 100。
[0008]进一步的，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒~2400秒，气体流量为3000标况毫升每分~6000标况毫升每分，压力为150帕~400帕，温度为100摄氏度~200
摄氏度。
[0009]进一步的，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。
[0010]进一步的，提供一种掩膜板处理工艺，包括:
[0011]制备具有图形的掩膜板；
[0012]将所述掩膜板进行等离子体工艺处理，使所述掩膜板固化以形成固化掩膜板；以及
[0013]将所述固化掩膜板进行湿法清洗。
[0014]进一步的，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为 1: 20 ~1: 100。[0015]进一步的，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒?2400秒，气体流量为3000标况晕升每分?6000标况晕升每分，压力为150帕?400帕，温度为100摄氏度?200
摄氏度。
[0016]进一步的，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。
[0017]进一步的，所述湿法刻蚀的刻蚀液为硫酸、盐酸、双氧水、氨水或碳酸中的一种或几种的组合。
[0018]进一步的，将所述掩膜板进行等离子体工艺处理步骤和将所述固化掩膜板进行湿法清洗步骤作为一个循环，重复若干次。
[0019]与现有技术相比，本发明提供的掩膜板处理工艺具有以下优点:
[0020]本发明提供的掩膜板固化处理方法，将掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化，与现有技术相比，采用等离子体处理不会使缺陷发生化学反应，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除，从而降低掩膜板的报废率，节约成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为本发明一实施例中掩膜板固化方法的示意图；
[0022]图2为本发明一实施例中掩膜板处理工艺的流程图。
【具体实施方式】
[0023]下面将结合示意图对本发明的掩膜板处理工艺进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0024]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0025]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0026]本发明的核心思想在于，提供一种掩膜板固化方法，将掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化。
[0027]结合核心思想本发明还提供了一种掩膜板处理工艺，包括以下步骤:
[0028]步骤SOI，制备具有图形的掩膜板；
[0029]步骤S02，将所述掩膜板进行等离子体工艺处理，使所述掩膜板固化以形成固化掩膜板；
[0030]步骤S03，将所述固化掩膜板进行湿法清洗。
[0031]请参考图1，图1为本发明一实施例中掩膜板固化方法的示意图，结合图1及本发明的核心思想，本实施例中的等离子体工艺处理为，将掩膜板101放入等离子体的机台110中的加热台111上，机台110会产生等离子体，该等离子体作用于掩膜板101上，使掩膜板101固化，形成固化掩膜板。采用等离子体对掩膜板101固化的过程中，等离子体不会使掩膜板101上的缺陷发生化学反应，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷保持固化前的性质，所以该缺陷在固化之后仍能够轻易去除。
[0032]本实施例中的等离子体工艺处理的气体并不做特别的限制，较佳的包括氢气和氮气，氢气和氮气所产生的等离子体可以使掩膜板101固化，但气体并不限于氢气和氮气，如还可以包括氩气或一氧化碳等气体，另外，所述气体也只为氩气和水蒸气，氩气和水蒸气所产生的等离子体也可以使掩膜板101固化，亦在本发明的思想范围之内。较佳的，等离子体工艺处理的气体中氢气和氮气的体积比为1: 20?1: 100，优选的体积比为1: 30、I: 50、1: 60、1: 80。
[0033]本实施例中的等离子体工艺处理的处理时间较佳的为1200秒?2400秒，优选的处理时间为1500秒、1800秒、2000秒、2200秒；气体流量较佳的为3000标况毫升每分?6000标况晕升每分，优选的气体流量为3500标况晕升每分、4000标况晕升每分、4500标况毫升每分、5000标况毫升每分、5500标况毫升每分；压力较佳的为150帕?400帕，优选的压力为200帕、250帕、300帕、350帕；温度较佳的为100摄氏度?200摄氏度，优选的温度为120摄氏度、150摄氏度、180摄氏度。
