专利名称：阵列基板、液晶面板及显示设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其是指一种阵列基板、液晶面板及显示设备。
背景技术：
随着TFT-1XD (薄膜晶体管液晶显示器)面板生产线的高世代化及面板的大尺寸化，各种不良发生的比例也有所加重，在面板修复和面板的不良分析中，像素的精确定位已成为一个显著的问题，特别是在使用扫描电镜、3D显微镜，原子力显微镜、红外光谱仪等进行分析时，在制样过程中均需要将面板进行切割，而如何保证在切割前后不良区的精确定位已经成为了 一个重要的问题。传统的面板定位方式主要采用相对坐标的方法，也即:将面板置于基台上，通过坐标的变化记录不良区域的坐标，再进行修复和分析，但是该方法存在明显的不足，首先采用相对坐标时，离开仪器的基台之后，容易产生定位的紊乱，其次大尺寸基板在某些小基台的分析仪器上(SEM/3D 0M)，无法实现相对的坐标定位，再次通过相对坐标在基板不良区附近标记激光Mark时，是否会对不良区的不良现象产生影响，仍需质疑。
实用新型内容本实用新型技术方案的目的是提供一种阵列基板、液晶面板及显示设备，用于解决现有技术面板修复和分析过程中难以对像素精确定位的问题。本实用新型提供一种阵列基板，包括多个像素电极，其中，所述阵列基板上设置有用于对特定像素电极进行坐标标记的行列标记。优选地，上述所述的阵列基板，所述行列标记包括行号标记和列号标记，其中所述行号标记表示所述特定像素电极所对应栅线的行号，所述列号标记用于表示所述特定像素电极所对应数据线的列号。优选地，上述所述的阵列基板，所述行列标记设置于所标记所述特定像素电极的周边。优选地，上述所述的阵列基板，所述行列标记是利用所述阵列基板的栅线金属层制成。优选地，上述所述的阵列基板，所述行列标记位于所述特定像素电极所对应的数据线位置上。优选地，上述所述的阵列基板，所述行列标记是利用所述阵列基板的钝化层或数据线金属层制成。优选地，上述所述的阵列基板，所述行列标记位于所述特定像素电极所对应的栅线位置上。优选地，上述所述的阵列基板，所述行列标记为两个，其中第一行列标记是利用所述阵列基板的栅线金属层制成，第二行列标记是利用所述阵列基板的钝化层或数据线金属层制成。本实用新型还提供一种包括上述阵列基板的液晶面板。本实用新型另一方面还提供一种包括上述阵列基板的显示设备。本实用新型具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果:本实用新型通过在阵列基板的亚像素周边标记该亚像素的行号和列号，实现了像素的绝对坐标标记，无论是在哪种仪器的基台，也无论基板的切割与否都能够快速准确的找到不良区，从而进行地址定位，能有效提高修复和分析的效率及准确性。
图1为用于表示本实用新型第一实施例所述阵列基板上行列标记的俯视图；图2为用于表不第一实施例中所述阵列基板上的第一行列标记在A-A ^方向上的剖面图；图3为用于表示第一实施例中所述阵列基板上的第二行列标记在B-B '方向上的剖面图；图4为用于表示第一实施例中所述第一行列标记第一步骤制备的俯视图；图5为用于表示第一实施例中所述第一行列标记第一步骤制备在B-B丨方向的剖面图； 图6为用于表示第一实施例中所述第二行列标记第一步骤制备的俯视图；图7为用于表示第一实施例中所述第二行列标记第一步骤制备在B-B丨方向的剖面图；图8为用于表示第一实施例中所述第二行列标记第二步骤制备的俯视图；图9用于表示第一实施例中所述第二行列标记第二步骤制备在B-B ’方向剖面图；图10用于表不第二实施例中所述阵列基板的俯视图；图11用于表示第二实施例中所述阵列基板的第二行列标记在B-B ^方向上的剖面图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本实用新型进行详细描述。本实用新型具体实施例所述阵列基板，包括多个像素电极，其中所述阵列基板还设置有用于对特定像素电极进行坐标标记的行列标记。通过在阵列基板上标记特定像素电极(也即为所需要标记的像素电极)的行号和列号，实现了像素的绝对坐标标记，无论是在哪种仪器的基台，也无论基板的切割与否都能够快速准确地找到不良区，从而进行地址定位，能有效提高修复和分析的效率及准确性。优选地，所述行列标记设置于需要标记的像素电极(亚像素)的周边，且位于需要标记的像素电极相对应数据线的正下方，使用栅极层金属制作，能够实现不拆盒即能够看到需要标记的像素电极。此外，优选地，所述行列标记设置于需要标记的像素电极(亚像素)相对应TFT(薄膜场效应管)的周边，可使用钝化层(PVX层)或数据线(Date层)金属层制作，采用该行列标记使得拆盒后仍然能够看到需要标记的像素电极。以下将对本实用新型具体实施例所述阵列基板的结构及其制备过程进行详细描述。如图1为用于表示本实用新型第一实施例所述阵列基板上行列标记的俯视图；图2为用于表示第一实施例中所述阵列基板上的第一行列标记在A-A'方向上的剖面图；图3为用于表示第一实施例中所述阵列基板上的第二行列标记在B-B丨方向上的剖面图。参阅图1、图2及图3，本实用新型第一实施例以ADS显示模式的像素结构为例，且图中以“100-210”为例标记像素电极，其中“100”为行号标记，用于表示所需要标记的像素电极对应的栅线行号为100，“210”为列号标记，用于表示所需要标记的像素电极对应的数据线列号为210，依此其他位置的像素电极的行列标记可以据此可得。如图所示，本实用新型具体实施例所述阵列基板包括:一玻璃基板10 ；—公共电极线ITO层5,直接沉积于玻璃基板10上；一公共电极线金属层I和栅线金属层2 (栅线2)，直接沉积于玻璃基板10上；一栅线绝缘层7，直接沉积于上述刻蚀后的栅线金属层2及玻璃基板10上；一有源层3和数据线金属层4 (数据线4)，直接沉积于栅线绝缘层7上；一钝化层(PVX层)8，涂覆于上述各层之上；一像素电极6，沉积于钝化层8之上。