1.光掩模坯，用于加工成适于使用波长200nm以下的曝光光进行图案转印的光掩模，该光掩模坯包括透明基材、在远离该基材的一侧的最外层设置并且具有至少0.1Ω·cm的电阻率的电阻层、和与该电阻层的邻近该基材的表面相接地设置并且具有小于0.1Ω·cm的电阻率的导电层，其中，
所述电阻层为单层或由至少两个子层组成的多层结构，该单层或每个子层具有电阻率(用Ω·cm表示)和厚度(用cm表示)，条件是电阻率值不大于7.5×105Ω·cm时，该电阻率等于该电阻率值，并且电阻率值大于7.5×105Ω·cm时，该电阻率等于7.5×105Ω·cm，
电阻指数A，当该电阻层为单层时其为电阻率和厚度的乘积，或者当该电阻层为多层结构时其为各子层的电阻率和厚度的乘积之和，满足式(1)：
1.5×105≥A×α+ρc/dc (1)
其中α为常数(用cm-2表示)，ρc为该导电层的电阻率(用Ω·cm表示)，并且dc为该导电层的厚度(用cm表示)。
2.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中该导电层具有不大于1×104Ω/□的薄层电阻。
3.根据权利要求1所述的光掩模坯，在该基材和该导电层之间还包括相移膜，该相移膜由含硅材料或者含硅和钼的材料形成。
4.根据权利要求1所述的光掩模坯，在该基材和该导电层之间还包括遮光膜，该遮光膜由含硅材料或者含硅和钼的材料形成。
5.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中该导电层由含铬材料形成。
6.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中通过使接地端子与该导电层接触，以在该接地端子与该导电层之间建立导电的程度对该接地端子施力来按压该导电层，在该接地状态下进行EB写入，从而将该光掩模坯加工为光掩模。
7.由光掩模坯制备光掩模的方法，该光掩模适于使用波长200nm以下的曝光光进行图案转印，该光掩模坯包括透明基材、在远离该基材的一侧的最外层设置并且具有至少0.1Ω·cm的电阻率的电阻层、和与该电阻层的邻近该基材的表面相接地设置并且具有小于0.1Ω·cm的电阻率的导电层，该电阻层为单层或者由至少两个子层组成的多层结构，
所述方法包括如下步骤：提供该光掩模坯，其中该单层或每个子层具有电阻率(用Ω·cm表示)和厚度(用cm表示)，条件是电阻率值不大于7.5×105Ω·cm时，该电阻率等于该电阻率值，并且电阻率值大于7.5×105Ω·cm时，该电阻率等于7.5×105Ω·cm，并且电阻指数A，当该电阻层为单层时其为电阻率和厚度的乘积，或者当该电阻层为多层结构时其为各子层的电阻率和厚度的乘积之和，满足式(1)：
1.5×105≥A×α+ρc/dc (1)
其中α为常数(用cm-2表示)，ρc为该导电层的电阻率(用Ω·cm表示)，并且dc为该导电层的厚度(用cm表示)，
所述方法还包括如下步骤：在该电阻层上形成光致抗蚀剂膜，使接地端子与该电阻层接触，以在该接地端子与该导电层之间建立导电的程度对该接地端子施力来按压该电阻层，和在该接地状态下在该光致抗蚀剂膜上进行EB写入。