[0034]本实施例中采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理，灰化机台的等离子体处理速度快，能提高等离子体工艺处理的固化速度，但其它可以提供等离子体的机台，如等离子体刻蚀机台，亦在本发明的思想范围之内。
[0035]以下请参考图2详细说明本发明的掩膜板处理工艺的具体过程，其中，图2为本发明一实施例中掩膜板处理工艺的流程图。
[0036]首先进行步骤S01，采用常规的方法制备具有图形的掩膜板。
[0037]接着进行步骤S02，采用本实施例的掩膜板固化方法，将掩膜板101放入等离子体的机台110中的加热台111上，机台110会产生等离子体，该等离子体作用于掩膜板101上，使掩膜板101固化，形成固化掩膜板。采用等离子体对掩膜板101固化的过程中，等离子体不会使掩膜板101上的缺陷发生化学反应，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷保持固化前的性质，所以该缺陷在固化之后仍能够轻易去除。
[0038]最后进行步骤S03，采用常规的湿法清洗对所述固化掩膜板进行湿法清洗，所述湿法清洗的清洗液较佳的为硫酸、盐酸、双氧水、氨水或碳酸中的一种或几种的组合。因为固化后的固化掩膜板上的缺陷保持固化前的性质，所以在湿法清洗中，固化掩膜板上的缺陷能够直接清洗掉。
[0039]表I为采用三种方法处理掩膜板得到的相位衰变(Phase Decay)差和透过率增加(Tran Increase)差，其中，相位衰变差为相位衰变与标准相位衰变的差值，单位为度，透过率增加差为透过率增加与标准透过率增加的差值，单位为百分比。如表I所示，A表示在制备出具有图形的掩膜板后，不进行固化，直接进行湿法清洗；B表示在制备出具有图形的掩膜板后，进行紫外光固化，再进行湿法清洗；C表示在制备出具有图形的掩膜板后，进行等离子体工艺处理固化，再进行湿法清洗。采用方法C的相位衰变差仅为0.68度，透过率增加差仅为0.1%，所以，采用本实施例的掩膜板处理工艺不会对掩膜板的准确性产生影响，如果当进行一次方法C后缺陷去除效果不理想，可以进行多次方法C。即在掩膜板处理工艺中，先进行步骤S01，接着进行步骤S02和步骤S03，之后检测固化掩膜板上的缺陷，如果缺陷去除不理想，再重新进行步骤S02和步骤S03，直到缺陷基本去除。
[0040]表1
[0041]
【权利要求】
1.一种掩膜板固化方法，其特征在于，对掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化。
2.如权利要求1所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为1: 20?1: 100。
3.如权利要求2所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒?2400秒，气体流量为3000标况晕升每分?6000标况晕升每分，压力为150帕?400帕，温度为100摄氏度?200摄氏度。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的掩膜板固化方法，其特征在于，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。
5.—种掩膜板处理工艺,包括: 制备具有图形的掩膜板； 将所述掩膜板进行等离子体工艺处理，使所述掩膜板固化以形成固化掩膜板；以及 将所述固化掩膜板进行湿法清洗。
6.如权利要求5所述的掩膜板处理工艺，其特征在于，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为1: 20?1: 100。
7.如权利要求6所述的掩膜板处理工艺，其特征在于，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒?2400秒,气体流量为3000标况晕升每分?6000标况晕升每分,压力为150帕?400帕，温度为100摄氏度?200摄氏度。
8.如权利要求5所述的掩膜板固化方法，其特征在于，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。
9.如权利要求5所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗液为硫酸、盐酸、双氧水、氨水或碳酸中的一种或几种的组合。
10.如权利要求5-9中任意一项所述的掩膜板固化方法，其特征在于，将所述掩膜板进行等离子体工艺处理步骤和将所述固化掩膜板进行湿法清洗步骤作为一个循环，重复若干次。
【文档编号】G03F1/82GK103698972SQ201210366881
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2012年9月27日 优先权日:2012年9月27日
【发明者】顾婷婷 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司