结合参阅图1及图2，本实用新型具体实施例中，在需要标记的像素电极6的数据线金属层4的正下方设置有行列标记11，该行列标记使用栅线金属层2制作。该行列标记的设置，使得在不需要拆盒的情况下即能够看到需要标记的像素电极。结合参阅图1及图3，本实用新型具体实施例中，在需要标记的像素电极6所对应栅线金属层2的正上方设置有行列标记12，该行列标记12使用钝化层8制作。该行列标记12的设置，使得拆盒后仍然能够看到需要标记的像素电极6。以下将对阵列基板制备中，上述行列标记11和行列标记12的制作过程进行详细描述。如图4与图5所示，其中，制作行列标记11时的过程包括:步骤一，在玻璃基板10上沉积公共电极线ITO层5 ;步骤二，在玻璃基板10上沉积栅线金属层2，刻蚀后形成各栅线，并且在刻蚀形成栅线的同时，在数据线方向中保留一块栅线金属层2的金属，如图4所示，刻蚀后在该位置处形成为行列标记11。其中，制作行列标记12时的过程如图6至图9所示，包括:步骤一，采用传统工艺方法在玻璃基板10上依次做出:公共电极线ITO层5、栅线金属层2、栅线绝缘层7、有源层3以及数据线金属层4，其中在数据线金属层4刻蚀形成数据线时，需要在栅线上方的对应位置保留一块数据线金属层4的金属，如图6和图7所示；步骤二，在数据线金属层4上沉积钝化层8，并采用干刻工艺刻蚀过孔，同时采用过孔制备工艺，制备行列标记12，如图8和图9所示；步骤三，在钝化层8上方沉积像素电极层6，并进行刻蚀，但行列标记12区域的像素电极层6的像素电极保留，最终完成阵列基板的制作，如图1和图3所示。上述实施例中，行列标记12采用钝化层8制作，但也可以采用数据线金属层4制作。本实用新型第二实施例，所述阵列基板上包括背面的行列标记11和背面的行列标记12，其中所述行列标记11使用栅线金属层制成，所述行列标记12使用数据线金属层制成，结合参阅图4、图5、图10及图11，所述阵列基板的制作过程包括以下步骤:步骤一，在玻璃基板10上沉积公共电极线ITO层5 ;步骤二，在玻璃基板10上沉积栅线金属层2，刻蚀后形成各栅线，并且在刻蚀形成栅线的同时，在数据线方向中保留一块栅线金属层2的金属，如图4所示，在该位置处形成为行列标记11 ;步骤三，采用传统工艺方法在玻璃基板10上依次做出:公共电极线ITO层5、栅线金属层2、栅线绝缘层7、有源层3以及数据线金属层4，其中在数据线金属层4刻蚀形成数据线时，需要在栅线上方的对应位置保留一块数据线金属层4的金属，对该处的金属进行刻蚀，制成正面的行列标记12,如图10和图11所示；步骤四，在上述各层上依次沉积并形成钝化层8和像素电极层6，最终完成阵列基板的制作。根据以上，本领域技术人员应该能够理解所述行列标记的制作工艺，在此不再详细描述。此外，本领域技术人员可以理解，本实用新型具体实施例所述阵列基板，用于对特定像素电极进行坐标标记的行列标记，并不仅限于设置于上述位置，且不限于采用数字构成行号和列号的方式进行绝对坐标标记，本领域人员可以采用其他方式进行位置标记，在此不一一列举。本实用新型具体实施例另一方面还提供一种具有上述阵列基板结构的液晶面板和显示设备，具体可以参阅上述，在此不再赘述。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板，包括多个像素电极，其特征在于，所述阵列基板上设置有用于对特定像素电极进行坐标标记的行列标记。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述行列标记包括行号标记和列号标记，其中所述行号标记表示所述特定像素电极所对应栅线的行号，所述列号标记用于表示所述特定像素电极所对应数据线的列号。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述行列标记设置于所标记所述特定像素电极的周边。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述行列标记是利用所述阵列基板的栅线金属层制成。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述行列标记位于所述特定像素电极所对应的数据线位置上。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述行列标记是利用所述阵列基板的钝化层或数据线金属层制成。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述行列标记位于所述特定像素电极所对应的栅线位置上。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述行列标记为两个，其中第一行列标记是利用所述阵列基板的栅线金属层制成，第二行列标记是利用所述阵列基板的钝化层或数据线金属层制成。
9.一种液晶面板,包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示设备，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型提供一种阵列基板、液晶面板及显示设备，所述阵列基板包括多个像素电极，其中所述阵列基板上设置有用于对特定像素电极进行坐标标记的行列标记。本实用新型通过在阵列基板的亚像素周边标记该亚像素的行号和列号，实现了像素的绝对坐标标记，无论是在哪种仪器的基台，也无论基板的切割与否都能够快速准确的找到不良区，从而进行地址定位，能有效提高修复和分析的效率及准确性。本实用新型还提供一种包括上述阵列基板的液晶面板。本实用新型另一方面还提供一种包括上述阵列基板的显示设备。
文档编号G02F1/1362GK202975550SQ20122072936
公开日2013年6月5日 申请日期2012年12月26日 优先权日2012年12月26日
发明者王明超, 林鸿涛, 王俊伟 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司